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1. 发明专利

TWI690988B 半導體製程方法有权
简体标题：半导体制程方法
公开(公告)号：TWI690988B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW106129949
申请日：2017-09-01
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：施宇隆 , SHIH, YU-LUNG , 李昆儒 , LI, KUN-JU , 黃任鵬 , HUANG, REN-PENG , 劉昕融 , LIU, HSIN-JUNG , 薛琮翰 , HSUEH, TSUNG-HAN , 侯朝鐘 , HOU, CHAU-CHUNG , 蔡傅守 , TSAI, FU-SHOU , 陸俊岑 , LU, CHUN-TSEN , 劉書巖 , LIU, SHU-YEN
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304

2. 发明专利

TW202027153A 平坦化的方法审中-公开
公开(公告)号：TW202027153A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108100712
申请日：2019-01-08
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林永溢 , LIN, YONG-YI , 蔡傅守 , TSAI, FU-SHOU , 許力介 , HSU, LI-CHIEH
IPC分类号： H01L21/304
摘要：一種平坦化的方法包含有下述步驟。提供一基底。形成具有一凹陷處的一第一材料層於基底上。依序形成一第二材料層以及一第三材料層覆蓋第一材料層，其中第二材料層以及第一材料層包含不同材料，且第三材料層以及第二材料層包含不同材料。進行一第一平坦化製程，移除第三材料層的一部份，以暴露出第二材料層的一部份，但保留第三材料層覆蓋凹陷處的一第一部份。進行一第二平坦化製程，移除第二材料層的一部份，以暴露出第一材料層的一部份，但保留第三材料層覆蓋凹陷處的一第二部份。進行一第三平坦化製程，移除第一材料層的凹陷處。
简体摘要：一种平坦化的方法包含有下述步骤。提供一基底。形成具有一凹陷处的一第一材料层于基底上。依序形成一第二材料层以及一第三材料层覆盖第一材料层，其中第二材料层以及第一材料层包含不同材料，且第三材料层以及第二材料层包含不同材料。进行一第一平坦化制程，移除第三材料层的一部份，以暴露出第二材料层的一部份，但保留第三材料层覆盖凹陷处的一第一部份。进行一第二平坦化制程，移除第二材料层的一部份，以暴露出第一材料层的一部份，但保留第三材料层覆盖凹陷处的一第二部份。进行一第三平坦化制程，移除第一材料层的凹陷处。

3. 发明专利

TWI675414B 平坦化的方法有权
公开(公告)号：TWI675414B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW108100712
申请日：2019-01-08
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林永溢 , LIN, YONG-YI , 蔡傅守 , TSAI, FU-SHOU , 許力介 , HSU, LI-CHIEH
IPC分类号： H01L21/304

4. 发明专利

TWI700799B 導電結構、包含導電結構之佈局結構以及導電結構之製作方法有权
简体标题：导电结构、包含导电结构之布局结构以及导电结构之制作方法
公开(公告)号：TWI700799B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105132044
申请日：2016-10-04
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：李昆儒 , LI, KUN-JU , 洪國欽 , HUNG, KUO-CHIN , 蔡旻錞 , TSAI, MIN-CHUAN , 蔡緯撰 , TSAI, WEI-CHUAN , 廖羿涵 , LIAO, YI-HAN , 陸俊岑 , LU, CHUN-TSEN , 蔡傅守 , TSAI, FU-SHOU , 許力介 , HSU, LI-CHIEH
IPC分类号： H01L23/522

5. 发明专利

TW201838091A 隔離結構及其製造方法审中-公开
简体标题：隔离结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201838091A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106110418
申请日：2017-03-29
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：黃柏誠 , HUANG, PO-CHENG , 蔡傅守 , TSAI, FU-SHOU , 劉俊良 , LIU, CHUN-LIANG , 龔吉富 , KUNG, JI-FU
IPC分类号： H01L21/762 , H01L29/06
摘要：一種隔離結構的製造方法，其包括以下步驟。於基底上形成罩幕層，罩幕層具有開口，裸露出基底的表面。移除開口所裸露的基底，以在基底中形成溝渠。於溝渠的側壁與底面以及罩幕層上形成介電材料層。對介電材料層進行結構性破壞處理，以形成第一介電層。於溝渠中填入並於第一介電層上覆蓋第二介電層。移除罩幕層上的第一介電層及第二介電層。移除罩幕層。
简体摘要：一种隔离结构的制造方法，其包括以下步骤。于基底上形成罩幕层，罩幕层具有开口，裸露出基底的表面。移除开口所裸露的基底，以在基底中形成沟渠。于沟渠的侧壁与底面以及罩幕层上形成介电材料层。对介电材料层进行结构性破坏处理，以形成第一介电层。于沟渠中填入并于第一介电层上覆盖第二介电层。移除罩幕层上的第一介电层及第二介电层。移除罩幕层。

6. 发明专利

TW201814867A 導電結構、包含導電結構之佈局結構以及導電結構之製作方法审中-公开
简体标题：导电结构、包含导电结构之布局结构以及导电结构之制作方法
公开(公告)号：TW201814867A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105132044
申请日：2016-10-04
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：李昆儒 , LI, KUN-JU , 洪國欽 , HUNG, KUO-CHIN , 蔡旻錞 , TSAI, MIN-CHUAN , 蔡緯撰 , TSAI, WEI-CHUAN , 廖羿涵 , LIAO, YI-HAN , 陸俊岑 , LU, CHUN-TSEN , 蔡傅守 , TSAI, FU-SHOU , 許力介 , HSU, LI-CHIEH
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76883 , H01L23/485 , H01L23/5228 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L29/41758 , H01L29/66628 , H01L29/7833
摘要：一種導電結構，包含有一其上形成有一第一介電層之基底、一形成於該第一介電層內之第一溝渠、一形成於該第一溝渠內之第一阻障層、一形成於該第一阻障層上之第一成核層、一形成於該第一成核層上之第一金屬層、以及一夾設於部份該第一阻障層與部份該第一金屬層之間的高阻抗層。
简体摘要：一种导电结构，包含有一其上形成有一第一介电层之基底、一形成于该第一介电层内之第一沟渠、一形成于该第一沟渠内之第一阻障层、一形成于该第一阻障层上之第一成核层、一形成于该第一成核层上之第一金属层、以及一夹设于部份该第一阻障层与部份该第一金属层之间的高阻抗层。

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