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    • 2. 发明专利
    • 極紫外光源
    • 极紫外光源
    • TW201532074A
    • 2015-08-16
    • TW103144295
    • 2014-12-18
    • 艾司摩爾荷蘭股份有限公司ASML NETHERLANDS B. V.
    • 陶 業爭TAO, YEZHENG史圖華特 約翰TSTEWART, JOHN TOM布朗 丹尼爾J WBROWN, DANIEL J. W.
    • G21K5/00H05G2/00
    • H05G2/008H05G2/003
    • 形成一第一留存電漿,其至少部份地重合於一標靶區;提供一標靶,其包括對於標靶區呈現一第一空間性分佈之標靶材料,標靶材料係包括在轉換至電漿時發射EUV光之材料;第一留存電漿係與初始標靶交互作用,該交互作用係使標靶材料從第一空間性分佈重新配置至一經定形標靶分佈,以在標靶區中形成一經定形標靶,經定形標靶係包括被配置呈現經定形空間性分佈之標靶材料;一經放大光束係被導引朝向標靶區,以將經定形標靶中之至少部分的標靶材料轉換至一發射EUV光之電漿;且一第二留存電漿係形成於標靶區中。
    • 形成一第一留存等离子,其至少部份地重合于一标靶区;提供一标靶,其包括对于标靶区呈现一第一空间性分布之标靶材料,标靶材料系包括在转换至等离子时发射EUV光之材料;第一留存等离子系与初始标靶交互作用,该交互作用系使标靶材料从第一空间性分布重新配置至一经定形标靶分布,以在标靶区中形成一经定形标靶,经定形标靶系包括被配置呈现经定形空间性分布之标靶材料;一经放大光束系被导引朝向标靶区,以将经定形标靶中之至少部分的标靶材料转换至一发射EUV光之等离子;且一第二留存等离子系形成于标靶区中。