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1. 发明专利

TWI550772B 互補式金氧半導體元件的製造方法有权
简体标题：互补式金属氧化物半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TWI550772B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW099129648
申请日：2010-09-02
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP. , 科林研發股份有限公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：葉秋顯 , YEH, CHIU HSIEN , 楊建倫 , YANG, CHAN LON , 簡金城 , CHIEN, CHIN CHENG , 洪連發 , HUNG, LIEN FA , 高昀成 , KAO, YUN CHENG
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L21/306

2. 发明专利

TW201212163A 互補式金氧半導體元件的製造方法 METHOD OF FABRICATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICE 审中-公开
简体标题：互补式金属氧化物半导体组件的制造方法 METHOD OF FABRICATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICE
公开(公告)号：TW201212163A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW099129648
申请日：2010-09-02
申请人：聯華電子股份有限公司 , 科林研發股份有限公司
发明人：葉秋顯 , 楊建倫 , 簡金城 , 洪連發 , 高昀成
IPC分类号： H01L
摘要：一種具有高介電常數介電層與金屬閘極之互補式金氧半導體元件的製造方法。此方法為,在基底中形成隔離結構,以定義出第一型、第二型金氧半導體區。然後,在基底上依序形成界面層與高介電常數介電層。接著,在第一型、第二型金氧半導體區之高介電常數介電層上分別形成第一、第二覆蓋層。隨後,在部分的第一、第二覆蓋層上分別形成第一、第二閘極堆疊結構。然後,進行原位濕式蝕刻步驟,依序使用第一蝕刻液,蝕刻第一、第二覆蓋層,以及使用第二蝕刻液,蝕刻高介電常數介電層與界面層,至暴露出基底。其中,第二蝕刻液中為包含第一蝕刻液之混合蝕刻液。
简体摘要：一种具有高介电常数介电层与金属闸极之互补式金属氧化物半导体组件的制造方法。此方法为,在基底中形成隔离结构,以定义出第一型、第二型金属氧化物半导体区。然后,在基底上依序形成界面层与高介电常数介电层。接着,在第一型、第二型金属氧化物半导体区之高介电常数介电层上分别形成第一、第二覆盖层。随后,在部分的第一、第二覆盖层上分别形成第一、第二闸极堆栈结构。然后,进行原位湿式蚀刻步骤,依序使用第一蚀刻液,蚀刻第一、第二覆盖层,以及使用第二蚀刻液,蚀刻高介电常数介电层与界面层,至暴露出基底。其中,第二蚀刻液中为包含第一蚀刻液之混合蚀刻液。

3. 发明专利

TW527691B 深層自行對準接觸窗之製程失效
简体标题：深层自行对准接触窗之制程
公开(公告)号：TW527691B
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：TW090100062
申请日：2001-01-03
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：洪連發 , 楊建倫
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供了一種深層自行對準接觸窗的製造方法，其包含步驟如下，首先提供一半導體結構，其具有一底材，一接觸窗位置點於底材內。一第一介電層形成於底材上，一第二介電層形成於第一介電層上，一位元線結構位於第二介電層內，且此位元線結構具有阻絕材料覆蓋一導電層之一側壁及一頂蓋層。接著形成一圖案轉移的光阻於第二介電層上，而圖案轉移的光阻定義出一接觸窗區域。利用圖案轉移的光阻為罩幕，以高碳氟比的第一蝕刻製程混合氣體蝕刻第二介電層及第一介電層。其可以堆積較多的高分子於位元線結構的側壁及頂蓋層邊角表面。然後再以第二蝕刻製程混合氣體繼續蝕刻第二介電層及第一介電層，直至暴露出具接觸窗位置點之底材。如此一來，當面對深層自行對準接觸窗的製程時，其可增加高分子在側壁頂邊角的堆積，以避免造成接觸洞與導線的短路。並可去除高分子於開口底部的堆積，避免蝕刻終止層產生，形成接觸短路。且可容許微影製程的些微對準誤差，減少製程的重做或元件的失敗，來降低製造成本。
简体摘要：本发明提供了一种深层自行对准接触窗的制造方法，其包含步骤如下，首先提供一半导体结构，其具有一底材，一接触窗位置点于底材内。一第一介电层形成于底材上，一第二介电层形成于第一介电层上，一比特线结构位于第二介电层内，且此比特线结构具有阻绝材料覆盖一导电层之一侧壁及一顶盖层。接着形成一图案转移的光阻于第二介电层上，而图案转移的光阻定义出一接触窗区域。利用图案转移的光阻为罩幕，以高碳氟比的第一蚀刻制程混合气体蚀刻第二介电层及第一介电层。其可以堆积较多的高分子于比特线结构的侧壁及顶盖层边角表面。然后再以第二蚀刻制程混合气体继续蚀刻第二介电层及第一介电层，直至暴露出具接触窗位置点之底材。如此一来，当面对深层自行对准接触窗的制程时，其可增加高分子在侧壁顶边角的堆积，以避免造成接触洞与导线的短路。并可去除高分子于开口底部的堆积，避免蚀刻终止层产生，形成接触短路。且可容许微影制程的些微对准误差，减少制程的重做或组件的失败，来降低制造成本。

4. 发明专利

TW498491B 金屬鑲嵌製程中藉由光阻回蝕以改善柵欄問題的方法有权
简体标题：金属镶嵌制程中借由光阻回蚀以改善栅栏问题的方法
公开(公告)号：TW498491B
公开(公告)日：2002-08-11
申请号：TW090110458
申请日：2001-05-02
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：洪連發 , 李宗翰 , 王健美
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種在金屬鑲嵌製程中藉由光阻回蝕以改善柵欄問題(fence issue)的方法。首先，提供一底材，在底材上具有第一介電層，其中第一介電層上具有蝕刻終止層，且蝕刻終止層上具有一第二介電層。接著，形成介層洞在第二介電層，蝕刻終止層與第一介電層內，以暴露出底材。然後，填入一光阻於介層洞內與第二介電層上，其中光阻具有一溝渠圖案開口，且溝渠圖案開口位於介層洞上方，其中光阻藉由一蝕刻步驟使得高度低於蝕刻終止層。再者，形成一溝渠在第二介電層內，最後，移除光阻。
简体摘要：本发明揭露一种在金属镶嵌制程中借由光阻回蚀以改善栅栏问题(fence issue)的方法。首先，提供一底材，在底材上具有第一介电层，其中第一介电层上具有蚀刻终止层，且蚀刻终止层上具有一第二介电层。接着，形成介层洞在第二介电层，蚀刻终止层与第一介电层内，以暴露出底材。然后，填入一光阻于介层洞内与第二介电层上，其中光阻具有一沟渠图案开口，且沟渠图案开口位于介层洞上方，其中光阻借由一蚀刻步骤使得高度低于蚀刻终止层。再者，形成一沟渠在第二介电层内，最后，移除光阻。

5. 发明专利

TW476132B 增加氧化物材質對光阻蝕刻選擇性的方法有权
简体标题：增加氧化物材质对光阻蚀刻选择性的方法
公开(公告)号：TW476132B
公开(公告)日：2002-02-11
申请号：TW090100059
申请日：2001-01-03
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：洪連發 , 楊建倫
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種增加絕緣材質對光阻蝕刻選擇比的方法，其方法至少包括提供一絕緣層。一光阻層形成於絕緣層上，其中光阻層具有一接觸窗圖案。一保護層形成於光阻層之一表面上及接觸窗圖案之側壁。以保護層及光阻層為一蝕刻光阻，移除部分絕緣層。其中保護層是於一含有氬氣、氟化甲烷及八氟丁烯氣體混合的環境下沉積的，此保護層可以改善絕緣層對光阻層的蝕刻選擇比。
简体摘要：本发明提供一种增加绝缘材质对光阻蚀刻选择比的方法，其方法至少包括提供一绝缘层。一光阻层形成于绝缘层上，其中光阻层具有一接触窗图案。一保护层形成于光阻层之一表面上及接触窗图案之侧壁。以保护层及光阻层为一蚀刻光阻，移除部分绝缘层。其中保护层是于一含有氩气、氟化甲烷及八氟丁烯气体混合的环境下沉积的，此保护层可以改善绝缘层对光阻层的蚀刻选择比。

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