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1. 发明专利

TWI439038B 施加能量於巴克紙的電能產生系統有权
简体标题：施加能量于巴克纸的电能产生系统
公开(公告)号：TWI439038B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW100135272
申请日：2011-09-29
申请人：苗新元 , MIAO, HSIN YUAN
发明人：苗新元 , MIAO, HSIN YUAN , 姜晴耀 , CHIANG, CHING YAO , 許瑋仁 , HSU, WEI JEN , 陳奕志 , CHEN, YI CHIH
IPC分类号： H02N11/00

2. 发明专利

TWI443013B 一種奈米碳管基板及其應用有权
简体标题：一种奈米碳管基板及其应用
公开(公告)号：TWI443013B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW100109551
申请日：2011-03-21
申请人：苗新元 , MIAO, HSIN YUAN
发明人：苗新元 , MIAO, HSIN YUAN , 姜晴耀 , JIANG, CING YAO , 林宏儒 , LIN, HONG RU
IPC分类号： B32B19/00 , C01B31/02 , H01L35/00

3. 发明专利

TW201315131A 施加能量於巴克紙的電能產生系統审中-公开
简体标题：施加能量于巴克纸的电能产生系统
公开(公告)号：TW201315131A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW100135272
申请日：2011-09-29
申请人：苗新元 , MIAO, HSIN YUAN
发明人：苗新元 , MIAO, HSIN YUAN , 姜晴耀 , CHIANG, CHING YAO , 許瑋仁 , HSU, WEI JEN , 陳奕志 , CHEN, YI CHIH
IPC分类号： H02N11/00
摘要：一種施加能量於巴克紙的電能產生系統，係設於一產生器周圍，該巴克紙由奈米碳管經漩渦運動排列而成，使表面具有漩渦線，該巴克紙能選擇再以化學反應於至少一表面形成一鍍層以構成一類金屬材料，該巴克紙並於二表面連接一上層電極與一下層電極，使產生器施加能量於巴克紙，進而使巴克紙內的正、負電荷分離，並將正、負電荷分別移動至上層電極與下層電極，其中該巴克紙的上層電極與下層電極接上負載時，將有電能流出，可以對負載作功。
简体摘要：一种施加能量于巴克纸的电能产生系统，系设于一产生器周围，该巴克纸由奈米碳管经漩涡运动排列而成，使表面具有漩涡线，该巴克纸能选择再以化学反应于至少一表面形成一镀层以构成一类金属材料，该巴克纸并于二表面连接一上层电极与一下层电极，使产生器施加能量于巴克纸，进而使巴克纸内的正、负电荷分离，并将正、负电荷分别移动至上层电极与下层电极，其中该巴克纸的上层电极与下层电极接上负载时，将有电能流出，可以对负载作功。

4. 发明专利

TW200616048A 一種以銅合金基板成長奈米碳管之方法 ABSTRACT OF THE DISCLOSURE 失效
简体标题：一种以铜合金基板成长奈米碳管之方法 ABSTRACT OF THE DISCLOSURE
公开(公告)号：TW200616048A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW093133415
申请日：2004-11-03
申请人：苗新元
发明人：苗新元
IPC分类号： H01L , C01B , B82B
摘要：一種以銅合金基板成長奈米碳管之方法，係以銅為銅基材(matrix)，並在銅基材中溶入催化劑(鐵、鈷及鎳)以形成一合金基板(substrate)，其奈米碳管製造時，將合金基板置入反應腔體之樣品載台上，並以機械泵將反應腔體中之氣壓抽至10^–3托以下，再將反應氣體通入，並維持總壓在3托附近；其合金基板反應溫度850～950℃係由鎢熱阻絲來提供，次之以一微波產生器提供反應氣體在進入反應腔體前之預解離動作，更又以一射頻產生器以100～600W的功率充份解離反應氣體，再由射頻產生器所產生之自我偏壓(self bias)–150V～–450V之來導引成長的筆直度，並維持穩定20分鐘來成長奈米碳管之方法。
简体摘要：一种以铜合金基板成长奈米碳管之方法，系以铜为铜基材(matrix)，并在铜基材中溶入催化剂(铁、钴及镍)以形成一合金基板(substrate)，其奈米碳管制造时，将合金基板置入反应腔体之样品载台上，并以机械泵将反应腔体中之气压抽至10^–3托以下，再将反应气体通入，并维持总压在3托附近；其合金基板反应温度850～950℃系由钨热阻丝来提供，次之以一微波产生器提供反应气体在进入反应腔体前之预解离动作，更又以一射频产生器以100～600W的功率充份解离反应气体，再由射频产生器所产生之自我偏压(self bias)–150V～–450V之来导引成长的笔直度，并维持稳定20分钟来成长奈米碳管之方法。

5. 发明专利

TW201238753A 一種奈米碳管基板及其應用 A CARBON NANOTUBE PLATE AND APPLICATION THEREOF 审中-公开
简体标题：一种奈米碳管基板及其应用 A CARBON NANOTUBE PLATE AND APPLICATION THEREOF
公开(公告)号：TW201238753A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100109551
申请日：2011-03-21
申请人：苗新元
发明人：苗新元 , 姜晴耀 , 林宏儒
IPC分类号： B32B , C01B , H01L
摘要：本發明提出一種奈米碳管基板。該基板包括:一第一奈米碳管層,其由複數個第一奈米碳管所構成;以及一第二奈米碳管層,其設置於該第一奈米碳管層之上。其中,該第二奈米碳管層是由複數個第二奈米碳管所構成。該複數個第二奈米碳管有規則地排列在該第一奈米碳管層上。至少有二個第二奈米碳管是沿著曲線來排列。該第二奈米碳管層之表面具有一漩渦式紋路。
简体摘要：本发明提出一种奈米碳管基板。该基板包括:一第一奈米碳管层,其由复数个第一奈米碳管所构成;以及一第二奈米碳管层,其设置于该第一奈米碳管层之上。其中,该第二奈米碳管层是由复数个第二奈米碳管所构成。该复数个第二奈米碳管有守则地排列在该第一奈米碳管层上。至少有二个第二奈米碳管是沿着曲线来排列。该第二奈米碳管层之表面具有一漩涡式纹路。

6. 发明专利

TW201236968A 一種具有一奈米碳管層的基板及其製造方法 A PLATE HAVING A CARBON NANOTUBE LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：一种具有一奈米碳管层的基板及其制造方法 A PLATE HAVING A CARBON NANOTUBE LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201236968A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW100107462
申请日：2011-03-04
申请人：苗新元
发明人：苗新元 , 徐少軒 , 林宏儒
IPC分类号： C01B
摘要：一種具有一奈米碳管層的基板及其製造方法；首先，提供一奈米碳管溶液；提供一基底；將該奈米碳管溶液覆蓋該基底；以真空過濾法，形成一奈米碳管層於該基底上；以一有機化合物溶液來清洗該奈米碳管層；以水來清洗該奈米碳管層；最後，將水從該奈米碳管層中移除；此外，在真空過濾之步驟中，使該奈米碳管溶液內產生一漩渦。
简体摘要：一种具有一奈米碳管层的基板及其制造方法；首先，提供一奈米碳管溶液；提供一基底；将该奈米碳管溶液覆盖该基底；以真空过滤法，形成一奈米碳管层于该基底上；以一有机化合物溶液来清洗该奈米碳管层；以水来清洗该奈米碳管层；最后，将水从该奈米碳管层中移除；此外，在真空过滤之步骤中，使该奈米碳管溶液内产生一漩涡。

7. 发明专利

TWI278919B 一種以銅合金基板成長奈米碳管之方法 ABSTRACT OF THE DISCLOSURE 失效
简体标题：一种以铜合金基板成长奈米碳管之方法 ABSTRACT OF THE DISCLOSURE
公开(公告)号：TWI278919B
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：TW093133415
申请日：2004-11-03
申请人：苗新元
发明人：苗新元
IPC分类号： H01L , C01B , B82B
摘要：一種以銅合金基板成長奈米碳管之方法，係以銅為銅基材(matrix)，並在銅基材中溶入催化劑(鐵、鈷及鎳)以形成一合金基板(substrate)，其奈米碳管製造時，將合金基板置入反應腔體之樣品載台上，並以機械泵將反應腔體中之氣壓抽至10-3托以下，再將反應氣體通入，並維持總壓在3托附近；其合金基板反應溫度850~950℃係由鎢熱阻絲來提供，次之以一微波產生器提供反應氣體在進入反應腔體前之預解離動作，更又以一射頻產生器以100~600W的功率充份解離反應氣體，再由射頻產生器所產生之自我偏壓(self bias)-150V~-450V之來導引成長的筆直度，並維持穩定20分鐘來成長奈米碳管之方法。
简体摘要：一种以铜合金基板成长奈米碳管之方法，系以铜为铜基材(matrix)，并在铜基材中溶入催化剂(铁、钴及镍)以形成一合金基板(substrate)，其奈米碳管制造时，将合金基板置入反应腔体之样品载台上，并以机械泵将反应腔体中之气压抽至10-3托以下，再将反应气体通入，并维持总压在3托附近；其合金基板反应温度850~950℃系由钨热阻丝来提供，次之以一微波产生器提供反应气体在进入反应腔体前之预解离动作，更又以一射频产生器以100~600W的功率充份解离反应气体，再由射频产生器所产生之自我偏压(self bias)-150V~-450V之来导引成长的笔直度，并维持稳定20分钟来成长奈米碳管之方法。

8. 发明专利

TW201240914A 一種奈米碳管基板及其應用 A CARBON NANOTUBE PLATE AND APPLICATION THEREOF 审中-公开
简体标题：一种奈米碳管基板及其应用 A CARBON NANOTUBE PLATE AND APPLICATION THEREOF
公开(公告)号：TW201240914A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100111996
申请日：2011-04-07
申请人：苗新元
发明人：苗新元 , 邱中立
IPC分类号： C01B , C25D , H01L
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：本發明提出一種奈米碳管基板。該基板包括：一第一奈米碳管層，其由複數個第一奈米碳管所構成；以及一第二奈米碳管層，其設置於該第一奈米碳管層之上。其中，該第二奈米碳管層是由複數個第二奈米碳管所構成。該複數個第二奈米碳管有規則地排列在該第一奈米碳管層上。至少有二個第二奈米碳管是沿著曲線來排列。該第二奈米碳管層之表面具有一漩渦式紋路。
简体摘要：本发明提出一种奈米碳管基板。该基板包括：一第一奈米碳管层，其由复数个第一奈米碳管所构成；以及一第二奈米碳管层，其设置于该第一奈米碳管层之上。其中，该第二奈米碳管层是由复数个第二奈米碳管所构成。该复数个第二奈米碳管有守则地排列在该第一奈米碳管层上。至少有二个第二奈米碳管是沿着曲线来排列。该第二奈米碳管层之表面具有一漩涡式纹路。

9. 发明专利

TW200618908A 奈米碳管為放電表面拋光之應用裝置失效
简体标题：奈米碳管为放电表面抛光之应用设备
公开(公告)号：TW200618908A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW093137866
申请日：2004-12-08
申请人：苗新元
发明人：苗新元
IPC分类号： B23H
摘要：一種奈米碳管為放電表面拋光之應用裝置，其係為一電體晶放電之電路系統，而其有一訊號產生器，係為可產生方波的積體電路；一功率放大器，以隔離控制端與功率端；一工作部，具有一分別為放置欲被加工之工件陽極銅合金基板，以及根生有一個(根)以上多層壁奈米碳管的陰極銅合金基板；而藉由電路系統之訊號產生器，可控制放電加工時產生方波的波型，以及控制放電加工時奈米碳管尖端所須的電流量，可使該多層壁奈米碳管工具電極達到奈米級微加工之用。
简体摘要：一种奈米碳管为放电表面抛光之应用设备，其系为一电体晶放电之电路系统，而其有一信号产生器，系为可产生方波的集成电路；一功率放大器，以隔离控制端与功率端；一工作部，具有一分别为放置欲被加工之工件阳极铜合金基板，以及根生有一个(根)以上多层壁奈米碳管的阴极铜合金基板；而借由电路系统之信号产生器，可控制放电加工时产生方波的波型，以及控制放电加工时奈米碳管尖端所须的电流量，可使该多层壁奈米碳管工具电极达到奈米级微加工之用。

10. 发明专利

TWI273939B 奈米碳管為放電表面拋光之應用裝置失效
简体标题：奈米碳管为放电表面抛光之应用设备
公开(公告)号：TWI273939B
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：TW093137866
申请日：2004-12-08
申请人：苗新元
发明人：苗新元
IPC分类号： B23H
摘要：一種奈米碳管為放電表面拋光之應用裝置，其係為一電體晶放電之電路系統，而其有一訊號產生器，係為可產生方波的積體電路；一功率放大器，以隔離控制端與功率端；一工作部，具有一分別為放置欲被加工之工件陽極銅合金基板，以及根生有一個(根)以上多層壁奈米碳管的陰極銅合金基板；而藉由電路系統之訊號產生器，可控制放電加工時產生方波的波型，以及控制放電加工時奈米碳管尖端所須的電流量，可使該多層壁奈米碳管工具電極達到奈米級微加工之用。
简体摘要：一种奈米碳管为放电表面抛光之应用设备，其系为一电体晶放电之电路系统，而其有一信号产生器，系为可产生方波的集成电路；一功率放大器，以隔离控制端与功率端；一工作部，具有一分别为放置欲被加工之工件阳极铜合金基板，以及根生有一个(根)以上多层壁奈米碳管的阴极铜合金基板；而借由电路系统之信号产生器，可控制放电加工时产生方波的波型，以及控制放电加工时奈米碳管尖端所须的电流量，可使该多层壁奈米碳管工具电极达到奈米级微加工之用。

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