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1. 发明专利

TW201436029A 控制蝕刻製程以形成磊晶結構的方法审中-公开
简体标题：控制蚀刻制程以形成磊晶结构的方法
公开(公告)号：TW201436029A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102109084
申请日：2013-03-14
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：劉家榮 , LIU, CHIA JONG , 吳彥良 , WU, YEN LIANG , 張仲甫 , CHANG, CHUNG FU , 洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 周珮玉 , CHOU, PEI YU , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：一種控制一蝕刻製程以形成一磊晶結構的方法，包含有下述步驟。首先，提供一基底，具有一閘極位於其上。接著，形成一間隙壁於閘極側邊的基底上，以定義磊晶結構的位置。續之，量測間隙壁的一厚度。繼之，根據厚度設定一第一蝕刻製程的蝕刻時間。接續，進行第一蝕刻製程，以形成一凹槽於間隙壁側邊的基底中。而後，形成磊晶結構於凹槽中。
简体摘要：一种控制一蚀刻制程以形成一磊晶结构的方法，包含有下述步骤。首先，提供一基底，具有一闸极位于其上。接着，形成一间隙壁于闸极侧边的基底上，以定义磊晶结构的位置。续之，量测间隙壁的一厚度。继之，根据厚度设置一第一蚀刻制程的蚀刻时间。接续，进行第一蚀刻制程，以形成一凹槽于间隙壁侧边的基底中。而后，形成磊晶结构于凹槽中。

2. 发明专利

TW201436049A 製作半導體元件的方法审中-公开
简体标题：制作半导体组件的方法
公开(公告)号：TW201436049A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102109083
申请日：2013-03-14
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 張仲甫 , CHANG, CHUNG FU , 劉家榮 , LIU, CHIA JONG , 吳彥良 , WU, YEN LIANG , 周珮玉 , CHOU, PEI YU , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/205
摘要：一種製作半導體元件的方法，其步驟包含：提供一基底，該基底包含第一型半導體元件區域以及第二型半導體元件區域、在該基底上共形地形成一第一磊晶遮罩層、在該第一型半導體元件區域的基底中形成一第一型磊晶層、在該基底上共形地形成一第二磊晶遮罩層、在該第二型半導體元件區域的基底中形成第二型磊晶層、以及移除該第二磊晶遮罩層。
简体摘要：一种制作半导体组件的方法，其步骤包含：提供一基底，该基底包含第一型半导体组件区域以及第二型半导体组件区域、在该基底上共形地形成一第一磊晶遮罩层、在该第一型半导体组件区域的基底中形成一第一型磊晶层、在该基底上共形地形成一第二磊晶遮罩层、在该第二型半导体组件区域的基底中形成第二型磊晶层、以及移除该第二磊晶遮罩层。

3. 发明专利

TW201426878A 半導體結構及其製程审中-公开
简体标题：半导体结构及其制程
公开(公告)号：TW201426878A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101149752
申请日：2012-12-25
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：張仲甫 , CHANG, CHUNG FU , 洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 劉家榮 , LIU, CHIA JONG , 吳彥良 , WU, YEN LIANG , 周珮玉 , CHOU, PEI YU , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/772
摘要：一種半導體結構，包含有一閘極、一雙層間隙壁以及二凹槽。閘極位於一基底上。雙層間隙壁位於閘極側邊的基底上。凹槽位於基底以及雙層間隙壁中，其中各凹槽靠近閘極的側壁具有一下尖角以及一上尖角，且下尖角位於基底中而上尖角為一銳角及位於雙層間隙壁中並緊鄰基底。此外，本發明亦提供一種半導體製程，用以形成前述之半導體結構。
简体摘要：一种半导体结构，包含有一闸极、一双层间隙壁以及二凹槽。闸极位于一基底上。双层间隙壁位于闸极侧边的基底上。凹槽位于基底以及双层间隙壁中，其中各凹槽靠近闸极的侧壁具有一下尖角以及一上尖角，且下尖角位于基底中而上尖角为一锐角及位于双层间隙壁中并紧邻基底。此外，本发明亦提供一种半导体制程，用以形成前述之半导体结构。

4. 发明专利

TW201401434A 穿矽導通體結構及其製法审中-公开
简体标题：穿硅导通体结构及其制法
公开(公告)号：TW201401434A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW101122190
申请日：2012-06-21
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN , 蔡郁涵 , TSAI, YU HAN , 楊清利 , YANG, CHING LI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
摘要：本發明提供一種製造穿矽導通體(TSV)結構的方法，其中，於基底上形成第一介電層，將第一介電層予以圖形化而具有至少一第一開口，於第一介電層及基底形成一導通孔，於第一介電層上順應第一介電層的形狀形成一第二介電層，第二介電層具有對應於該至少一第一開口的至少一第二開口，並且第二介電層覆蓋於導通孔的側壁上。然後，於導通孔及至少一第二開口中分別填入一導電材料層。將導電材料層平坦化，以於導通孔中形成一穿矽導通體。並提供一種穿矽導通體結構，其中第二介電層設置於該至少一第一開口中及導通孔的側壁上。
简体摘要：本发明提供一种制造穿硅导通体(TSV)结构的方法，其中，于基底上形成第一介电层，将第一介电层予以图形化而具有至少一第一开口，于第一介电层及基底形成一导通孔，于第一介电层上顺应第一介电层的形状形成一第二介电层，第二介电层具有对应于该至少一第一开口的至少一第二开口，并且第二介电层覆盖于导通孔的侧壁上。然后，于导通孔及至少一第二开口中分别填入一导电材料层。将导电材料层平坦化，以于导通孔中形成一穿硅导通体。并提供一种穿硅导通体结构，其中第二介电层设置于该至少一第一开口中及导通孔的侧壁上。

5. 发明专利

TWI609431B 製作半導體元件的方法有权
简体标题：制作半导体组件的方法
公开(公告)号：TWI609431B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW102109083
申请日：2013-03-14
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 張仲甫 , CHANG, CHUNG FU , 劉家榮 , LIU, CHIA JONG , 吳彥良 , WU, YEN LIANG , 周珮玉 , CHOU, PEI YU , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/205

6. 发明专利

TWI573192B 控制蝕刻製程以形成磊晶結構的方法有权
简体标题：控制蚀刻制程以形成磊晶结构的方法
公开(公告)号：TWI573192B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW102109084
申请日：2013-03-14
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：劉家榮 , LIU, CHIA JONG , 吳彥良 , WU, YEN LIANG , 張仲甫 , CHANG, CHUNG FU , 洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 周珮玉 , CHOU, PEI YU , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN
IPC分类号： H01L21/3065

7. 发明专利

TWI563572B 半導體結構及其製程有权
简体标题：半导体结构及其制程
公开(公告)号：TWI563572B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW101149752
申请日：2012-12-25
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：張仲甫 , CHANG, CHUNG FU , 洪裕祥 , HUNG, YU HSIANG , 劉家榮 , LIU, CHIA JONG , 吳彥良 , WU, YEN LIANG , 周珮玉 , CHOU, PEI YU , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/772

8. 发明专利

TWI534876B 半導體結構製造方法有权
简体标题：半导体结构制造方法
公开(公告)号：TWI534876B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW101121801
申请日：2012-06-18
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 蔡郁涵 , TSAI, YU HAN , 林君玲 , LIN, CHUN LING , 楊清利 , YANG, CHING LI , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/324

9. 发明专利

TWI533405B 穿矽導通體結構及其製法有权
简体标题：穿硅导通体结构及其制法
公开(公告)号：TWI533405B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW101122190
申请日：2012-06-21
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN , 蔡郁涵 , TSAI, YU HAN , 楊清利 , YANG, CHING LI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48

10. 发明专利

TWI521665B 矽貫穿電極以及其形成方法有权
简体标题：硅贯穿电极以及其形成方法
公开(公告)号：TWI521665B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW100148338
申请日：2011-12-23
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：黃國雄 , HUANG, KUO HSIUNG , 邱春茂 , CHIOU, CHUN MAO , 陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 蔡郁涵 , TSAI, YU HAN , 楊清利 , YANG, CHING LI , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN
IPC分类号： H01L23/535 , H01L21/768

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