专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW524890B 防止爐管受腐蝕性氣體鏽蝕的方法及防止鏽蝕的爐管失效
简体标题：防止炉管受腐蚀性气体锈蚀的方法及防止锈蚀的炉管
公开(公告)号：TW524890B
公开(公告)日：2003-03-21
申请号：TW090103094
申请日：2001-02-13
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：林明機 , 薛廣仁
IPC分类号： C23F
CPC分类号： F27D5/00 , F23M20/00 , F23M2900/05001 , F27B17/0016 , F27D1/1684 , F27D7/06 , F27D25/00
摘要：一種防止爐管受腐蝕性氣體鏽蝕的方法，係將爐管之底盤材質更換為鉬或鉻等耐腐蝕之合金，並在爐管之氣體管路中加設含氧氣體的管路，接著通入含氧氣體，並於高溫下反應，以在合金之表面形成紫色氧化合金膜。
简体摘要：一种防止炉管受腐蚀性气体锈蚀的方法，系将炉管之底盘材质更换为钼或铬等耐腐蚀之合金，并在炉管之气体管路中加设含氧气体的管路，接着通入含氧气体，并于高温下反应，以在合金之表面形成紫色氧化合金膜。

2. 发明专利

TW414952B 半導體元件的製造方法有权
简体标题：半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TW414952B
公开(公告)日：2000-12-11
申请号：TW088105509
申请日：1999-04-07
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：許仲伯 , 林明機
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體元件的製造方法，用以增加摻雜源之有效濃度，此方法係在基底植入主摻雜源之外，再另外植入輔助雜源。主摻雜源係具有高能隙、高原子質量、且低擴散係數之物種，而輔助摻雜源係具有低能隙、低原子質量之物種。
简体摘要：一种半导体组件的制造方法，用以增加掺杂源之有效浓度，此方法系在基底植入主掺杂源之外，再另外植入辅助杂源。主掺杂源系具有高能隙、高原子质量、且低扩散系数之物种，而辅助掺杂源系具有低能隙、低原子质量之物种。

3. 发明专利

TW473900B 可防止晶圓被機械手臂拖出之晶舟有权
简体标题：可防止晶圆被机械手臂拖出之晶舟
公开(公告)号：TW473900B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW090107285
申请日：2001-03-28
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：林明機 , 宋啓瑞
IPC分类号： H01L
摘要：一種可防止晶圓被機械手臂拖出之晶舟，其主要包括具一晶圓進出開口之一框體。此框體至少包括一頂座、一底座、複數支互相平行分隔之第一垂直柱體及複數支互相平行分隔之第二垂直柱體。此些第一垂直柱體係裝設於此項座與底座之間之框體一例，複數個互相平行間隔之第一載片係堆疊裝設於此些第一垂直柱體上，每一第一載片於靠近該晶圓進出開口處設有一第一凸塊。此些第二垂直柱體係相應第一垂直柱體裝設於框體另一例，複數個相應第一載片之第二載片係堆疊裝設於此些第二垂直柱體上，每一第二載片相應第一載片設有第二凸塊。
简体摘要：一种可防止晶圆被机械手臂拖出之晶舟，其主要包括具一晶圆进出开口之一框体。此框体至少包括一顶座、一底座、复数支互相平行分隔之第一垂直柱体及复数支互相平行分隔之第二垂直柱体。此些第一垂直柱体系装设于此项座与底座之间之框体一例，复数个互相平行间隔之第一载片系堆栈装设于此些第一垂直柱体上，每一第一载片于靠近该晶圆进出开口处设有一第一凸块。此些第二垂直柱体系相应第一垂直柱体装设于框体另一例，复数个相应第一载片之第二载片系堆栈装设于此些第二垂直柱体上，每一第二载片相应第一载片设有第二凸块。

4. 发明专利

TW400555B 雷射刻號的製造方法失效
简体标题：激光刻号的制造方法
公开(公告)号：TW400555B
公开(公告)日：2000-08-01
申请号：TW088100648
申请日：1999-01-16
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：林明機 , 許仲伯 , 宋啓瑞
IPC分类号： H01L
摘要：一種雷射刻號的製造方法，係於基底表面形成一層護層，再對基底表面進行雷射刻號之製作。於完成雷射刻號之製作後，再去除護層。如基底表面所形成之護層為一層為光阻，則於去除護層前須進行一道蝕刻步驟，使雷射刻號呈凹槽狀。
简体摘要：一种激光刻号的制造方法，系于基底表面形成一层护层，再对基底表面进行激光刻号之制作。于完成激光刻号之制作后，再去除护层。如基底表面所形成之护层为一层为光阻，则于去除护层前须进行一道蚀刻步骤，使激光刻号呈凹槽状。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式