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    • 3. 发明专利
    • 附無線IC標籤之物品
    • 附无线IC标签之物品
    • TW200602998A
    • 2006-01-16
    • TW093128752
    • 2004-09-22
    • 華可貴股份有限公司 YKK CORPORATION
    • 槻慶一 KEYAKI, KEIICHI姿知成 SUGATA, TOMONARI永安孝志 NAGAYASU, TAKASHI出戶達也 DETO, TATSUYA川村宗廣 KAWAMURA, NORIHIRO
    • G06K
    • A44B1/08A44B11/00A44B19/26A44B19/262G06K19/07749
    • 係有關於具有第1以及第2表面之高磁通率材料所構成之保存部,將安裝於低磁通率材料之無線IC標籤(20),加以裝配之各種物品。上述保存部具有貫通上述第1以及第2表面之貫通部;並設置有將上述貫通部周邊連續之第1以及第2表面的一部分加以貫通,同時連通上述貫通部和外部,的切口。由此切口,於上述貫通部周邊之上述保存部,形成不連續範圍(R);而最少於上述貫通部,上述無線IC標籤(20)和上述低磁通率材料係密接保存。其結果,藉由設置上述貫通部和上述切口,對上述無線IC標籤(20)所放射之載波其伴隨之磁通量的軸,上述貫通部與上述切口之周邊流動之渦電流所產生的磁通量之軸,係成為於上述第1表面以及第2表面,錯開位置,而可減少渦電流(I)所造成之磁通量影響,並無障礙的進行與讀取器/寫入器之訊號交換。
    • 系有关于具有第1以及第2表面之高磁通率材料所构成之保存部,将安装于低磁通率材料之无线IC标签(20),加以装配之各种物品。上述保存部具有贯通上述第1以及第2表面之贯通部;并设置有将上述贯通部周边连续之第1以及第2表面的一部分加以贯通,同时连通上述贯通部和外部,的切口。由此切口,于上述贯通部周边之上述保存部,形成不连续范围(R);而最少于上述贯通部,上述无线IC标签(20)和上述低磁通率材料系密接保存。其结果,借由设置上述贯通部和上述切口,对上述无线IC标签(20)所放射之载波其伴随之磁通量的轴,上述贯通部与上述切口之周边流动之涡电流所产生的磁通量之轴,系成为于上述第1表面以及第2表面,错开位置,而可减少涡电流(I)所造成之磁通量影响,并无障碍的进行与读取器/写入器之信号交换。
    • 6. 发明专利
    • 附無線IC標籤之物品
    • 附无线IC标签之物品
    • TWI297859B
    • 2008-06-11
    • TW093128752
    • 2004-09-22
    • 華可貴股份有限公司 YKK CORPORATION
    • 槻慶一 KEYAKI, KEIICHI姿知成 SUGATA, TOMONARI永安孝志 NAGAYASU, TAKASHI出戶達也 DETO, TATSUYA川村宗廣 KAWAMURA, NORIHIRO
    • G06K
    • A44B1/08A44B11/00A44B19/26A44B19/262G06K19/07749
    • 係有關於具有第1以及第2表面之高磁通率材料所構
      成之保存部,將安裝於低磁通率材料之無線IC標籤(20
      ),加以裝配之各種物品。上述保存部具有貫通上述第1
      以及第2表面之貫通部;並設置有將上述貫通部周邊連續
      之第1以及第2表面的一部分加以貫通,同時連通上述貫
      通部和外部,的切口。由此切口,於上述貫通部周邊之上
      述保存部,形成不連續範圍(R);而最少於上述貫通部
      ,上述無線IC標籤(20)和上述低磁通率材料係密接保
      存。其結果,藉由設置上述貫通部和上述切口,對上述無
      線IC標籤(20)所放射之載波其伴隨之磁通量的軸,上
      述貫通部與上述切口之周邊流動之渦電流所產生的磁通量
      之軸,係成為於上述第1表面以及第2表面,錯開位置,
      而可減少渦電流(I)所造成之磁通量影響,並無障礙的
      進行與讀取器/寫入器之訊號交換。
    • 系有关于具有第1以及第2表面之高磁通率材料所构 成之保存部,将安装于低磁通率材料之无线IC标签(20 ),加以装配之各种物品。上述保存部具有贯通上述第1 以及第2表面之贯通部;并设置有将上述贯通部周边连续 之第1以及第2表面的一部分加以贯通,同时连通上述贯 通部和外部,的切口。由此切口,于上述贯通部周边之上 述保存部,形成不连续范围(R);而最少于上述贯通部 ,上述无线IC标签(20)和上述低磁通率材料系密接保 存。其结果,借由设置上述贯通部和上述切口,对上述无 线IC标签(20)所放射之载波其伴随之磁通量的轴,上 述贯通部与上述切口之周边流动之涡电流所产生的磁通量 之轴,系成为于上述第1表面以及第2表面,错开位置, 而可减少涡电流(I)所造成之磁通量影响,并无障碍的 进行与读取器/写入器之信号交换。