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1. 发明专利

TW485626B 高阻抗匹配之射頻電源電晶體有权
简体标题：高阻抗匹配之射频电源晶体管
公开(公告)号：TW485626B
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：TW089111063
申请日：2000-06-07
申请人：艾瑞克生股份有限公司
发明人：羅勃巴圖拉 , 詹姆斯莫傑爾 , 湯瑪斯莫勒
IPC分类号： H01L
摘要：一種高頻LDMOS電源電晶體元件，包含介電基底附著其上的導電鑲嵌凸緣，該基底內部形成一個窗口，外露該鑲嵌凸緣之一部份。一種附著於該鑲嵌凸緣之該外露部份的半導體粒子，該粒子具有許多製於其上之電晶體，該電晶體有共同的電極輸入與輸出端子。一條輸入引線附著至該基底並且介由輸入傳輸路徑電氣耦合與各別之電極輸入端子電氣耦合，該傳輸路徑包含一置於該基底之上的輸入阻抗匹配元件。一輸出引線附著至該基底並介由輸出傳輸路徑與各別之電極輸出端子電氣耦合，該傳輸路徑包含一置於該基底之上的輸出阻抗匹配元件。在較佳具體實施例中，該輸入及輸出阻抗匹配元件包含製於基底之上各別之分支(shunt stub)。直流偏壓與溫度補償電路亦可置於該基底之上並且與該輸入傳輸路徑電氣耦合。
简体摘要：一种高频LDMOS电源晶体管组件，包含介电基底附着其上的导电镶嵌凸缘，该基底内部形成一个窗口，外露该镶嵌凸缘之一部份。一种附着于该镶嵌凸缘之该外露部份的半导体粒子，该粒子具有许多制于其上之晶体管，该晶体管有共同的电极输入与输出端子。一条输入引线附着至该基底并且介由输入传输路径电气耦合与各别之电极输入端子电气耦合，该传输路径包含一置于该基底之上的输入阻抗匹配组件。一输出引线附着至该基底并介由输出传输路径与各别之电极输出端子电气耦合，该传输路径包含一置于该基底之上的输出阻抗匹配组件。在较佳具体实施例中，该输入及输出阻抗匹配组件包含制于基底之上各别之分支(shunt stub)。直流偏压与温度补偿电路亦可置于该基底之上并且与该输入传输路径电气耦合。

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