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1. 发明专利

TW200839951A 半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200839951A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096111014
申请日：2007-03-29
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊進盛 YANG, CHIN SHENG
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體元件的製造方法,包括在一基底的核心電路區與非核心電路區上分別形成一元件,然後,對核心電路區的元件進行一應變製程,但,不對非核心電路區的元件進行應變製程。
简体摘要：一种半导体组件的制造方法,包括在一基底的内核电路区与非内核电路区上分别形成一组件,然后,对内核电路区的组件进行一应变制程,但,不对非内核电路区的组件进行应变制程。

2. 发明专利

TW200931596A 具有雙金屬閘極之互補式金氧半導體元件之製作方法 METHOD FOR MANUFACTURING A CMOS DEVICE HAVING DUAL METAL GATE 审中-公开
简体标题：具有双金属闸极之互补式金属氧化物半导体组件之制作方法 METHOD FOR MANUFACTURING A CMOS DEVICE HAVING DUAL METAL GATE
公开(公告)号：TW200931596A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097101164
申请日：2008-01-11
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林建廷 LIN, CHIEN TING , 程立偉 CHENG, LI WEI , 許哲華 HSU, CHE HUA , 馬光華 MA, GUANG HWA , 楊進盛 YANG, CHIN SHENG
IPC分类号： H01L
摘要：一種具有雙金屬閘極之CMOS元件製作方法,於一具有一第一主動區域、一第二主動區域、與一提供電性隔離之淺溝隔離之基底上分別形成一第一與一第二導電型電晶體;進行一金屬矽化物製程;於該基底上形成一內層介電層;進行一第一蝕刻製程,移除該第一導電型電晶體之部分閘極並形成一開口,該第一導電型電晶體之一高介電常數閘極介電層係暴露於該開口底部,並於該開口內形成一第一金屬層。
简体摘要：一种具有双金属闸极之CMOS组件制作方法,于一具有一第一主动区域、一第二主动区域、与一提供电性隔离之浅沟隔离之基底上分别形成一第一与一第二导电型晶体管;进行一金属硅化物制程;于该基底上形成一内层介电层;进行一第一蚀刻制程,移除该第一导电型晶体管之部分闸极并形成一开口,该第一导电型晶体管之一高介电常数闸极介电层系暴露于该开口底部,并于该开口内形成一第一金属层。

3. 发明专利

TW200917374A 金氧半導體電晶體及其製作方法 METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200917374A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW096137999
申请日：2007-10-11
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊進盛 YANG, CHIN SHENG
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種製作金氧半導體電晶體的方法。首先,提供一半導體基底。接著,於半導體基底上形成一閘極結構。其中,閘極結構具有彼此不平行的一第一條狀部與一第二條狀部。第一條狀部與該第二條狀部之間具有一連接處。之後,於半導體基底上形成一應力覆蓋層,覆蓋於閘極結構上。其後,移除部分之應力覆蓋層,以暴露出第一條狀部與第二條狀部間之連接處。
简体摘要：本发明提供一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法。首先,提供一半导体基底。接着,于半导体基底上形成一闸极结构。其中,闸极结构具有彼此不平行的一第一条状部与一第二条状部。第一条状部与该第二条状部之间具有一连接处。之后,于半导体基底上形成一应力覆盖层,覆盖于闸极结构上。其后,移除部分之应力覆盖层,以暴露出第一条状部与第二条状部间之连接处。

4. 发明专利

TW200843104A 應力層結構 STRESS LAYER STRUCTURE 审中-公开
简体标题：应力层结构 STRESS LAYER STRUCTURE
公开(公告)号：TW200843104A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096114212
申请日：2007-04-23
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊進盛 YANG, CHIN SHENG , 劉志建 LIU, CHIH CHIEN
IPC分类号： H01L
摘要：一種應力層結構,配置於基底上,基底包括元件區與非元件區,元件區包括多個主動區與非主動區,應力層結構包括多個應力圖案、至少一條分隔線及至少一個偽應力圖案。應力圖案分別配置於各個主動區的基底上。分隔線暴露出部分基底,且分隔相鄰兩個應力圖案。偽應力圖案配置於分隔線中的基底上。
简体摘要：一种应力层结构,配置于基底上,基底包括组件区与非组件区,组件区包括多个主动区与非主动区,应力层结构包括多个应力图案、至少一条分隔线及至少一个伪应力图案。应力图案分别配置于各个主动区的基底上。分隔线暴露出部分基底,且分隔相邻两个应力图案。伪应力图案配置于分隔线中的基底上。

5. 发明专利

TW200805576A 動態隨機存取記憶體之電容器接點結構及製程 PICK-UP STRUCTURE FOR DRAM CAPACITORS AND DRAM PROCESS 审中-公开
简体标题：动态随机存取内存之电容器接点结构及制程 PICK-UP STRUCTURE FOR DRAM CAPACITORS AND DRAM PROCESS
公开(公告)号：TW200805576A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW095125196
申请日：2006-07-11
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：蘇怡男 SU, YI NAN , 楊進盛 YANG, CHIN SHENG
IPC分类号： H01L
摘要：一種動態隨機存取記憶體之電容器接點結構及製程,此製程是先提供基底,基底中形成有多個溝渠,各溝渠兩側壁已形成有一介電層,且這些溝渠中包括一第一溝渠。然後,於基底與溝渠的表面上形成一導體層,再於導體層上形成一層圖案化光阻層,圖案化光阻層填入上述溝渠,並覆蓋住第一溝渠。接著,移除暴露出之導體層,而形成多個下電極,然後再移除圖案化光阻層。於各下電極上形成一電容介電層,再於基底上形成多個上電極,其填滿上述各溝渠。繼而,於第一溝渠中之下電極上形成一接觸窗,此接觸窗藉由下電極而電性連接基底。
简体摘要：一种动态随机存取内存之电容器接点结构及制程,此制程是先提供基底,基底中形成有多个沟渠,各沟渠两侧壁已形成有一介电层,且这些沟渠中包括一第一沟渠。然后,于基底与沟渠的表面上形成一导体层,再于导体层上形成一层图案化光阻层,图案化光阻层填入上述沟渠,并覆盖住第一沟渠。接着,移除暴露出之导体层,而形成多个下电极,然后再移除图案化光阻层。于各下电极上形成一电容介电层,再于基底上形成多个上电极,其填满上述各沟渠。继而,于第一沟渠中之下电极上形成一接触窗,此接触窗借由下电极而电性连接基底。

6. 发明专利

TW200939474A 半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200939474A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097108356
申请日：2008-03-10
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊進盛 YANG, CHIN SHENG
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體元件,其包括多個電晶體及多個應變層。各電晶體包括位於基底上的源極區與汲極區,以及位於源極區與汲極區之間之通道區上的閘極結構。這些電晶體之通道長度相同,但,至少有一源極區或汲極區在沿著通道區之通道長度方向上的寬度與其他源極或汲極區在沿著通道長度方向上的寬度不同。這些應變層包括多個第一應變層與多個第二應變層,分別埋在各閘極結構兩側的基底中。各第一應變層在沿著通道長度方向上的第一寬度相同,且各第二應變層在沿著通道長度方向上的第二寬度相同。
简体摘要：一种半导体组件,其包括多个晶体管及多个应变层。各晶体管包括位于基底上的源极区与汲极区,以及位于源极区与汲极区之间之信道区上的闸极结构。这些晶体管之信道长度相同,但,至少有一源极区或汲极区在沿着信道区之信道长度方向上的宽度与其他源极或汲极区在沿着信道长度方向上的宽度不同。这些应变层包括多个第一应变层与多个第二应变层,分别埋在各闸极结构两侧的基底中。各第一应变层在沿着信道长度方向上的第一宽度相同,且各第二应变层在沿着信道长度方向上的第二宽度相同。

7. 发明专利

TWI295834B 半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI295834B
公开(公告)日：2008-04-11
申请号：TW095112371
申请日：2006-04-07
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊進盛 YANG, CHIN SHENG
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提出一種半導體元件，由複合結構與接觸窗所組成的。其中，複合結構由下而上包括一下電極、一絕緣層與一上電極。接觸窗則是電性連接上電極與下電極。複合結構可作為電阻器，利用接觸窗將上電極與下電極電性連接，使得電流的路徑加倍，進而提高其電阻值。
简体摘要：本发明提出一种半导体组件，由复合结构与接触窗所组成的。其中，复合结构由下而上包括一下电极、一绝缘层与一上电极。接触窗则是电性连接上电极与下电极。复合结构可作为电阻器，利用接触窗将上电极与下电极电性连接，使得电流的路径加倍，进而提高其电阻值。

8. 发明专利

TW200917418A 金屬內連線結構及其製造方法 INTERCONNECT STRUCTURE AND FABRICATING METHOD OF THE SAME 失效
简体标题：金属内连接结构及其制造方法 INTERCONNECT STRUCTURE AND FABRICATING METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TW200917418A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW096136781
申请日：2007-10-01
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊進盛 YANG, CHIN SHENG
IPC分类号： H01L
摘要：一種金屬內連線結構的製造方法。此方法包括在基底上形成第一介電層,覆蓋基底的氣隙區與非氣隙區。接著,在氣隙區與非氣隙區上的第一介電層中形成多條金屬內連線,然後,在第一介電層上形成頂蓋層。之後,去除氣隙區上部分的頂蓋層以及部分的第一介電層,以形成多個第一開口,使留在金屬內連線之間之第一介電層形成多個支撐柱。其後,在基底上形成第二介電層覆蓋頂蓋層與第一開口,以在各第一開口中形成氣隙。
简体摘要：一种金属内连接结构的制造方法。此方法包括在基底上形成第一介电层,覆盖基底的气隙区与非气隙区。接着,在气隙区与非气隙区上的第一介电层中形成多条金属内连接,然后,在第一介电层上形成顶盖层。之后,去除气隙区上部分的顶盖层以及部分的第一介电层,以形成多个第一开口,使留在金属内连接之间之第一介电层形成多个支撑柱。其后,在基底上形成第二介电层覆盖顶盖层与第一开口,以在各第一开口中形成气隙。

9. 发明专利

TW200849588A 半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200849588A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW096119756
申请日：2007-06-01
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊進盛 YANG, CHIN SHENG
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體元件,包括位於基底上的電晶體、第一應變層與一第二應變層,其中第一應變層位於電晶體周圍的基底上;一第二應變層,覆蓋電晶體以及未被第一應變層所覆蓋之基底上,且第二應變層與第一應變層所提供之應力不同。
简体摘要：一种半导体组件,包括位于基底上的晶体管、第一应变层与一第二应变层,其中第一应变层位于晶体管周围的基底上;一第二应变层,覆盖晶体管以及未被第一应变层所覆盖之基底上,且第二应变层与第一应变层所提供之应力不同。

10. 发明专利

TW200839452A 去除液體中微氣泡/微粒之方法、液體供應裝置及浸潤式曝光機 METHOD FOR REMOVING MICRO-BUBBLES AND/OR PARTICLES FROM LIQUID, LIQUID SUPPLY APPARATUS AND IMMERSION EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
简体标题：去除液体中微气泡/微粒之方法、液体供应设备及浸润式曝光机 METHOD FOR REMOVING MICRO-BUBBLES AND/OR PARTICLES FROM LIQUID, LIQUID SUPPLY APPARATUS AND IMMERSION EXPOSURE APPARATUS
公开(公告)号：TW200839452A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096110999
申请日：2007-03-29
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊進盛 YANG, CHIN SHENG , 簡文勝 CHIEN, WEN SHENG
IPC分类号： G03F , B01D , B05C
摘要：一種移除微氣泡/微粒的液體供應裝置,包括一管路、一雷射產生器及至少一微氣泡/微粒出口。雷射產生器提供雷射光於該管路之通路上,其提供雷射光的方式可使一微氣泡/微粒阻擋/排斥牆形成,以阻擋與/或排斥管路之液體中的微氣泡與/或微粒。微氣泡/微粒出口與該管路連通,位於微氣泡/微粒阻擋/排斥牆與液體入口之間,且緊鄰微氣泡/微粒阻擋/排斥牆,用以導出微氣泡與/或微粒。
简体摘要：一种移除微气泡/微粒的液体供应设备,包括一管路、一激光产生器及至少一微气泡/微粒出口。激光产生器提供激光光于该管路之通路上,其提供激光光的方式可使一微气泡/微粒阻挡/排斥墙形成,以阻挡与/或排斥管路之液体中的微气泡与/或微粒。微气泡/微粒出口与该管路连通,位于微气泡/微粒阻挡/排斥墙与液体入口之间,且紧邻微气泡/微粒阻挡/排斥墙,用以导出微气泡与/或微粒。

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