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    • 1. 发明专利
    • 氮化鋁粉體之製造方法
    • 氮化铝粉体之制造方法
    • TW247897B
    • 1995-05-21
    • TW082101363
    • 1993-02-25
    • 行政院國家科學委員會
    • 李威昌杜昌霖鍾賢龍
    • C01BC04B
    • 一種氮化鋁粉體之製造方法,其係將鋁粉與固態氮化物相混合後模壓成適當形狀作為反應物成型體,此反應物成型體再經下列三者之一方式處理,(一)以引燃劑完全包覆;(二)先以金屬膜完全包覆,再以引燃劑完全包覆;或(三)先置於多孔性耐高溫容器中,再以引燃劑完全包覆。此包覆後之反應物成型體置於充滿氮氣之耐壓密閉室中,加熱點燃使直接燃燒生成氮化鋁。因反應物以引燃劑完全包覆或因同時以金屬膜包覆或因置於多孔性耐高溫容器中,故燃燒反應時更快速而完全,並可於較低之氮氣壓力下進行反應,而得到高純度之氮化鋁。
    • 一种氮化铝粉体之制造方法,其系将铝粉与固态氮化物相混合后模压成适当形状作为反应物成型体,此反应物成型体再经下列三者之一方式处理,(一)以引燃剂完全包覆;(二)先以金属膜完全包覆,再以引燃剂完全包覆;或(三)先置于多孔性耐高温容器中,再以引燃剂完全包覆。此包覆后之反应物成型体置于充满氮气之耐压密闭室中,加热点燃使直接燃烧生成氮化铝。因反应物以引燃剂完全包覆或因同时以金属膜包覆或因置于多孔性耐高温容器中,故燃烧反应时更快速而完全,并可于较低之氮气压力下进行反应,而得到高纯度之氮化铝。
    • 3. 发明专利
    • 氮化鋁之製備方法
    • 氮化铝之制备方法
    • TW407136B
    • 2000-10-01
    • TW086103021
    • 1997-03-11
    • 行政院國家科學委員會
    • 鍾賢龍余文良
    • C01B
    • 一種氮化鋁粉體之合成方法,其係將鋁粉與鹵化銨鹽粉以適當比例混合後置於一具開口或多孔容器內或模壓成適當形狀作為反應錠,將此混合物或反應錠置於充滿氮氣之密閉室中,加熱點燃使直接燃燒生成氮化鋁。由於鹵化銨鹽受熱分解產生氣體,此氣體外逸時在反應混合物或反應錠內造成無數孔道,而使氮氣易於進入與鋁反應,此外,鹵化銨鹽具有催化鋁之氮化反應的功能,因而能在低氮壓下(l-10atm)合成高純度之氮化鋁。
    • 一种氮化铝粉体之合成方法,其系将铝粉与卤化铵盐粉以适当比例混合后置于一具开口或多孔容器内或模压成适当形状作为反应锭,将此混合物或反应锭置于充满氮气之密闭室中,加热点燃使直接燃烧生成氮化铝。由于卤化铵盐受热分解产生气体,此气体外逸时在反应混合物或反应锭内造成无数孔道,而使氮气易于进入与铝反应,此外,卤化铵盐具有催化铝之氮化反应的功能,因而能在低氮压下(l-10atm)合成高纯度之氮化铝。
    • 5. 发明专利
    • 氮化鋁粉體之生產方法
    • 氮化铝粉体之生产方法
    • TW434184B
    • 2001-05-16
    • TW086117545
    • 1997-11-24
    • 行政院國家科學委員會
    • 鍾賢龍余文良
    • C01B
    • C01B21/0722
    • 一種氮化鋁粉體之生產方法,其係將鋁粉與含NHvx(如NH2、 NH3、NH4、N2H4、N2H6等)或鹵素,且在鋁熔點(660℃)以下可分解或氣化之化合物,以適當比例混合後置於一具開口,或多孔之耐高溫容器內,或模壓成適當形狀作為反應錠,再將此反應混合物或反應錠置於充滿氮氣之密閉室中,加熱點燃使其直接燃燒生成氮化銘。由於此含NHvx或鹵素之化合物受熱分解或氣化生成氣體外逸,此反應混合物或反應錠內因而形成無數孔道,而使氮氣易於進入與鋁反應。此外,鹵素具有催化鋁之氮化反應的功能,NHvx則可能易與鋁反應,進而促進鋁之氮化反應,因而能在低氮壓下(l-10atm)生產高純度之氮化鋁。
    • 一种氮化铝粉体之生产方法,其系将铝粉与含NHvx(如NH2、 NH3、NH4、N2H4、N2H6等)或卤素,且在铝熔点(660℃)以下可分解或气化之化合物,以适当比例混合后置于一具开口,或多孔之耐高温容器内,或模压成适当形状作为反应锭,再将此反应混合物或反应锭置于充满氮气之密闭室中,加热点燃使其直接燃烧生成氮化铭。由于此含NHvx或卤素之化合物受热分解或气化生成气体外逸,此反应混合物或反应锭内因而形成无数孔道,而使氮气易于进入与铝反应。此外,卤素具有催化铝之氮化反应的功能,NHvx则可能易与铝反应,进而促进铝之氮化反应,因而能在低氮压下(l-10atm)生产高纯度之氮化铝。