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1. 发明专利

TWI375033B 全方位落體偵測器與全方位落體偵測方法 ALL-DIRECTIONAL FALL SENSOR AND THE METHOD THEREOF 有权
简体标题：全方位落体侦测器与全方位落体侦测方法 ALL-DIRECTIONAL FALL SENSOR AND THE METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI375033B
公开(公告)日：2012-10-21
申请号：TW098111073
申请日：2009-04-02
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：潘小晞 , 楊豐瑜 , 潘福隆
IPC分类号： G01P
CPC分类号： G01P15/04 , G01P15/06
摘要：本發明全方位落體偵測器包含一第一殼體與一浮子，該第一殼體內充填有液體，而該浮子設於第一殼體內且漂浮於該液體上，該浮子具有一第二殼體、一質塊與一指示器，該指示器包括有一腔體設於該質塊上該腔體具有至少一開口，且腔體內充填有一指示物。至少一封閉元件，係設於該開口上，使封閉該指示物於該腔體內當全方位落體偵測器被受力過，該封閉元件與該指示物會脫離，而使指示物散佈於該腔體內；本發明復提供一種全方位落體偵測方法。
简体摘要：本发明全方位落体侦测器包含一第一壳体与一浮子，该第一壳体内充填有液体，而该浮子设于第一壳体内且漂浮于该液体上，该浮子具有一第二壳体、一质块与一指示器，该指示器包括有一腔体设于该质块上该腔体具有至少一开口，且腔体内充填有一指示物。至少一封闭组件，系设于该开口上，使封闭该指示物于该腔体内当全方位落体侦测器被受力过，该封闭组件与该指示物会脱离，而使指示物散布于该腔体内；本发明复提供一种全方位落体侦测方法。

2. 发明专利

TWI344216B 有機薄膜電晶體以及控制高分子材料層表面能的方法 ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR CONTROLLING SURFACE ENERGY OF POLYMER LAYER 有权
简体标题：有机薄膜晶体管以及控制高分子材料层表面能的方法 ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR CONTROLLING SURFACE ENERGY OF POLYMER LAYER
公开(公告)号：TWI344216B
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：TW096129951
申请日：2007-08-14
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：楊豐瑜 , 徐美玉
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係有關於一種有機薄膜電晶體，其中的介電層由一組成物所組成，包括：(a)高分子，其重複單位的結構如式(I)所示：　式(I)，其中每一X係各自獨立為H或C1-54烷基；R係各自獨立為H、烷基、乙醯氧基(acetoxyl)、異丁基(t-butyl)、β-甲氧基乙氧基甲基醚(β-methoxyethoxymethyl ether)、甲氧基甲基醚(methoxymethyl ether)、對甲氧基苯基醚(p-methoxybenzyl ether)、甲硫基甲基醚(methylthiomethyl ether)、特戊醯基(pivaloyl)、四氫吡喃(tetrahydropyran)或矽醚(silyl ether)；每一a係各自獨立為1至5之整數；y和z為莫耳比，且y+z=1，0≦y≦1，0≦z≦1；(b)交聯劑；以及(c)酸產生劑。
简体摘要：本发明系有关于一种有机薄膜晶体管，其中的介电层由一组成物所组成，包括：(a)高分子，其重复单位的结构如式(I)所示：　式(I)，其中每一X系各自独立为H或C1-54烷基；R系各自独立为H、烷基、乙酰氧基(acetoxyl)、异丁基(t-butyl)、β-甲氧基乙氧基甲基醚(β-methoxyethoxymethyl ether)、甲氧基甲基醚(methoxymethyl ether)、对甲氧基苯基醚(p-methoxybenzyl ether)、甲硫基甲基醚(methylthiomethyl ether)、特戊酰基(pivaloyl)、四氢吡喃(tetrahydropyran)或硅醚(silyl ether)；每一a系各自独立为1至5之整数；y和z为莫耳比，且y+z=1，0≦y≦1，0≦z≦1；(b)交联剂；以及(c)酸产生剂。

3. 发明专利

TWI365551B 電子裝置的製造方法 METHOD OF FABRICATING A ELECTRICAL DEVICE 有权
简体标题：电子设备的制造方法 METHOD OF FABRICATING A ELECTRICAL DEVICE
公开(公告)号：TWI365551B
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW096147927
申请日：2007-12-14
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：張國瑞 , 徐美玉 , 楊豐瑜
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K3/1208 , H01L51/0003 , H01L51/0541 , H05K2201/0329 , H05K2203/1173
摘要：本發明提供一種電子裝置的製造方法，包括：提供一基板；於上述基板上形成一圖案化第一自組性單分子層和一相鄰之圖案化第二自組性單分子層，其中上述圖案化第一自組性單分子層具有較上述圖案化第二自組性單分子層高的親和性；將有機物粒子溶於溶劑中，形成一有機溶液；於上述基板上塗佈上述有機溶液；移除上述溶劑，以選擇性於上述圖案化第一自組性單分子層上形成一圖案化有機物層。
简体摘要：本发明提供一种电子设备的制造方法，包括：提供一基板；于上述基板上形成一图案化第一自组性单分子层和一相邻之图案化第二自组性单分子层，其中上述图案化第一自组性单分子层具有较上述图案化第二自组性单分子层高的亲和性；将有机物粒子溶于溶剂中，形成一有机溶液；于上述基板上涂布上述有机溶液；移除上述溶剂，以选择性于上述图案化第一自组性单分子层上形成一图案化有机物层。

4. 发明专利

TW201217405A 組成物與高分子 COMPOSITION AND POLYMER 审中-公开
简体标题：组成物与高分子 COMPOSITION AND POLYMER
公开(公告)号：TW201217405A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100120765
申请日：2011-06-14
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：楊豐瑜 , 徐美玉 , 黃桂武 , 駱伯遠
IPC分类号： C08F , H01L
CPC分类号： H01G4/33 , C08K5/34922 , H01G4/18 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/052 , C08L25/18
摘要：一種組成物與高分子。組成物包括高分子與三聚氰胺衍生物。高分子，具有以下化學式：
。R為氫基、鹵化物、烷基、烷氧基、鹵烷基或硝基。n為1~5的整數。x+y+z=1，x>0，y≧0，z≧0。三聚氰胺衍生物包括
。R1為氫基、CqH2q+1或。m、q獨立地為1~10的整數。R2、R3與R4獨立地為氫基、鹵化物或C1~C54烷基。
简体摘要：一种组成物与高分子。组成物包括高分子与三聚氰胺衍生物。高分子，具有以下化学式：。R为氢基、卤化物、烷基、烷氧基、卤烷基或硝基。n为1~5的整数。x+y+z=1，x>0，y≧0，z≧0。三聚氰胺衍生物包括。R1为氢基、CqH2q+1或。m、q独立地为1~10的整数。R2、R3与R4独立地为氢基、卤化物或C1~C54烷基。

5. 发明专利

TW201006843A 雙極性可分散奈米二氧化鈦材料 AMPHIPHILIC DISPERSIBLE NANO-TiO2 MATERIAL 审中-公开
简体标题：双极性可分散奈米二氧化钛材料 AMPHIPHILIC DISPERSIBLE NANO-TiO2 MATERIAL
公开(公告)号：TW201006843A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW097129508
申请日：2008-08-04
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：楊豐瑜 , 徐美玉 , 黃桂武
IPC分类号： C07F , H01L
摘要：本發明提供一種雙極性可分散奈米二氧化鈦材料，能分散於一極性溶劑與一非極性溶劑，包括以下部分：二氧化鈦奈米粒子；至少一脂肪酸，以共價鍵鍵結到該二氧化鈦奈米粒子，包含一飽和或未飽和、線性或分枝之C5-C18烷鏈；以及至少一有機磷酸酯，以共價鍵鍵結到該些二氧化鈦奈米粒子，包含一飽和或未飽和、線性或分枝之C5-C17烷鏈。本發明還包括將雙極性可分散奈米二氧化鈦材料應用於有機薄膜電晶體上。
简体摘要：本发明提供一种双极性可分散奈米二氧化钛材料，能分散于一极性溶剂与一非极性溶剂，包括以下部分：二氧化钛奈米粒子；至少一脂肪酸，以共价键键结到该二氧化钛奈米粒子，包含一饱和或未饱和、线性或分枝之C5-C18烷链；以及至少一有机磷酸酯，以共价键键结到该些二氧化钛奈米粒子，包含一饱和或未饱和、线性或分枝之C5-C17烷链。本发明还包括将双极性可分散奈米二氧化钛材料应用于有机薄膜晶体管上。

6. 实用新型

TW297507U 自動化靜法碼力標準機失效
简体标题：自动化静法码力标准机
公开(公告)号：TW297507U
公开(公告)日：1997-02-01
申请号：TW084217533
申请日：1995-12-05
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：李心澤 , 陳其潭 , 黃威嚴 , 楊豐瑜
IPC分类号： G01L
摘要：利用可程式控制器（programmable logic controller )，配合氣壓系統以及靜法碼(dead weight )，組成之自動化靜法碼力標準機，其量測精確度可達0.002%。
使用時將待校正之標準元件置於承載位置，利用可程式控制器啟動氣壓缸，帶動靜治碼，對待校標準元件加壓或拉伸，擷取其數據變化，而達到校正目的。
简体摘要：利用可程控器（programmable logic controller )，配合气压系统以及静法码(dead weight )，组成之自动化静法码力标准机，其量测精确度可达0.002%。使用时将待校正之标准组件置于承载位置，利用可程控器启动气压缸，带动静治码，对待校标准组件加压或拉伸，截取其数据变化，而达到校正目的。

7. 发明专利

TWI432462B 組成物與高分子有权
简体标题：组成物与高分子
公开(公告)号：TWI432462B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW100120765
申请日：2011-06-14
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：楊豐瑜 , YANG, FENG YU , 徐美玉 , HSU, MEEI YU , 黃桂武 , HWANG, GUE WUU , 駱伯遠 , LO, PO YUAN
IPC分类号： C08F212/14 , C08F212/32 , H01L27/28 , H01L29/786
CPC分类号： H01G4/33 , C08K5/34922 , H01G4/18 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/052 , C08L25/18

8. 发明专利

TWI365978B 受力指示器及其方法 METHOD AND APPARATUS FOR DROPPING INDICATOR 有权
公开(公告)号：TWI365978B
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：TW096150733
申请日：2007-12-28
申请人：財團法人工業技術研究院 , 阿發糊盒行有限公司
发明人：潘小晞 , 張啟生 , 楊豐瑜
IPC分类号： G01L
CPC分类号： G01P1/127 , G01D7/005 , G01P15/036 , G01P15/038 , G01P15/06 , G01P15/18
摘要：一種受力指示器，係於指示器內部裝設磁鐵，透過磁鐵磁力與指示器摔落時所產生之重力加速度、慣性力及碰撞受力作用力等之交互作用，觀察在交互作用後磁鐵固有狀態的改變結果，以此來判斷運送過程中或使用過程中的產品是否曾發生摔落或碰撞受力，例如手機或PDA，在使用過程或運送過程中因摔落或碰撞受力而造成損壞，則受力指示器的指示物變化顯示可推測產品是否有摔落或碰撞受力跡象，以瞭解摔落責任歸屬。
简体摘要：一种受力指示器，系于指示器内部装设磁铁，透过磁铁磁力与指示器摔落时所产生之重力加速度、惯性力及碰撞受力作用力等之交互作用，观察在交互作用后磁铁固有状态的改变结果，以此来判断运送过程中或使用过程中的产品是否曾发生摔落或碰撞受力，例如手机或PDA，在使用过程或运送过程中因摔落或碰撞受力而造成损坏，则受力指示器的指示物变化显示可推测产品是否有摔落或碰撞受力迹象，以了解摔落责任归属。

9. 发明专利

TWI331611B 單核多枝狀星型高分子材料與有機薄膜電晶體 MONONUCLEAR STAR-BRANCHED POLYMER MATERIAL AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR 有权
简体标题：单核多枝状星型高分子材料与有机薄膜晶体管 MONONUCLEAR STAR-BRANCHED POLYMER MATERIAL AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
公开(公告)号：TWI331611B
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：TW095143319
申请日：2006-11-23
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：楊豐瑜 , 徐美玉 , 詹淑華 , 彭玉容 , 買昱椉 , 周維揚
IPC分类号： C08F , H01L
CPC分类号： H01L51/052 , C08F8/12 , C08F12/22 , C08F2438/01 , C08G83/005 , H01L51/0545
摘要：一種單核多枝狀星型高分子材料，具有式(I)所示的重複單元：A-Bn　　　(I)其中，A是選自具有一官能性的多官能中心並具有n個枝數的官能基，n是大於2的整數。B是式(II)所示之水解或部分水解物：其中，X為H或-CH3;R為H、烷基或選自乙醯氧基、第三丁基、第三丁基二甲基矽烷基或其它種酸不穩定基(acid labile group)與酸穩定基(acid stable group)所組成之物質群中的一種物質；a是1~5的整數；y和z是莫耳比率並且滿足y+z=1、0
简体摘要：一种单核多枝状星型高分子材料，具有式(I)所示的重复单元：A-Bn　　　(I)其中，A是选自具有一官能性的多官能中心并具有n个枝数的官能基，n是大于2的整数。B是式(II)所示之水解或部分水解物：其中，X为H或-CH3;R为H、烷基或选自乙酰氧基、第三丁基、第三丁基二甲基硅烷基或其它种酸不稳定基(acid labile group)与酸稳定基(acid stable group)所组成之物质群中的一种物质；a是1~5的整数；y和z是莫耳比率并且满足y+z=1、0<y1以及0z<1。实验结果发现此单核多枝状星型高分子比传统线型高分子更能有效的抑制漏电流的发生。 A mononuclear star-branched polymer dielectric material has a repeat unit of the formula (I): A-Bn (I) wherein, A represents a polyfunctional center having a functionality and a functional group with "n" arms; n is an integer greater than 2. B represents a hydrolyzed or partially hydrolyzed compound of the formula (II): wherein, X represents H or -CH3; R represents H, alkyl or is selected from one of the group including acetoxyl, t-butyl, t-butyldimethyl silyl, other acid labile groups and acid stable group; "a" is an integer from 1 to 5; y and z are molar ratio and are the numbers satisfying y+z=1, 0<y1 and 0z<1. It was found that mononuclear star-branched polymer dielectric material can effectively suppress the occurrence of current leakage than that of conventional linear-polymer. 【创作特点】本发明提供一种单核多枝状星型高分子材料，能有效的抑制漏电流(current leakage)的发生。本发明另提供一种有机薄膜晶体管，以增加载子移动率(mobility)并改进其热稳定性。本发明提出一种单核多枝状星型高分子材料，具有式(I)所示的重复单元：A-Bn　　　(I)其中，A是选自具有一官能性的多官能中心(polyfunctional center)，且A是具有n个枝数的官能基。n是大于2的整数。 B是式(II)所示之水解或部分水解物：其中，X为H或-CH3。R为H、烷基或选自乙酰氧基(acetoxyl)、第三丁基(t-butyl)、第三丁基二甲基硅烷基(t-butyldimethylsilyl)或其它种酸不稳定基(acid labile group)与酸稳定基(acid stable group)所组成之物质群中的一种物质。a是1~5的整数。y和z是莫耳比率并且满足y+z=1、0<y1以及0z<1。本发明另提出一种有机薄膜晶体管，包括闸极、源极、汲极、连接于源极和汲极的有机半导体层以及一层介电层。上述介电层将闸极与有机半导体层、源极和汲极隔离，其中介电层之材料为上述单核多枝状星型高分子材料。上述单核多枝状星型高分子材料的分子量例如是小于200,000。上述n例如是3~10的整数。上述X例如是H。上述R例如是H。当n=3，上述A为式(III)所示的结构：依照本发明的一实施例，当n=6，上述A为式(IV)所示的结构：上述介电层例如是更包括一交联剂。而且，交联剂与单核多枝状星型高分子材料之比例约为10:5~3:12。上述有机半导体层的材料例如是伍环素(pentacene)。本发明因为使用单核多枝星型高分子所形成的高分子薄膜，会比习知线形高分子材料(如线形PVP)更能有效的抑制漏电流的发生，因此做为闸极绝缘层材料时，更能有效的抑制漏电流的发生，进而提升组件的效率。为让本发明之上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

10. 发明专利

TW201017898A 高分子太陽能電池 POLYMER SOLAR CELLS 审中-公开
简体标题：高分子太阳能电池 POLYMER SOLAR CELLS
公开(公告)号：TW201017898A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW097141558
申请日：2008-10-29
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：衛靖燕 , 楊豐瑜 , 徐美玉 , 黃桂武 , 陳誼苓
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/4253 , C01G23/003 , C01G23/047 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/4226 , H01L2251/308 , Y02E10/549
摘要：本發明提供一種高分子太陽能電池，包括：一陰極與一陽極；一主動層，具有一第一表面與一第二表面，設置於該陰極與該陽極之間；以及一二氧化鈦層，形成於該主動層之該第一表面與該第二表面其中之一。
简体摘要：本发明提供一种高分子太阳能电池，包括：一阴极与一阳极；一主动层，具有一第一表面与一第二表面，设置于该阴极与该阳极之间；以及一二氧化钛层，形成于该主动层之该第一表面与该第二表面其中之一。

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