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1. 发明专利

TW575908B 半導體結晶之製造方法及發光元件有权
简体标题：半导体结晶之制造方法及发光组件
公开(公告)号：TW575908B
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW091102216
申请日：2002-02-07
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：永井誠二 SEIJI NAGAI , 富田一義 KAZUYOSHI TOMITA
IPC分类号： C30B , H01L
摘要：本發明之課題在於獲得錯位較少的高品質半導體結晶。
本發明之解決手段係當在具多數突起部的基底基板上，成長由第Ⅲ族氮化物系化合物所構成的基板層(所需半導體結晶)的情況時，藉由突起部大小、配置間隔、結晶成長諸條件等的調整，便可在各突起部間形成未疊層半導體結晶的空洞。因此，若基板層厚度十分大於突起部高度的話，內部應力或外部應力便將輕易的集中作用於此突起部上。結果，特別係該等應力，便對突起部作用剪切應力等，當此應力增大時，突起部便斷裂。所以，若利用此應力的話，便可輕易的將基底基板與基板層予以分離，而獲得從基底基板獨立出的半導體結晶。空洞形成越大的話，上述應力越容易集中於突起部上，便可更確實的將基底基板與基板層予以分離。
简体摘要：本发明之课题在于获得错位较少的高品质半导体结晶。本发明之解决手段系当在具多数突起部的基底基板上，成长由第Ⅲ族氮化物系化合物所构成的基板层(所需半导体结晶)的情况时，借由突起部大小、配置间隔、结晶成长诸条件等的调整，便可在各突起部间形成未叠层半导体结晶的空洞。因此，若基板层厚度十分大于突起部高度的话，内部应力或外部应力便将轻易的集中作用于此突起部上。结果，特别系该等应力，便对突起部作用剪切应力等，当此应力增大时，突起部便断裂。所以，若利用此应力的话，便可轻易的将基底基板与基板层予以分离，而获得从基底基板独立出的半导体结晶。空洞形成越大的话，上述应力越容易集中于突起部上，便可更确实的将基底基板与基板层予以分离。

2. 发明专利

TW586136B 半導體基板之製造方法有权
简体标题：半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW586136B
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW091106340
申请日：2002-03-29
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：永井誠二 SEIJI NAGAI , 富田一義 KAZUYOSHI TOMITA , 色川芳宏 , 伊藤健治 KENJI ITO
IPC分类号： C30B , H01L
摘要：本發明之目的是使用較廉價之矽作為底層基板，用來有效的生產差排較小，沒有破裂和多結晶塊(高溫反應部)之高品質之半導體結晶。
本發明之解決手段是利用反應防止層(晶質材料B)用來防止Si和例如GaN等之氮化鎵系之半導體(半導體結晶A)發生反應。在底層基板(Si基板)上，成膜由具有融點和耐熱性高於半導體結晶A之例如SiC或AlN等構成之反應防止層，即使使結晶A以高溫長時間結晶成長之情況時，亦不會在矽界面附近形成高溫反應部。另外，利用空洞或薄膜部可以緩和施加在反應防止層之應力。因此，可以形成不會有貫穿縱方向之破裂之反應防止層，因為可以更確實的中斷底層基板和半導體結晶A，所以可以更確實的防止高溫反應部之發生。另外，利用該應力緩和作用，亦可以將半導體結晶A之差排密度抑制成很低。
简体摘要：本发明之目的是使用较廉价之硅作为底层基板，用来有效的生产差排较小，没有破裂和多结晶块(高温反应部)之高品质之半导体结晶。本发明之解决手段是利用反应防止层(晶质材料B)用来防止Si和例如GaN等之氮化镓系之半导体(半导体结晶A)发生反应。在底层基板(Si基板)上，成膜由具有融点和耐热性高于半导体结晶A之例如SiC或AlN等构成之反应防止层，即使使结晶A以高温长时间结晶成长之情况时，亦不会在硅界面附近形成高温反应部。另外，利用空洞或薄膜部可以缓和施加在反应防止层之应力。因此，可以形成不会有贯穿纵方向之破裂之反应防止层，因为可以更确实的中断底层基板和半导体结晶A，所以可以更确实的防止高温反应部之发生。另外，利用该应力缓和作用，亦可以将半导体结晶A之差排密度抑制成很低。

3. 发明专利

TW200409383A 半導體結晶之製造方法 METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CRYSTAL 审中-公开
简体标题：半导体结晶之制造方法 METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CRYSTAL
公开(公告)号：TW200409383A
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：TW092119647
申请日：2003-07-18
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：永井誠二 SEIJI NAGAI , 小島彰 AKIRA KOJIMA , 富田一義 KAZUYOSHI TOMITA
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265
摘要：作為GaN層(第二種籽層)與AlN緩衝層(第一種籽層)層壓物之種籽層係形成於藍寶石基板上。其前表面係以具約5微米長條厚度(種籽寬)、約15微米側翼寬及約0.5微米深度之長條狀形式蝕刻。因而形成每一成型類似幾乎矩形(於斷面圖)之高原部分。每一具種籽多層為其平坦頂部之非蝕刻部分係以排列間距L約等於20微米排列。部分藍寶石基板係暴露於側翼之波谷部分中。種籽寬度對側翼寬度之比例S／W較佳係選擇於約1／3至約1／5之範圍內。接著成長半導體結晶A以得到不低於50微米之厚度。自起始基板分離半導體結晶，藉以製得與起始基板無關的高品質單晶。當鹵化物氣相磊晶法用於V／III比例選擇於30至80(包含兩者)範圍內之條件時，可製得無裂縫之半導體結晶。
简体摘要：作为GaN层(第二种籽层)与AlN缓冲层(第一种籽层)层压物之种籽层系形成于蓝宝石基板上。其前表面系以具约5微米长条厚度(种籽宽)、约15微米侧翼宽及约0.5微米深度之长条状形式蚀刻。因而形成每一成型类似几乎矩形(于断面图)之高原部分。每一具种籽多层为其平坦顶部之非蚀刻部分系以排列间距L约等于20微米排列。部分蓝宝石基板系暴露于侧翼之波谷部分中。种籽宽度对侧翼宽度之比例S／W较佳系选择于约1／3至约1／5之范围内。接着成长半导体结晶A以得到不低于50微米之厚度。自起始基板分离半导体结晶，借以制得与起始基板无关的高品质单晶。当卤化物气相磊晶法用于V／III比例选择于30至80(包含两者)范围内之条件时，可制得无裂缝之半导体结晶。

4. 发明专利

TWI233217B 半導體結晶之製造方法 METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CRYSTAL 有权
简体标题：半导体结晶之制造方法 METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CRYSTAL
公开(公告)号：TWI233217B
公开(公告)日：2005-05-21
申请号：TW092119647
申请日：2003-07-18
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：永井誠二 SEIJI NAGAI , 小島彰 AKIRA KOJIMA , 富田一義 KAZUYOSHI TOMITA
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265
摘要：作為GaN層(第二種籽層)與AlN緩衝層(第一種籽層)層壓物之種籽層係形成於藍寶石基板上。其前表面係以具約5微米長條厚度(種籽寬)、約15微米側翼寬及約0.5微米深度之長條狀形式蝕刻。因而形成每一成型類似幾乎矩形(於斷面圖)之高原部分。每一具種籽多層為其平坦頂部之非蝕刻部分係以排列間距L約等於20微米排列。部分藍寶石基板係暴露於側翼之波谷部分中。種籽寬度對側翼寬度之比例S/W較佳係選擇於約1/3至約1/5之範圍內。接著成長半導體結晶A以得到不低於50微米之厚度。自起始基板分離半導體結晶，藉以製得與起始基板無關的高品質單晶。當鹵化物氣相磊晶法用於V/III比例選擇於30至80(包含兩者)範圍內之條件時，可製得無裂縫之半導體結晶。
简体摘要：作为GaN层(第二种籽层)与AlN缓冲层(第一种籽层)层压物之种籽层系形成于蓝宝石基板上。其前表面系以具约5微米长条厚度(种籽宽)、约15微米侧翼宽及约0.5微米深度之长条状形式蚀刻。因而形成每一成型类似几乎矩形(于断面图)之高原部分。每一具种籽多层为其平坦顶部之非蚀刻部分系以排列间距L约等于20微米排列。部分蓝宝石基板系暴露于侧翼之波谷部分中。种籽宽度对侧翼宽度之比例S/W较佳系选择于约1/3至约1/5之范围内。接着成长半导体结晶A以得到不低于50微米之厚度。自起始基板分离半导体结晶，借以制得与起始基板无关的高品质单晶。当卤化物气相磊晶法用于V/III比例选择于30至80(包含两者)范围内之条件时，可制得无裂缝之半导体结晶。

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