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    • 2. 发明专利
    • 橫向雙擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)裝置 LATERAL DMOS WITH CAPACITIVELY DEPLETED DRIFT REGION
    • 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)设备 LATERAL DMOS WITH CAPACITIVELY DEPLETED DRIFT REGION
    • TW201244102A
    • 2012-11-01
    • TW101108861
    • 2012-03-15
    • 茂力科技股份有限公司
    • 張磊向泱
    • H01L
    • H01L29/7835H01L29/407H01L29/42368H01L29/66659
    • 本申請公開了一種LDMOS裝置,包括第一導電類型的半導體基底;在半導體基底中形成的相互鄰接的第一導電類型的體區和第二導電類型的漂移區;在體區中形成的第二導電類型的源極;在漂移區中形成的第二導電類型的汲極;位於源極和汲極之間並且與源極鄰接的閘介質層;以及位於閘介質層上方的閘極,其中,所述第一導電類型與所述第二導電類型相反,其特徵在於,所述LDMOS裝置還包括電容區域,所述電容區域位於所述源極和汲極之間的漂移區中,包括摻雜多晶矽區域以及將多晶矽區域與漂移區隔開的氧化物層。該LDMOS裝置可以在提高擊穿電壓的同時獲得較小的導通電阻。
    • 本申请公开了一种LDMOS设备,包括第一导电类型的半导体基底;在半导体基底中形成的相互邻接的第一导电类型的体区和第二导电类型的漂移区;在体区中形成的第二导电类型的源极;在漂移区中形成的第二导电类型的汲极;位于源极和汲极之间并且与源极邻接的闸介质层;以及位于闸介质层上方的闸极,其中,所述第一导电类型与所述第二导电类型相反,其特征在于,所述LDMOS设备还包括电容区域,所述电容区域位于所述源极和汲极之间的漂移区中,包括掺杂多晶硅区域以及将多晶硅区域与漂移区隔开的氧化物层。该LDMOS设备可以在提高击穿电压的同时获得较小的导通电阻。