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1. 发明专利

TW200300972A 製作半導體元件之方法 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：制作半导体组件之方法 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200300972A
公开(公告)日：2003-06-16
申请号：TW091136732
申请日：2002-12-19
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊名聲 , 盧火鐵
IPC分类号： H01L
摘要：一種形成半導體元件之方法，該方法包括下列步驟：形成一閘極絕緣層於半導體底材上。形成一閘極於該閘極絕緣層之上，隨後執行第一次離子佈植以形成延伸源極汲極接面。再形成間隙壁於該閘極之側壁上，包含一襯層位於該閘極以及該間隙壁之間。以第二次離子佈植形成汲極與源極，然後執行一熱處理用以消除離子缺陷以及活化雜質。隨之執行一表面處理以形成選擇性複晶矽於該閘極以及該汲極源極上，以形成上升汲極源極。形成鈷金屬於該底材之上，使該鈷金屬與該選擇性複晶矽反應以形成矽化鈷用以消除缺陷以降低該汲極源極電阻。
简体摘要：一种形成半导体组件之方法，该方法包括下列步骤：形成一闸极绝缘层于半导体底材上。形成一闸极于该闸极绝缘层之上，随后运行第一次离子布植以形成延伸源极汲极接面。再形成间隙壁于该闸极之侧壁上，包含一衬层位于该闸极以及该间隙壁之间。以第二次离子布植形成汲极与源极，然后运行一热处理用以消除离子缺陷以及活化杂质。随之运行一表面处理以形成选择性复晶硅于该闸极以及该汲极源极上，以形成上升汲极源极。形成钴金属于该底材之上，使该钴金属与该选择性复晶硅反应以形成硅化钴用以消除缺陷以降低该汲极源极电阻。

2. 发明专利

TW523864B 移除金屬層表面微刮痕的方法有权
简体标题：移除金属层表面微刮痕的方法
公开(公告)号：TW523864B
公开(公告)日：2003-03-11
申请号：TW089100293
申请日：2000-01-11
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳學忠 , 魏詠宗 , 楊名聲
IPC分类号： H01L
摘要：一種移除金屬層表面微刮痕的方法，適用於一種雙重金屬鑲嵌製程，雙重金屬鑲嵌製程係在一個具有開口的介電層上依序形成共形的(conformal)阻障層和足以過度填滿開口的金屬層。此移除金屬層表面微刮痕的方法包括三個化學機械研磨步驟。其中，第一化學機械研磨步驟係以利用第一研磨漿磨除開口外的金屬層，此第一研磨漿具有一化學溶液和複數個研磨顆粒。而第二化學機械研磨步驟係以利用一第二研磨漿磨除開口外的阻障層，此時金屬層上會形成有複數個微刮痕。至於第三化學機械研磨步驟則以利用第一研磨漿細拋(buff)金屬層，而藉以移除金屬層上的微刮痕。
简体摘要：一种移除金属层表面微刮痕的方法，适用于一种双重金属镶嵌制程，双重金属镶嵌制程系在一个具有开口的介电层上依序形成共形的(conformal)阻障层和足以过度填满开口的金属层。此移除金属层表面微刮痕的方法包括三个化学机械研磨步骤。其中，第一化学机械研磨步骤系以利用第一研磨浆磨除开口外的金属层，此第一研磨浆具有一化学溶液和复数个研磨颗粒。而第二化学机械研磨步骤系以利用一第二研磨浆磨除开口外的阻障层，此时金属层上会形成有复数个微刮痕。至于第三化学机械研磨步骤则以利用第一研磨浆细抛(buff)金属层，而借以移除金属层上的微刮痕。

3. 发明专利

TW497213B 去除一銅/低k質介電質雙鑲嵌構造上經曝露之銅表面上富碳顆粒之方法失效
简体标题：去除一铜/低k质介电质双镶嵌构造上经曝露之铜表面上富碳颗粒之方法
公开(公告)号：TW497213B
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：TW089125962
申请日：2000-12-06
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡騰群 , 許嘉麟 , 魏詠宗 , 楊名聲
IPC分类号： H01L
摘要：一種去除一銅/低k值介電質雙鑲嵌構造上經曝露之銅表面上富碳顆粒之方法。一阻障層及一阻障層化學機械研磨終止層係形成於此雙鑲嵌構造之銅金屬層與低k值介電層之間。當銅金屬層之化學機械研磨步驟及阻障層之化學機械研磨步驟完成之後，使用一鹼性水溶液，在晶片施壓壓力約0.5至3psi下，進行一化學緩衝研磨步驟(chemical buffing polishing process)，以除去吸附在經曝露之銅表面上的富碳顆粒。此富碳顆粒之產生係由於銅金屬層之碟化現象(dishing phenomenon)使得含有至少90%之碳元素之低k值介電質於此二化學機械研磨步驟期間曝露出來，並且被研磨，導致許多富碳顆粒產生。最後，進行一化學機械研磨後清洗步驟，以除去殘留在經曝露之銅金屬表面之雜質。
简体摘要：一种去除一铜/低k值介电质双镶嵌构造上经曝露之铜表面上富碳颗粒之方法。一阻障层及一阻障层化学机械研磨终止层系形成于此双镶嵌构造之铜金属层与低k值介电层之间。当铜金属层之化学机械研磨步骤及阻障层之化学机械研磨步骤完成之后，使用一碱性水溶液，在芯片施压压力约0.5至3psi下，进行一化学缓冲研磨步骤(chemical buffing polishing process)，以除去吸附在经曝露之铜表面上的富碳颗粒。此富碳颗粒之产生系由于铜金属层之碟化现象(dishing phenomenon)使得含有至少90%之碳元素之低k值介电质于此二化学机械研磨步骤期间曝露出来，并且被研磨，导致许多富碳颗粒产生。最后，进行一化学机械研磨后清洗步骤，以除去残留在经曝露之铜金属表面之杂质。

4. 发明专利

TW473828B 碳化矽膜於半導體元件中之沉積方法失效
简体标题：碳化硅膜于半导体组件中之沉积方法
公开(公告)号：TW473828B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW089120432
申请日：2000-10-02
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：楊能輝 , 楊名聲
IPC分类号： H01L
摘要：一種製作低氧含量之碳化矽薄膜的方法在此揭露，本方法係執行於分次而連續之同室成形(in-situ)步驟。每一段成形步驟均包含碳化矽之電漿強化化學氣相沉積( PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)以及移除沉積膜內氧雜質的氨氣電漿處理。本發明所提出的方法不僅可以有效地改善碳化矽薄膜的某些絕緣特性，而且能夠輕易地套用於生產階段的積體電路製程。
简体摘要：一种制作低氧含量之碳化硅薄膜的方法在此揭露，本方法系运行于分次而连续之同室成形(in-situ)步骤。每一段成形步骤均包含碳化硅之等离子强化化学气相沉积( PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)以及移除沉积膜内氧杂质的氨气等离子处理。本发明所提出的方法不仅可以有效地改善碳化硅薄膜的某些绝缘特性，而且能够轻易地套用于生产阶段的集成电路制程。

5. 发明专利

TW468241B 增加半導體之介電材質的黏附性質之方法有权
简体标题：增加半导体之介电材质的黏附性质之方法
公开(公告)号：TW468241B
公开(公告)日：2001-12-11
申请号：TW089124014
申请日：2000-11-14
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡正原 , 林經祥 , 楊名聲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02304 , H01L21/02126 , H01L21/02271 , H01L21/3122 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76832
摘要：首先提供一基底，其上覆蓋形成一阻障層。然後，藉由化學氣相沉積法(CVD)將黏附促進劑沉積於阻障層上以形成一第一中間層，其中，黏附促進劑係為一有機材料，例如甲基三丙酮矽氧烷(methyltriacetoxysilane﹔MTAS)。接著，覆蓋形成一第一介電層於第一中間層上。其次，藉由化學氣相沉積法(CVD)將黏附促進劑沉積於第一介電層上以形成一第二中間層。之後，覆蓋形成一蝕刻終止層於第二中間層上。隨後，藉由化學氣相沉積法(CVD)將黏附促進劑沉積於蝕刻終止層上以形成一第三中間層。然後，覆蓋形成一第二介電層於第三中間層上。
简体摘要：首先提供一基底，其上覆盖形成一阻障层。然后，借由化学气相沉积法(CVD)将黏附促进剂沉积于阻障层上以形成一第一中间层，其中，黏附促进剂系为一有机材料，例如甲基三丙酮硅氧烷(methyltriacetoxysilane﹔MTAS)。接着，覆盖形成一第一介电层于第一中间层上。其次，借由化学气相沉积法(CVD)将黏附促进剂沉积于第一介电层上以形成一第二中间层。之后，覆盖形成一蚀刻终止层于第二中间层上。随后，借由化学气相沉积法(CVD)将黏附促进剂沉积于蚀刻终止层上以形成一第三中间层。然后，覆盖形成一第二介电层于第三中间层上。

6. 发明专利

TW444349B 多重內連線的製造方法有权
简体标题：多重内连接的制造方法
公开(公告)号：TW444349B
公开(公告)日：2001-07-01
申请号：TW089105370
申请日：2000-03-23
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：黃克勤 , 楊名聲 , 陳東郁 , 鍾子圭
IPC分类号： H01L
摘要：一種形成多重內連線的金屬化方法。首先提供第一導電層，其上有一介電層。之後在介電層上形成黏著層，再形成從黏著層頂表面至第一導電層的開口。當在黏著層和開口中所有表面上形成阻障層後，在阻障層上形成第二導電層，並填滿開口。隨後，移除第二導電層和阻障層，直到黏著層暴露出為止。在黏著層和第二導電層上定義第三導電層。此產品可解決由剝除溶劑和蝕刻劑所導致的高介層窗電阻的問題。
简体摘要：一种形成多重内连接的金属化方法。首先提供第一导电层，其上有一介电层。之后在介电层上形成黏着层，再形成从黏着层顶表面至第一导电层的开口。当在黏着层和开口中所有表面上形成阻障层后，在阻障层上形成第二导电层，并填满开口。随后，移除第二导电层和阻障层，直到黏着层暴露出为止。在黏着层和第二导电层上定义第三导电层。此产品可解决由剥除溶剂和蚀刻剂所导致的高介层窗电阻的问题。

7. 发明专利

TW430593B 化學機械研磨之研磨墊連續供應方法有权
简体标题：化学机械研磨之研磨垫连续供应方法
公开(公告)号：TW430593B
公开(公告)日：2001-04-21
申请号：TW088123157
申请日：1999-12-29
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳學忠 , 葉文政 , 楊名聲
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：一種化學機械研磨之研磨墊連續供應方法，該方法適用於化學機械研磨裝置。上述化學機械研磨裝置會消耗一個具有兩端的研磨帶，這個研磨帶可作為複數個研磨墊。在第一研磨帶上提供一第二研磨帶，其中第二研磨帶的一端係黏在第一研磨帶的一端。
简体摘要：一种化学机械研磨之研磨垫连续供应方法，该方法适用于化学机械研磨设备。上述化学机械研磨设备会消耗一个具有两端的研磨带，这个研磨带可作为复数个研磨垫。在第一研磨带上提供一第二研磨带，其中第二研磨带的一端系黏在第一研磨带的一端。

8. 发明专利

TW383253B 化學機械研磨終點監測方法及裝置失效
简体标题：化学机械研磨终点监测方法及设备
公开(公告)号：TW383253B
公开(公告)日：2000-03-01
申请号：TW088106216
申请日：1999-04-19
申请人：聯華電子股份有限公司 , 聯瑞積體電路股份有限公司
发明人：楊名聲 , 陳學忠 , 吳俊元
IPC分类号： B24B
摘要：一種化學機械研磨的研磨終點監測方法，係利用研磨時所產生之反應物，造成研磨液之阻抗變化的特性，即時監測研磨液之電性，以判斷研磨終點。而研磨終點監測裝置，係在化學機械研磨機台，配置二電極，其相距一段適當距離，而座落位置在研磨機台上研磨後之研磨液所必經之處，以監測研磨後之研磨液之阻抗。
简体摘要：一种化学机械研磨的研磨终点监测方法，系利用研磨时所产生之反应物，造成研磨液之阻抗变化的特性，实时监测研磨液之电性，以判断研磨终点。而研磨终点监测设备，系在化学机械研磨机台，配置二电极，其相距一段适当距离，而座落位置在研磨机台上研磨后之研磨液所必经之处，以监测研磨后之研磨液之阻抗。

9. 发明专利

TW540118B 增加低介電材料表面潤濕性的方法有权
简体标题：增加低介电材料表面润湿性的方法
公开(公告)号：TW540118B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW090107284
申请日：2001-03-28
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡正原 , 楊名聲
IPC分类号： H01L
摘要：一種增加無機低介電材料表面潤溼性的方法。此方法包含一無機介電材料做為一低介電阻障層，以化學氣相沉積的方式在半導體元件上形成。接著，以紫外光處理方法處理無機低介電材料的表面，使得表面的特性由疏水性改變為較親水性。因此，無機低介材料表面的潤濕性可以增加，同時也可以增加無機低介電材料與有機高分子之間的附著性。
简体摘要：一种增加无机低介电材料表面润湿性的方法。此方法包含一无机介电材料做为一低介电阻障层，以化学气相沉积的方式在半导体组件上形成。接着，以紫外光处理方法处理无机低介电材料的表面，使得表面的特性由疏水性改变为较亲水性。因此，无机低介材料表面的润湿性可以增加，同时也可以增加无机低介电材料与有机高分子之间的附着性。

10. 发明专利

TW527682B 穩定低介電常數介電層的方法失效
简体标题：稳定低介电常数介电层的方法
公开(公告)号：TW527682B
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：TW090105481
申请日：2001-03-09
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡正原 , 楊名聲
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種在一半導體元件中穩定一低介電常數介電層的方法至少包括提供半導體元件；接著旋塗一高分子層於半導體元件上，高分子層具有未飽和碳鍵的成分；及以含有氨氣處理該高分子層。氨氣電漿處理用以使未耗盡的未飽和碳鍵飽和，以避免較高介電常數材料的生成。
简体摘要：本发明提供一种在一半导体组件中稳定一低介电常数介电层的方法至少包括提供半导体组件；接着旋涂一高分子层于半导体组件上，高分子层具有未饱和碳键的成分；及以含有氨气处理该高分子层。氨气等离子处理用以使未耗尽的未饱和碳键饱和，以避免较高介电常数材料的生成。

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