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1. 发明专利

TWI553736B 一種填充金屬的方法有权
简体标题：一种填充金属的方法
公开(公告)号：TWI553736B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW099110544
申请日：2010-04-06
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：李常孝 , LEE, CHANG HSIAO , 賴育聰 , LAI, YU TSUNG , 廖俊雄 , LIAO, JIUNN HSIUNG
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/30

2. 发明专利

TWI518743B 半導體裝置圖案化結構之製作方法有权
简体标题：半导体设备图案化结构之制作方法
公开(公告)号：TWI518743B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW101114898
申请日：2012-04-26
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：郭龍恩 , KUO, LUNG EN , 廖俊雄 , LIAO, JIUNN HSIUNG , 陳炫旭 , CHEN, HSUAN HSU , 李孟駿 , LEE, MENG CHUN
IPC分类号： H01L21/027

3. 发明专利

TWI493603B 具有金屬閘極之半導體元件之製作方法有权
简体标题：具有金属闸极之半导体组件之制作方法
公开(公告)号：TWI493603B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW100105969
申请日：2011-02-23
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：廖柏瑞 , LIAO, PO JUI , 蔡宗龍 , TSAI, TSUNG LUNG , 林建廷 , LIN, CHIEN TING , 徐韶華 , HSU, SHAO HUA , 呂水煙 , LU, SHUI YEN , 周珮玉 , CHOU, PEI YU , 陳信琦 , CHEN, SHIN CHI , 廖俊雄 , LIAO, JIUNN HSIUNG , 蔡尚元 , TSAI, SHANG YUAN , 楊建倫 , YANG, CHAN LON , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 林俊賢 , LIN, CHUN HSIEN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336

4. 发明专利

TW201344747A 半導體裝置圖案化結構之製作方法审中-公开
简体标题：半导体设备图案化结构之制作方法
公开(公告)号：TW201344747A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101114898
申请日：2012-04-26
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：郭龍恩 , KUO, LUNG EN , 廖俊雄 , LIAO, JIUNN HSIUNG , 陳炫旭 , CHEN, HSUAN HSU , 李孟駿 , LEE, MENG CHUN
IPC分类号： H01L21/027
摘要：一種半導體裝置圖案化結構之製作方法，其包含有下列步驟。首先依序形成一目標層、一第一遮罩層及一第一圖案化遮罩層於一基板上。接著利用第一圖案化遮罩層作為蝕刻遮罩，於基板上形成複數個特徵結構，其中各特徵結構均包含一圖案化第一遮罩及一圖案化目標層。然後，形成一第二圖案化遮罩於基板上，以覆蓋住部分特徵結構並暴露一預定區域。繼以進行一第二蝕刻製程，完全去除預定區域內之特徵結構及第二圖案化遮罩。最後，進行一第三蝕刻製程，利用圖案化第一遮罩層作為蝕刻遮罩，完全去除未被圖案化第一遮罩層遮蔽之該目標層。
简体摘要：一种半导体设备图案化结构之制作方法，其包含有下列步骤。首先依序形成一目标层、一第一遮罩层及一第一图案化遮罩层于一基板上。接着利用第一图案化遮罩层作为蚀刻遮罩，于基板上形成复数个特征结构，其中各特征结构均包含一图案化第一遮罩及一图案化目标层。然后，形成一第二图案化遮罩于基板上，以覆盖住部分特征结构并暴露一预定区域。继以进行一第二蚀刻制程，完全去除预定区域内之特征结构及第二图案化遮罩。最后，进行一第三蚀刻制程，利用图案化第一遮罩层作为蚀刻遮罩，完全去除未被图案化第一遮罩层屏蔽之该目标层。

5. 发明专利

TWI553739B 一種形成開口的方法有权
简体标题：一种形成开口的方法
公开(公告)号：TWI553739B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW100120099
申请日：2011-06-09
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：張峰溢 , CHANG, FENG YI , 林義博 , LIN, YI PO , 廖俊雄 , LIAO, JIUNN HSIUNG , 蔡尚元 , TSAI, SHANG YUAN , 馮郅文 , FENG, CHIH WEN , 呂水煙 , LU, SHUI YEN , 徐慶斌 , HSU, CHING PIN
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/336 , H01L21/308

6. 发明专利

TWI528461B 半導體製程有权
简体标题：半导体制程
公开(公告)号：TWI528461B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW101115783
申请日：2012-05-03
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：郭龍恩 , KUO, LUNG EN , 廖俊雄 , LIAO, JIUNN HSIUNG , 陳炫旭 , CHEN, HSUAN HSU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

7. 发明专利

TWI509740B 雙鑲嵌製程有权
简体标题：双镶嵌制程
公开(公告)号：TWI509740B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW099140178
申请日：2010-11-22
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳信琦 , CHEN, SHIN CHI , 賴育聰 , LAI, YU TSUNG , 廖俊雄 , LIAO, JIUNN HSIUNG , 黃光耀 , HWANG, GUANG YAW
IPC分类号： H01L21/768

8. 发明专利

TW201347042A 半導體製程审中-公开
简体标题：半导体制程
公开(公告)号：TW201347042A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101115783
申请日：2012-05-03
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：郭龍恩 , KUO, LUNG EN , 廖俊雄 , LIAO, JIUNN HSIUNG , 陳炫旭 , CHEN, HSUAN HSU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要：一種半導體製程，包含有下述步驟。首先，形成一鰭狀結構於一基底上。接著，形成一閘極結構以及一蓋層，其中閘極結構跨設部分鰭狀結構以及部分該基底，蓋層於閘極結構上，且蓋層包含一第一蓋層於閘極結構上以及一第二蓋層於第一蓋層上。接續，形成一間隙壁材料全面覆蓋於第二蓋層、鰭狀結構以及基底。然後，蝕刻間隙壁材料，暴露出第二蓋層之側壁，並形成一間隙壁於閘極結構側邊。而後，移除第二蓋層。
简体摘要：一种半导体制程，包含有下述步骤。首先，形成一鳍状结构于一基底上。接着，形成一闸极结构以及一盖层，其中闸极结构跨设部分鳍状结构以及部分该基底，盖层于闸极结构上，且盖层包含一第一盖层于闸极结构上以及一第二盖层于第一盖层上。接续，形成一间隙壁材料全面覆盖于第二盖层、鳍状结构以及基底。然后，蚀刻间隙壁材料，暴露出第二盖层之侧壁，并形成一间隙壁于闸极结构侧边。而后，移除第二盖层。

9. 发明专利

TW201318051A 半導體結構及其製程审中-公开
简体标题：半导体结构及其制程
公开(公告)号：TW201318051A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW100137851
申请日：2011-10-19
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林盈志 , LIN, YING CHIH , 陳炫旭 , CHEN, HSUAN HSU , 廖俊雄 , LIAO, JIUNN HSIUNG , 郭龍恩 , KUO, LUNG EN
IPC分类号： H01L21/306 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要：一種半導體結構包含有一基底、一凹槽以及一材料。凹槽位於基底中，其中凹槽具有一上半部以及一下半部，上半部的最小寬度大於下半部的最大寬度。材料位於凹槽中。
简体摘要：一种半导体结构包含有一基底、一凹槽以及一材料。凹槽位于基底中，其中凹槽具有一上半部以及一下半部，上半部的最小宽度大于下半部的最大宽度。材料位于凹槽中。

10. 发明专利

TWI541879B 雙鑲嵌結構的製作方法有权
简体标题：双镶嵌结构的制作方法
公开(公告)号：TWI541879B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW101121726
申请日：2012-06-18
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：李常孝 , LEE, CHANG HSIAO , 陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 賴育聰 , LAI, YU TSUNG , 廖俊雄 , LIAO, JIUNN HSIUNG , 蔡世群 , TSAI, SHIH CHUN
IPC分类号： H01L21/30

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