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1. 发明专利

TW201403618A 記憶體中的充電泵冗餘技術审中-公开
简体标题：内存中的充电泵冗余技术
公开(公告)号：TW201403618A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102106684
申请日：2013-02-26
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：丹澤透 , TANZAWA, TORU , 田中友晴 , TANAKA, TOMOHARU
IPC分类号： G11C5/14
CPC分类号： G06F1/32 , G11C5/145 , G11C16/30 , G11C29/702
摘要：一種積體電路包括一用以利用來自一電力輸入之在一負載電壓的一負載電流的電路區塊，及兩個或兩個以上的充電泵陣列。該等充電泵陣列之輸出耦接至該電路區塊之該電力輸入。該積體電路包括一或多個的可修改元件，其等用以停用該等兩個或兩個以上的充電泵陣列中之一或多者。
简体摘要：一种集成电路包括一用以利用来自一电力输入之在一负载电压的一负载电流的电路区块，及两个或两个以上的充电泵数组。该等充电泵数组之输出耦接至该电路区块之该电力输入。该集成电路包括一或多个的可修改组件，其等用以停用该等两个或两个以上的充电泵数组中之一或多者。

2. 发明专利

TWI605465B 記憶體中的充電泵冗餘技術有权
简体标题：内存中的充电泵冗余技术
公开(公告)号：TWI605465B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW102106684
申请日：2013-02-26
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：丹澤透 , TANZAWA, TORU , 田中友晴 , TANAKA, TOMOHARU
IPC分类号： G11C5/14
CPC分类号： G06F1/32 , G11C5/145 , G11C16/30 , G11C29/702

3. 发明专利

TW201719665A 於三維反及記憶體中每串列多個區塊之技術审中-公开
简体标题：于三维反及内存中每串行多个区块之技术
公开(公告)号：TW201719665A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105121910
申请日：2016-07-12
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：合田明 , GODA, AKIRA , 伍爾史騰霍姆葛拉漢R , WOLSTENHOLME, GRAHAM RICHARD , 田中友晴 , TANAKA, TOMOHARU
IPC分类号： G11C16/14 , H01L27/115
CPC分类号： G11C16/16 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3495
摘要：實施例說明供用於一裝置之技術和組配，該裝置包括具有複數個記憶胞串列之一個三維(3D)記憶體陣列，其中個別的串列可以具有對應至不同的記憶體區塊(例如，每串列有複數個記憶體區塊)之記憶胞。例如，一串列之一第一記憶胞集合係可以包括在一第一記憶體區塊中，且該串列之一第二記憶胞集合係可以包括在一第二記憶體區塊中。記憶體設備可以包括配置在與該第一記憶體區塊相關聯的字組線及與該第二記憶體區塊相關聯的字組線之間的分離器字組線。該等分離器字組線可以在該記憶體設備之各種操作期間接收不同的偏壓。此外，一字組線偏壓方案可以被選擇以基於該第二記憶體區塊是否被程式規劃而程式規劃該第一記憶體區塊。其他實施例可以被說明及/或請求其專利權益。
简体摘要：实施例说明供用于一设备之技术和组配，该设备包括具有复数个记忆胞串行之一个三维(3D)内存数组，其中个别的串行可以具有对应至不同的内存区块(例如，每串行有复数个内存区块)之记忆胞。例如，一串行之一第一记忆胞集合系可以包括在一第一内存区块中，且该串行之一第二记忆胞集合系可以包括在一第二内存区块中。内存设备可以包括配置在与该第一内存区块相关联的字组线及与该第二内存区块相关联的字组线之间的分离器字组线。该等分离器字组线可以在该内存设备之各种操作期间接收不同的偏压。此外，一字组线偏压方案可以被选择以基于该第二内存区块是否被进程规划而进程规划该第一内存区块。其他实施例可以被说明及/或请求其专利权益。

4. 发明专利

TWI695379B 於三維反及記憶體中每串列多個區塊之技術有权
简体标题：于三维反及内存中每串行多个区块之技术
公开(公告)号：TWI695379B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105121910
申请日：2016-07-12
申请人：美商英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：合田明 , GODA, AKIRA , 伍爾史騰霍姆葛拉漢R , WOLSTENHOLME, GRAHAM RICHARD , 田中友晴 , TANAKA, TOMOHARU
IPC分类号： G11C16/14 , H01L27/115

5. 发明专利

TWI559326B 反及型規劃技術有权
简体标题：反及型规划技术
公开(公告)号：TWI559326B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW099140370
申请日：2010-11-23
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：合田明 , GODA, AKIRA , 拜克勒安德魯 , BICKLER, ANDREW , 劉海濤 , LIU, HAITAO , 田中友晴 , TANAKA, TOMOHARU
IPC分类号： G11C8/08 , G11C7/22 , G11C11/00
CPC分类号： G11C16/3418 , G11C16/0408 , G11C16/06

6. 发明专利

TW201131580A 反及型規劃技術 NAND PROGRAMMING TECHNIQUE 审中-公开
简体标题：反及型规划技术 NAND PROGRAMMING TECHNIQUE
公开(公告)号：TW201131580A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099140370
申请日：2010-11-23
申请人：英特爾公司
发明人：合田明 , 拜克勒安德魯 , 劉海濤 , 田中友晴
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/3418 , G11C16/0408 , G11C16/06
摘要：若與要被規劃的記憶體晶胞相關聯之一資料型樣形成一雙邊行條(CS2)資料型樣,則一NAND記憶體陣列藉由施加作為一雙脈衝規劃脈衝的一規劃電壓Vpgm而被規劃。該CS2資料型樣包含直接介於要被規劃的二記憶體晶胞之間的一不被規劃記憶體晶胞,使得與該不被規劃的記憶體晶胞相關聯之一通道具有一外加增高電壓,且與該要被規劃的二記憶體晶胞相關聯之通道具有一外加規劃電壓。該等二記憶體晶胞中之第一記憶體晶胞藉由第一規劃電壓脈衝而被規劃,且第二記憶體晶胞藉由第二規劃電壓脈衝而被規劃。若一CS2資料型樣未形成,則一規劃電壓Vpgm被施加作為一單一脈衝。
简体摘要：若与要被规划的内存晶胞相关联之一数据型样形成一双边行条(CS2)数据型样,则一NAND内存数组借由施加作为一双脉冲规划脉冲的一规划电压Vpgm而被规划。该CS2数据型样包含直接介于要被规划的二内存晶胞之间的一不被规划内存晶胞,使得与该不被规划的内存晶胞相关联之一信道具有一外加增高电压,且与该要被规划的二内存晶胞相关联之信道具有一外加规划电压。该等二内存晶胞中之第一内存晶胞借由第一规划电压脉冲而被规划,且第二内存晶胞借由第二规划电压脉冲而被规划。若一CS2数据型样未形成,则一规划电压Vpgm被施加作为一单一脉冲。

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