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1. 发明专利

TWI462223B 半導體電子元件結構及其製造方法有权
简体标题：半导体电子组件结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI462223B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW099123460
申请日：2010-07-16
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：李宗翰 , LEE, TZUNG HAN , 黃仲麟 , HUANG, CHUNG LIN , 劉獻文 , LIU, HSIEN WEN
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/306 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66621 , H01L29/78

2. 发明专利

TWI447742B 記憶體佈局結構及記憶體結構有权
简体标题：内存布局结构及内存结构
公开(公告)号：TWI447742B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW099123514
申请日：2010-07-16
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：李宗翰 , LEE, TZUNG HAN , 黃仲麟 , HUANG, CHUNG LIN , 劉獻文 , LIU, HSIEN WEN
IPC分类号： G11C8/14
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L27/0207 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10882 , H01L29/4236

3. 发明专利

TWI416665B 記憶體裝置之垂直式電晶體及其製造方法有权
简体标题：内存设备之垂直式晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI416665B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW100103946
申请日：2011-02-01
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：李宗翰 , LEE, TZUNG HAN , 李中元 , LEE, CHUNG YUAN , 劉獻文 , LIU, HSIEN WEN
IPC分类号： H01L21/8232 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/10802 , H01L29/7841

4. 发明专利

TW201234526A 記憶體裝置之垂直式電晶體及其製造方法 VERTICAL TRANSISTOR OF RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：内存设备之垂直式晶体管及其制造方法 VERTICAL TRANSISTOR OF RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201234526A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100103946
申请日：2011-02-01
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：李宗翰 , 李中元 , 劉獻文
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10802 , H01L29/7841
摘要：一種記憶體裝置之垂直式電晶體製造方法,步驟包括:界定半導體基板之活動區,於活動區外成形淺溝槽式隔絕結構;蝕刻活動區且於蝕刻處向內成形閘極介電層及定位閘極;成形垂直於定位閘極的字元線,且於字元線外緣成形間隔層;實施離子植入,使位於字元線的兩側活動區分別為N型區域以及P型區域;活動區N型區域上成形N型浮體,活動區P型區域上成形P型浮體;成形垂直於字元線方向的電源線,且將電源線連接N型浮體;成形垂直於電源線方向的位元線,且將位元線連接P型浮體。藉此,提供可保持臨界電壓穩定的垂直式電晶體。
简体摘要：一种内存设备之垂直式晶体管制造方法,步骤包括:界定半导体基板之活动区,于活动区外成形浅沟槽式隔绝结构;蚀刻活动区且于蚀刻处向内成形闸极介电层及定位闸极;成形垂直于定位闸极的字符线,且于字符线外缘成形间隔层;实施离子植入,使位于字符线的两侧活动区分别为N型区域以及P型区域;活动区N型区域上成形N型浮体,活动区P型区域上成形P型浮体;成形垂直于字符线方向的电源线,且将电源线连接N型浮体;成形垂直于电源线方向的比特线,且将比特线连接P型浮体。借此,提供可保持临界电压稳定的垂直式晶体管。

5. 发明专利

TW201138069A 具有環繞字元線結構之記憶體單元及其製作方法 A MEMORY CELL WITH SURROUNDING WORD LINE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：具有环绕字符线结构之内存单元及其制作方法 A MEMORY CELL WITH SURROUNDING WORD LINE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201138069A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099112970
申请日：2010-04-23
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：李宗翰 , 黃仲麟 , 劉獻文
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10891 , H01L21/26586 , H01L27/10876 , H01L29/66666 , H01L29/7827
摘要：一種具有環繞字元線結構之記憶體單元,包含:一主動區域;複數個成型於該主動區域中,且沿第一方向成型之第一溝槽,每一該些第一溝槽的一側邊係成型有一位元線;複數個成型於該主動區域中,且沿第二方向成型之第二溝槽,每一該些第二溝槽的兩個側邊係分別成型有一字元線;以及複數個電晶體,其係成型於主動區域,且每一該些電晶體係由兩個該字元線與一個該位元線所控制,而該些字元線會形成該環繞字元線結構,以提高電晶體之開關速度。
简体摘要：一种具有环绕字符线结构之内存单元,包含:一主动区域;复数个成型于该主动区域中,且沿第一方向成型之第一沟槽,每一该些第一沟槽的一侧边系成型有一比特线;复数个成型于该主动区域中,且沿第二方向成型之第二沟槽,每一该些第二沟槽的两个侧边系分别成型有一字符线;以及复数个晶体管,其系成型于主动区域,且每一该些晶体管系由两个该字符线与一个该比特线所控制,而该些字符线会形成该环绕字符线结构,以提高晶体管之开关速度。

6. 发明专利

TW201205718A 半導體電子元件結構及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 审中-公开
简体标题：半导体电子组件结构及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TW201205718A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW099123460
申请日：2010-07-16
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：李宗翰 , 黃仲麟 , 劉獻文
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66621 , H01L29/78
摘要：一種半導體電子元件結構,包括:一矽基底、一氮化物層、二淺溝槽隔離區以及一應變氮化物,該矽基底具有二摻雜區,該氮化物層設於該矽基底上,該矽基底及該氮化物層貫設有一凹槽,該二摻雜區位於該凹槽之二側,該凹槽之一端形成有一尺寸較該凹槽大之蝕刻空間,該矽基底之頂部形成一凸塊,該二淺溝槽隔離區設於該矽基底及該凹槽之相對二側,該應變氮化物設於該凹槽內且貼附於該矽基底、該氮化物層及該二淺溝槽隔離區之側壁,該二摻雜區係涵蓋該應變氮化物;藉此,可提升半導體電子元件的操作效能,增加驅動電流,並減少漏電流產生。本發明另提供一種半導體電子元件結構製造方法。
简体摘要：一种半导体电子组件结构,包括:一硅基底、一氮化物层、二浅沟槽隔离区以及一应变氮化物,该硅基底具有二掺杂区,该氮化物层设于该硅基底上,该硅基底及该氮化物层贯设有一凹槽,该二掺杂区位于该凹槽之二侧,该凹槽之一端形成有一尺寸较该凹槽大之蚀刻空间,该硅基底之顶部形成一凸块,该二浅沟槽隔离区设于该硅基底及该凹槽之相对二侧,该应变氮化物设于该凹槽内且贴附于该硅基底、该氮化物层及该二浅沟槽隔离区之侧壁,该二掺杂区系涵盖该应变氮化物;借此,可提升半导体电子组件的操作性能,增加驱动电流,并减少漏电流产生。本发明另提供一种半导体电子组件结构制造方法。

7. 发明专利

TW201205597A 記憶體佈局結構及記憶體結構 MEMORY LAYOUT STRUCTURE AND MEMORY STRUCTURE 审中-公开
简体标题：内存布局结构及内存结构 MEMORY LAYOUT STRUCTURE AND MEMORY STRUCTURE
公开(公告)号：TW201205597A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW099123514
申请日：2010-07-16
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：李宗翰 , 黃仲麟 , 劉獻文
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L27/0207 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10882 , H01L29/4236
摘要：本發明揭示之記憶體佈局結構,其主動區的長邊方向與主動區排列的列長方向呈現一非零及非90度的夾角,位於主動區陣列上方的位元線與字元線互相交錯,位元線位於主動區列的上方。位元線接觸插塞或節點接觸插塞可整個位於源/汲極區上,或可部分沿著主動區基底的邊緣側壁往下延伸,形成側壁接觸。自對準節點接觸插塞則位於兩兩位元線與兩兩字元線之間。
简体摘要：本发明揭示之内存布局结构,其主动区的长边方向与主动区排列的列长方向呈现一非零及非90度的夹角,位于主动区数组上方的比特线与字符线互相交错,比特线位于主动区列的上方。比特线接触插塞或节点接触插塞可整个位于源/汲极区上,或可部分沿着主动区基底的边缘侧壁往下延伸,形成侧壁接触。自对准节点接触插塞则位于两两比特线与两两字符线之间。

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