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1. 发明专利

TW201140865A 光混合器及其之使用 PHOTONIC MIXER AND USE THEREOF 审中-公开
公开(公告)号：TW201140865A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099134825
申请日：2010-10-13
申请人：艾普哲馬公司 , 布魯塞爾自由大學
发明人：凡德坦樸沃德 , 凡尼文胡丹尼爾 , 庫伊克馬特
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01S7/4913 , G01S7/487 , G01S17/06 , H01L27/14609 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/103
摘要：光混合器包含由用以將多數載子電流注入半導體基板(1)之注入接觸區域(3、4)以及用以收集光電流之偵測器區域(7、8)組成之配對。注入接觸區域(3、4)以高於半導體基板(1)之摻雜物濃度摻雜第一導電型態(p + )之摻雜物。偵測器區域(7、8)摻雜與該第一導電型態相反之第二導電型態(n + )之摻雜物且與半導體基板(1)間具有接面(11、12)，半導體基板(1)在該接面(11、12)周圍之區域係空乏基板區域(101、102)。該配對更包含該第一導電型態(p - )之場域整形區(13、14)，其界定該配對之側邊且具有高於該半導體基板(1)摻雜物濃度之摻雜物濃度，例如，介於半導體基板(1)和注入接觸區域(3、4)的摻雜物濃度之間，該場域整形區(13、14)係設計以側向地限制該空乏基板區域(101、102)。
简体摘要：光混合器包含由用以将多数载子电流注入半导体基板(1)之注入接触区域(3、4)以及用以收集光电流之侦测器区域(7、8)组成之配对。注入接触区域(3、4)以高于半导体基板(1)之掺杂物浓度掺杂第一导电型态(p + )之掺杂物。侦测器区域(7、8)掺杂与该第一导电型态相反之第二导电型态(n + )之掺杂物且与半导体基板(1)间具有接面(11、12)，半导体基板(1)在该接面(11、12)周围之区域系空乏基板区域(101、102)。该配对更包含该第一导电型态(p - )之场域整形区(13、14)，其界定该配对之侧边且具有高于该半导体基板(1)掺杂物浓度之掺杂物浓度，例如，介于半导体基板(1)和注入接触区域(3、4)的掺杂物浓度之间，该场域整形区(13、14)系设计以侧向地限制该空乏基板区域(101、102)。

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