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1. 发明专利

TW201123577A 有機薄膜電晶體及其製造方法 ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：有机薄膜晶体管及其制造方法 ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201123577A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098145272
申请日：2009-12-28
申请人：財團法人工業技術研究院 , 國立臺灣大學
发明人：蔡豐羽 , 傅榆 , 胡堂祥 , 張智浩
IPC分类号： H01L
摘要：一種有機薄膜電晶體及其製造方法。該方法包括以下步驟：在一容器中，提供一基板，其一面上方形成有一第一圖案化電極；於該基板上，形成一介電層，以覆蓋該第一圖案化電極；於該介電層上，形成一對第二圖案化電極，並在該對第二圖案化電極之間保留一縫隙，該縫隙對應該第一圖案化電極；形成一有機半導體層，其填滿並覆蓋該縫隙；以及提供一高於75%飽和蒸氣壓之氣化溶劑，使該有機半導體層呈現膨潤態且具有流動性，能進行再流動(reflow)，並使大部分之有機半導體分子離開該縫隙，留下有機半導體層於該縫隙中。
简体摘要：一种有机薄膜晶体管及其制造方法。该方法包括以下步骤：在一容器中，提供一基板，其一面上方形成有一第一图案化电极；于该基板上，形成一介电层，以覆盖该第一图案化电极；于该介电层上，形成一对第二图案化电极，并在该对第二图案化电极之间保留一缝隙，该缝隙对应该第一图案化电极；形成一有机半导体层，其填满并覆盖该缝隙；以及提供一高于75%饱和蒸气压之气化溶剂，使该有机半导体层呈现膨润态且具有流动性，能进行再流动(reflow)，并使大部分之有机半导体分子离开该缝隙，留下有机半导体层于该缝隙中。

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