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1. 发明专利

TWI515670B 用以強化學習之裝置、系統及電腦程式產品有权
简体标题：用以强化学习之设备、系统及电脑进程产品
公开(公告)号：TWI515670B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW100139332
申请日：2011-10-28
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：張樂藍 , CHANG, LELAND , 摩哈迪哈曼卓S , MODHA, DHARMENDRA S. , 孟特依羅伯K , MONTOYE, ROBERT K.
IPC分类号： G06N3/06 , G06N3/08 , G06G7/60
CPC分类号： G06N3/08 , G06N3/063 , G06N3/0635 , G11C11/54

2. 发明专利

TWI496287B 雙介電體三閘極場效電晶體有权
简体标题：双介电体三闸极场效应管
公开(公告)号：TWI496287B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW099130445
申请日：2010-09-09
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：張約瑟芬B , CHANG, JOSEPHINE B. , 張樂藍 , CHANG, LELAND , 林崇勳 , LIN, CHUNG HSUN , 思雷特傑佛瑞W , SLEIGHT, JEFFREY W.
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201227545A 強化學習之電子突觸 ELECTRONIC SYNAPSES FOR REINFORCEMENT LEARNING 审中-公开
简体标题：强化学习之电子突触 ELECTRONIC SYNAPSES FOR REINFORCEMENT LEARNING
公开(公告)号：TW201227545A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100139332
申请日：2011-10-28
申请人：萬國商業機器公司
发明人：張樂藍 , 摩哈迪哈曼卓S , 孟特依羅伯K
IPC分类号： G06N , G06G
CPC分类号： G06N3/08 , G06N3/063 , G06N3/0635 , G11C11/54
摘要：本發明具體實施例提供用以强化學習之電子突觸裝置。電子突觸係組態以互連一突觸前電子神經元及一突觸後電子神經元。電子突觸包含組態以儲存電子突觸之一狀態以及儲存用以更新電子突觸之狀態之元資訊的記憶體元件。電子突觸更包含一更新模組,其係組態以基於元資訊更新電子突觸之狀態,以回應針對强化學習之一更新訊號。更新模組係組態以基於元資訊更新電子突觸之狀態,以回應基於學習規則之針對强化學習的一延遲更新訊號。
简体摘要：本发明具体实施例提供用以强化学习之电子突触设备。电子突触系组态以互连一突触前电子神经元及一突触后电子神经元。电子突触包含组态以存储电子突触之一状态以及存储用以更新电子突触之状态之元信息的内存组件。电子突触更包含一更新模块,其系组态以基于元信息更新电子突触之状态,以回应针对强化学习之一更新信号。更新模块系组态以基于元信息更新电子突触之状态,以回应基于学习守则之针对强化学习的一延迟更新信号。

4. 发明专利

TW201133846A 雙介電層三閘極場效電晶體 DUAL DIELECTRIC TRI-GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：双介电层三闸极场效应管 DUAL DIELECTRIC TRI-GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201133846A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099130445
申请日：2010-09-09
申请人：萬國商業機器公司
发明人：張約瑟芬B , 張樂藍 , 林崇勳 , 思雷特傑佛瑞W
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種雙介電體三閘極場效電晶體、雙介電體三閘極場效電晶體的製造方法以及操作雙介電體三閘極場效電晶體的方法。在一個具體實施例內,該雙介電體三閘極場效電晶體包含一個基板、該基板上的一個絕緣層以及至少一個半導體鰭。一第一介電體具有一第一介電常數並延伸至該鰭的側壁之上,並且一金屬層延伸至該第一介電體之上。一第二介電體具有一第二介電常數並位於該鰭的一頂端表面上。一閘極電極延伸至該鰭與該第一和第二介電體之上。該閘極電極與該第一介電層形成具有臨界電壓Vt1的第一和第二閘極,並且該閘極電極與該第二介電層形成具有臨界電壓Vt2(與Vt1不同)的第三閘極。
简体摘要：本发明揭示一种双介电体三闸极场效应管、双介电体三闸极场效应管的制造方法以及操作双介电体三闸极场效应管的方法。在一个具体实施例内,该双介电体三闸极场效应管包含一个基板、该基板上的一个绝缘层以及至少一个半导体鳍。一第一介电体具有一第一介电常数并延伸至该鳍的侧壁之上,并且一金属层延伸至该第一介电体之上。一第二介电体具有一第二介电常数并位于该鳍的一顶端表面上。一闸极电极延伸至该鳍与该第一和第二介电体之上。该闸极电极与该第一介电层形成具有临界电压Vt1的第一和第二闸极,并且该闸极电极与该第二介电层形成具有临界电压Vt2(与Vt1不同)的第三闸极。

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