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1. 发明专利

TWI412071B 自對準電荷平衡的功率雙擴散金屬氧化物半導體製備方法有权
简体标题：自对准电荷平衡的功率双扩散金属氧化物半导体制备方法
公开(公告)号：TWI412071B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW099144886
申请日：2010-12-21
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：陳軍 , CHEN, JOHN , 李亦衡 , LEE, YEEHENG , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 何佩天 , HO, MOSES , 馬國榮 , MA, WILSON , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP , 依瑪茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66636 , H01L21/26586 , H01L29/0615 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/165 , H01L29/456 , H01L29/66719 , H01L29/78 , H01L29/7811

2. 发明专利

TWI539598B 用於在半導體基板上製備半導體功率元件之方法及半導體功率元件有权
简体标题：用于在半导体基板上制备半导体功率组件之方法及半导体功率组件
公开(公告)号：TWI539598B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW101135515
申请日：2012-09-27
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 馬督兒博德 , BOBDE, MADHUR , 安荷叭剌 , BHALLA, ANUP , 李亦衡 , LEE, YEEHANG , 陳軍 , CHEN, JOHN , 何佩天 , HO, MOSES
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/66712

3. 发明专利

TW201314908A 用於在半導體基板上製備半導體功率元件之方法及半導體功率元件审中-公开
简体标题：用于在半导体基板上制备半导体功率组件之方法及半导体功率组件
公开(公告)号：TW201314908A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101135515
申请日：2012-09-27
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 馬督兒博德 , BOBDE, MADHUR , 安荷叭剌 , BHALLA, ANUP , 李亦衡 , LEE, YEEHANG , 陳軍 , CHEN, JOHN , 何佩天 , HO, MOSES
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/66712
摘要：本發明係揭露一種用於在半導體基板上製備半導體功率元件之方法及半導體功率元件，半導體基板承載著由外延層構成的漂流區。該方法包含：第一步，生長一個第一外延層，然後在外延層上方製備一個第一硬遮罩層；第二步，利用第一植入遮罩，打開複數個植入窗口，並且利用第二植入遮罩，閉鎖一部分植入窗口，以植入交替導電類型的複數個摻雜區，在第一外延層中相互鄰近；第三步，重複第一步和第二步，利用相同的第一和第二植入遮罩，製備複數個外延層，每個外延層都用交替導電類型的摻雜區植入。然後，在外延層頂部進行元件製備製程，在交替導電類型的摻雜區上方，藉由擴散過程，合併交替導電類型的摻雜區，作為外延層中的摻雜立柱。
简体摘要：本发明系揭露一种用于在半导体基板上制备半导体功率组件之方法及半导体功率组件，半导体基板承载着由外延层构成的漂流区。该方法包含：第一步，生长一个第一外延层，然后在外延层上方制备一个第一硬遮罩层；第二步，利用第一植入遮罩，打开复数个植入窗口，并且利用第二植入遮罩，闭锁一部分植入窗口，以植入交替导电类型的复数个掺杂区，在第一外延层中相互邻近；第三步，重复第一步和第二步，利用相同的第一和第二植入遮罩，制备复数个外延层，每个外延层都用交替导电类型的掺杂区植入。然后，在外延层顶部进行组件制备制程，在交替导电类型的掺杂区上方，借由扩散过程，合并交替导电类型的掺杂区，作为外延层中的掺杂立柱。

4. 发明专利

TWI408804B 製備電荷平衡的多-奈米殼漂移區的方法有权
简体标题：制备电荷平衡的多-奈米壳漂移区的方法
公开(公告)号：TWI408804B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW099141453
申请日：2010-11-30
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：李亦衡 , LEE, YEEHENG , 何佩天 , HO, MOSES , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/66712

5. 发明专利

TW201123278A 自對準電荷平衡的功率雙擴散金屬氧化物半導體製備方法 METHOD OF FORMING A SELF-ALIGNED CHARGE BALANCED POWER DMOS 审中-公开
简体标题：自对准电荷平衡的功率双扩散金属氧化物半导体制备方法 METHOD OF FORMING A SELF-ALIGNED CHARGE BALANCED POWER DMOS
公开(公告)号：TW201123278A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099144886
申请日：2010-12-21
申请人：萬國半導體股份有限公司
发明人：陳軍 , 李亦衡 , 管靈鵬 , 何佩天 , 馬國榮 , 叭剌安荷 , 依瑪茲哈姆紮
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66636 , H01L21/26586 , H01L29/0615 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/165 , H01L29/456 , H01L29/66719 , H01L29/78 , H01L29/7811
摘要：本發明係揭露一種自對準電荷平衡的半導體元件以及製備這種元件的方法。一個或多個平面閘極形成在第一導電類型的半導體基體上方。刻蝕半導體中的一個或多個深溝槽，自對準到平面閘極。用第二導電類型的半導體材料填充溝槽，使深溝槽與半導體基體的鄰近區域達到電荷平衡。該技術可以製備單元間距小於12微米的自對準電荷平衡的元件。
简体摘要：本发明系揭露一种自对准电荷平衡的半导体组件以及制备这种组件的方法。一个或多个平面闸极形成在第一导电类型的半导体基体上方。刻蚀半导体中的一个或多个深沟槽，自对准到平面闸极。用第二导电类型的半导体材料填充沟槽，使深沟槽与半导体基体的邻近区域达到电荷平衡。该技术可以制备单元间距小于12微米的自对准电荷平衡的组件。

6. 发明专利

TW200943554A 在具有瞬態抑制二極體的濾波器中實現線性電容的器件及方法 METHODS OF ACHIEVING LINEAR CAPACITANCE IN SYMMETRICAL AND ASYMMETRICAL EMI FILTERS WITH TVS 审中-公开
简体标题：在具有瞬态抑制二极管的滤波器中实现线性电容的器件及方法 METHODS OF ACHIEVING LINEAR CAPACITANCE IN SYMMETRICAL AND ASYMMETRICAL EMI FILTERS WITH TVS
公开(公告)号：TW200943554A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW098101483
申请日：2009-01-16
申请人：萬國半導體股份有限公司
发明人：何佩天 , 博德馬督兒 , 張復興 , 翁麗敏
IPC分类号： H01L , H03H
摘要：一種具有單向模組化以及對稱雙向模組化能力的瞬態抑制二極體（TVS）電路，集成有電磁干擾（EMI）濾波器，設置在具有第一種導電形式的半導體襯底上。集成有EMI濾波器的TVS電路還包括用於對稱雙模組結構的設置於表面的接地端，以及用於單向模組結構的設置於半導襯底底部的接地端，輸入和輸出端設置於頂部表面，半導體襯底上設置有至少一個穩壓二極體和若干個電容，用於將接地端直接電容耦合到輸入端及輸出端，而無需介入浮體區域。
简体摘要：一种具有单向模块化以及对称双向模块化能力的瞬态抑制二极管（TVS）电路，集成有电磁干扰（EMI）滤波器，设置在具有第一种导电形式的半导体衬底上。集成有EMI滤波器的TVS电路还包括用于对称双模块结构的设置于表面的接地端，以及用於单向模块结构的设置于半导衬底底部的接地端，输入和输出端设置于顶部表面，半导体衬底上设置有至少一个稳压二极管和若干个电容，用于将接地端直接电容耦合到输入端及输出端，而无需介入浮体区域。

7. 发明专利

TWI398944B 設有位能障式稽納二極體之低壓暫態電壓抑制器有权
简体标题：设有位能障式稽纳二极管之低压暂态电压抑制器
公开(公告)号：TWI398944B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW097140032
申请日：2008-10-17
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED.
发明人：何佩天 , MOSES HO , 馬督兒博德 , MADHUR BOBDE
IPC分类号： H01L27/04 , H02H9/04

8. 发明专利

TWI420612B 測量高密度溝槽MOSFET陣列的體區夾緊電阻的結構、方法及半導體晶片有权
简体标题：测量高密度沟槽MOSFET数组的体区夹紧电阻的结构、方法及半导体芯片
公开(公告)号：TWI420612B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW098110400
申请日：2009-03-30
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED
发明人：何佩天 , HO, MOSES , 李鐵生 , LI, TIESHENG , 李一寬 , LEE, IL KWAN
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L22/34 , H01L29/41 , H01L29/7815

9. 发明专利

TWI384625B 提高蕭特基崩潰電壓且不影響金氧半導體-蕭特基整合裝置之裝置佈局及方法有权
简体标题：提高萧特基崩溃电压且不影响金属氧化物半导体-萧特基集成设备之设备布局及方法
公开(公告)号：TWI384625B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW098108576
申请日：2009-03-17
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED.
发明人：何佩天 , HO, MOSES , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP , 王曉彬 , WANG, XIAOBIN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/8725

10. 发明专利

TW201001705A 提高蕭特基崩潰電壓且不影響金氧半導體－蕭特基整合裝置之裝置佈局及方法 ENHANCING SCHOTTKY BREAKDOWN VOLTAGE (BV) WITHOUT AFFECTING AN INTEGRATED MOSFET-SCHOTTKY DEVICE LAYOUT 审中-公开
简体标题：提高萧特基崩溃电压且不影响金属氧化物半导体－萧特基集成设备之设备布局及方法 ENHANCING SCHOTTKY BREAKDOWN VOLTAGE (BV) WITHOUT AFFECTING AN INTEGRATED MOSFET-SCHOTTKY DEVICE LAYOUT
公开(公告)号：TW201001705A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098108576
申请日：2009-03-17
申请人：萬國半導體股份有限公司
发明人：何佩天 , 叭剌安荷 , 王曉彬
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/8725
摘要：本發明提供一種半導體功率裝置，其係包括具有複數功率電晶體晶胞之一主動晶胞區域(active cell area)，每一功率電晶體晶胞具有一平面蕭特基二極體，包括覆蓋在一缺口上方之區域、相鄰二功率電晶體晶胞之間的分隔本體區域之間的一蕭特基接面能障金屬(Schottky junction barrier metal)，分隔本體區域更提供調節每一功率電晶體晶胞中蕭特基二極體漏電流之功能。每一平面蕭特基二極體更包括一位於缺口中、二相鄰功率電晶體晶胞之分隔本體區域之間的夏農(Shannon)植入物區域，以進一步調節蕭特基二極體之漏電流。每一功率電晶體晶胞之分隔本體區域中更包括本體重摻雜區域(heavy body doped regions)，其位於源極區域旁邊環繞蕭特基二極體，以形成一接面能障蕭特基(junction barrier Schottky,JBS)口袋區域。
简体摘要：本发明提供一种半导体功率设备，其系包括具有复数功率晶体管晶胞之一主动晶胞区域(active cell area)，每一功率晶体管晶胞具有一平面萧特基二极管，包括覆盖在一缺口上方之区域、相邻二功率晶体管晶胞之间的分隔本体区域之间的一萧特基接面能障金属(Schottky junction barrier metal)，分隔本体区域更提供调节每一功率晶体管晶胞中萧特基二极管漏电流之功能。每一平面萧特基二极管更包括一位于缺口中、二相邻功率晶体管晶胞之分隔本体区域之间的香农(Shannon)植入物区域，以进一步调节萧特基二极管之漏电流。每一功率晶体管晶胞之分隔本体区域中更包括本体重掺杂区域(heavy body doped regions)，其位于源极区域旁边环绕萧特基二极管，以形成一接面能障萧特基(junction barrier Schottky,JBS)口袋区域。

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