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    • 1. 发明专利
    • 用於功率電晶體的補償電路和方法
    • 用于功率晶体管的补偿电路和方法
    • TW478244B
    • 2002-03-01
    • TW089120775
    • 2000-11-01
    • 艾瑞克生股份有限公司
    • 辛西雅 布雷爾亨利克 斯卓登
    • H03F
    • H03F3/191H03F1/301H03F2200/15H03F2200/18H03F2200/456
    • 本發明揭示一種用於偏壓一功率電晶體而抵消其操作特性中不需要之變動之電路及方法。該電路包括具有一與功率電晶體之架構相同的裝置架構之校正電晶體。此外,校正電晶體之一或多個尺寸相對於之功率電晶體之相對應尺寸來縮減,校正電晶體施加偏壓使得校正電晶體與功率電晶體之汲極電流比與其尺寸比相同。以此方式,校正電晶體之輸出乃依據功率電晶體之操作特性中一不需要之變動而來。校正電晶體之輸出端子被放大及耦合至功率電晶體之控制端子,使得偏壓信號施加至其控制端子將功率電晶體操作特性中不需要之變動予以抵消。
    • 本发明揭示一种用于偏压一功率晶体管而抵消其操作特性中不需要之变动之电路及方法。该电路包括具有一与功率晶体管之架构相同的设备架构之校正晶体管。此外,校正晶体管之一或多个尺寸相对于之功率晶体管之相对应尺寸来缩减,校正晶体管施加偏压使得校正晶体管与功率晶体管之汲极电流比与其尺寸比相同。以此方式,校正晶体管之输出乃依据功率晶体管之操作特性中一不需要之变动而来。校正晶体管之输出端子被放大及耦合至功率晶体管之控制端子,使得偏压信号施加至其控制端子将功率晶体管操作特性中不需要之变动予以抵消。