专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI573189B 氮化物材料移除方法有权
公开(公告)号：TWI573189B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW102107863
申请日：2013-03-06
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳啓陞 , CHEN, CHI SHENG , 陳信琦 , CHEN, SHIN CHI , 李志嶽 , LI, CHIH YUEH , 郭敏郎 , GUO, TED MING LANG , 李柏軒 , LEE, BO SYUAN , 蔡宗洵 , TSAI, TSUNG HSUN , 鄭郁錦 , CHENG, YU CHIN
IPC分类号： H01L21/306

2. 发明专利

TW201349313A 基板之處理方法审中-公开
简体标题：基板之处理方法
公开(公告)号：TW201349313A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW101117644
申请日：2012-05-17
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：蔡宗洵 , TSAI, TSUNG HSUN
IPC分类号： H01L21/30
摘要：一種基板之處理方法。處理方法包括提供一基板、對基板進行一元件形成步驟(device forming process)、以及清洗基板。清洗基板的步驟包括使用一二流體水霧(atomic spray)清洗基板以及使用一去離子水淋洗(rinse)基板。
简体摘要：一种基板之处理方法。处理方法包括提供一基板、对基板进行一组件形成步骤(device forming process)、以及清洗基板。清洗基板的步骤包括使用一二流体水雾(atomic spray)清洗基板以及使用一去离子水淋洗(rinse)基板。

3. 发明专利

TWI562214B 基板之處理方法有权
简体标题：基板之处理方法
公开(公告)号：TWI562214B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW101117644
申请日：2012-05-17
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：蔡宗洵 , TSAI, TSUNG HSUN
IPC分类号： H01L21/30

4. 发明专利

TWI697031B 圖案化方法有权
简体标题：图案化方法
公开(公告)号：TWI697031B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW105123509
申请日：2016-07-26
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：蔡宗洵 , TSAI, TSUNG-HSUN
IPC分类号： H01L21/027 , B08B3/08

5. 发明专利

TW201804514A 圖案化方法审中-公开
简体标题：图案化方法
公开(公告)号：TW201804514A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105123509
申请日：2016-07-26
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：蔡宗洵 , TSAI, TSUNG-HSUN
IPC分类号： H01L21/027 , B08B3/08
摘要：一種圖案化方法包括下列步驟。首先，於一基底上形成一圖案化光阻，然後以圖案化光阻為遮罩對基底進行一蝕刻製程。於蝕刻製程進行之前，對形成有圖案化光阻之基底進行一第一清洗，第一清洗包括利用二氧化碳水溶液進行清洗。於蝕刻製程之後，進行一第二清洗，其中第二清洗包括一化學清洗以及於化學清洗之前利用二氧化碳水溶液進行清洗。藉由本發明之清洗方式，一方面可減少電荷產生並殘留於基底上，另一方面亦可於蝕刻製程後之化學清洗前減少基底上的電荷，避免於化學清洗時與殘留之電荷發生反應而產生靜電破壞。
简体摘要：一种图案化方法包括下列步骤。首先，于一基底上形成一图案化光阻，然后以图案化光阻为遮罩对基底进行一蚀刻制程。于蚀刻制程进行之前，对形成有图案化光阻之基底进行一第一清洗，第一清洗包括利用二氧化碳水溶液进行清洗。于蚀刻制程之后，进行一第二清洗，其中第二清洗包括一化学清洗以及于化学清洗之前利用二氧化碳水溶液进行清洗。借由本发明之清洗方式，一方面可减少电荷产生并残留于基底上，另一方面亦可于蚀刻制程后之化学清洗前减少基底上的电荷，避免于化学清洗时与残留之电荷发生反应而产生静电破坏。

6. 发明专利

TW201511265A 半導體製程审中-公开
简体标题：半导体制程
公开(公告)号：TW201511265A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW102131717
申请日：2013-09-03
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：蔡宗洵 , TSAI, TSUNG HSUN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要：一種半導體製程，包含有下述步驟。首先，提供一基底。接著，形成一氮化層於基底上，但暴露出基底的一含矽區域。接續，進行一氧化製程，以氧化含矽區域的一表面，而形成一氧化表面。續之，移除氮化層。
简体摘要：一种半导体制程，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，形成一氮化层于基底上，但暴露出基底的一含硅区域。接续，进行一氧化制程，以氧化含硅区域的一表面，而形成一氧化表面。续之，移除氮化层。

7. 发明专利

TW201436021A 氮化物材料移除方法审中-公开
公开(公告)号：TW201436021A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102107863
申请日：2013-03-06
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳啓陞 , CHEN, CHI SHENG , 陳信琦 , CHEN, SHIN CHI , 李志嶽 , LI, CHIH YUEH , 郭敏郎 , GUO, TED MING LANG , 李柏軒 , LEE, BO SYUAN , 蔡宗洵 , TSAI, TSUNG HSUN , 鄭郁錦 , CHENG, YU CHIN
IPC分类号： H01L21/306
摘要：一種移除氮化矽材料之方法,首先提供一基底,該基底上至少形成有一閘極結構,且該閘極結構上至少包含一氮化矽硬遮罩。接下來進行一第一移除步驟,利用一第一磷酸溶液移除部分該氮化矽硬遮罩。隨後進行一第二移除步驟,於該第一移除步驟之後利用一第二磷酸溶液移除剩餘之該氮化矽硬遮罩。該第一移除步驟與該第二移除步驟係同位進行;且該第二磷酸溶液之溫度低於該第一磷酸溶液之溫度。
简体摘要：一种移除氮化硅材料之方法,首先提供一基底,该基底上至少形成有一闸极结构,且该闸极结构上至少包含一氮化硅硬遮罩。接下来进行一第一移除步骤,利用一第一磷酸溶液移除部分该氮化硅硬遮罩。随后进行一第二移除步骤,于该第一移除步骤之后利用一第二磷酸溶液移除剩余之该氮化硅硬遮罩。该第一移除步骤与该第二移除步骤系同位进行;且该第二磷酸溶液之温度低于该第一磷酸溶液之温度。

8. 发明专利

TW201227814A 一種半導體製程中的清洗方法 A CLEANING METHOD OF SEMICONDUCTOR PROCESS 审中-公开
简体标题：一种半导体制程中的清洗方法 A CLEANING METHOD OF SEMICONDUCTOR PROCESS
公开(公告)号：TW201227814A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099145593
申请日：2010-12-23
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡宗洵
IPC分类号： H01L , B08B
摘要：一種半導體製程中的清洗方法,此一清洗方法包括下述步驟:首先提供半導體基板。提供水霧持續第一期間以對半導體基板進行清洗。同時於第一期間之起始點或起始點之前,在基板上形成水膜,並維持此一水膜,時間長度持續約第二期間,並且使第二期間與第一期間至少部分重疊,用來緩衝水霧所帶來的影響。藉由同步地提供水霧與水膜來提升半導體基板表面靜電移除效果,避免對半導體晶圓上電路圖案的損傷。
简体摘要：一种半导体制程中的清洗方法,此一清洗方法包括下述步骤:首先提供半导体基板。提供水雾持续第一期间以对半导体基板进行清洗。同时于第一期间之起始点或起始点之前,在基板上形成水膜,并维持此一水膜,时间长度持续约第二期间,并且使第二期间与第一期间至少部分重叠,用来缓冲水雾所带来的影响。借由同步地提供水雾与水膜来提升半导体基板表面静电移除效果,避免对半导体晶圆上电路图案的损伤。

9. 发明专利

TW201630097A 改良之半導體基板清洗方法审中-公开
简体标题：改良之半导体基板清洗方法
公开(公告)号：TW201630097A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104104447
申请日：2015-02-10
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人：洪辰旭 , HUNG, CHEN HSU , 張筑雅 , CHANG, CHU YA , 蔡宗洵 , TSAI, TSUNG HSUN , 鄭博倫 , CHENG, PO LUN , 林春利 , LIN, JASON CL , 邱政嘉 , CHIOU, JENG JIA
IPC分类号： H01L21/67 , B08B3/08 , B08B17/00
摘要：本發明提供一種改良之半導體基板之清洗方法，至少包含以下步驟。水霧式噴射包含去離子水與惰性物質之混合液於基板表面，之後對基板表面進行標準清洗，以及對基板表面進行沖洗與乾燥。本發明能有效改善汙染物在基板表面的殘留比例的效果，以提升產品品質、效能、穩定性與良率。
简体摘要：本发明提供一种改良之半导体基板之清洗方法，至少包含以下步骤。水雾式喷射包含去离子水与惰性物质之混合液于基板表面，之后对基板表面进行标准清洗，以及对基板表面进行冲洗与干燥。本发明能有效改善污染物在基板表面的残留比例的效果，以提升产品品质、性能、稳定性与良率。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式