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    • 4. 发明专利
    • 具有對高強度之光降低敏感度之高動態範圍圖像感測器
    • 具有对高强度之光降低敏感度之高动态范围图像传感器
    • TW201801295A
    • 2018-01-01
    • TW105133611
    • 2016-10-18
    • 豪威科技股份有限公司OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
    • 錢胤QIAN, YIN張明ZHANG, MING陸震偉LU, CHEN-WEI李 津LI, JIN繆佳君MIAO, CHIA-CHUN戴 戴森 HTAI, DYSON H.
    • H01L27/146
    • H01L27/14607H01L27/1461H01L27/1462H01L27/14623H01L27/14643H01L27/14685H01L27/14689
    • 一種影像感測器包含在一半導體基板中彼此穿插之第一複數個光電二極體及第二複數個光電二極體。入射光待被引導穿過該半導體基板之一表面至該第一複數個光電二極體及該第二複數個光電二極體中。相較於該第二複數個光電二極體,該第一複數個光電二極體對該入射光具有更大敏感度。一金屬膜層安置於該第二複數個光電二極體上方之該半導體基板之該表面上方,且未安置於該第一複數個光電二極體上方。一金屬格柵安置於該半導體基板之該表面上方,且包含第一複數個開口,該入射光穿過該第一複數個開口被引導至該第一複數個光電二極體中。該金屬格柵進一步包含第二複數個開口,該入射光穿過該第二複數個開口被引導穿過該金屬膜層至該第二複數個光電二極體中。
    • 一种影像传感器包含在一半导体基板中彼此穿插之第一复数个光电二极管及第二复数个光电二极管。入射光待被引导穿过该半导体基板之一表面至该第一复数个光电二极管及该第二复数个光电二极管中。相较于该第二复数个光电二极管,该第一复数个光电二极管对该入射光具有更大敏感度。一金属膜层安置于该第二复数个光电二极管上方之该半导体基板之该表面上方,且未安置于该第一复数个光电二极管上方。一金属格栅安置于该半导体基板之该表面上方,且包含第一复数个开口,该入射光穿过该第一复数个开口被引导至该第一复数个光电二极管中。该金属格栅进一步包含第二复数个开口,该入射光穿过该第二复数个开口被引导穿过该金属膜层至该第二复数个光电二极管中。