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    • 5. 发明专利
    • 記憶體控制器,記憶體裝置以及選通訊號校準方法 MEMORY CONTROLLER AND DEVICE WITH DATA STROBE CALIBRATION
    • 内存控制器,内存设备以及选通信号校准方法 MEMORY CONTROLLER AND DEVICE WITH DATA STROBE CALIBRATION
    • TWI315823B
    • 2009-10-11
    • TW095127455
    • 2006-07-27
    • 聯發科技股份有限公司
    • 黃祥毅
    • G06F
    • G06F5/06
    • 本發明提供一選通訊號校準裝置和方法,用以補償一資料訊號和一資料選通訊號之間的時序誤差。一記憶體控制器包含一DQ通道,用以供一資料訊號通過後,成為一延遲資料訊號。一DQS通道供一資料選通訊號通過。一延遲單元耦接該DQS通道,根據一調整訊號提供一校準延遲量,使該資料選通訊號通過該延遲單元後產生延遲而成為一修正後選通訊號。一正反器耦接該DQ通道和該延遲單元,依據該修正後選通訊號取樣該延遲資料訊號,以產生一輸出資料。一調整單元,根據該輸出資料,執行一校準程序以產生該調整訊號,使該校準延遲量被正確調整。
    • 本发明提供一选通信号校准设备和方法,用以补偿一数据信号和一数据选通信号之间的时序误差。一内存控制器包含一DQ信道,用以供一数据信号通过后,成为一延迟数据信号。一DQS信道供一数据选通信号通过。一延迟单元耦接该DQS信道,根据一调整信号提供一校准延迟量,使该数据选通信号通过该延迟单元后产生延迟而成为一修正后选通信号。一正反器耦接该DQ信道和该延迟单元,依据该修正后选通信号采样该延迟数据信号,以产生一输出数据。一调整单元,根据该输出数据,运行一校准进程以产生该调整信号,使该校准延迟量被正确调整。
    • 6. 发明专利
    • 記憶體控制器與記憶體系統 MEMORY CONTROLLER AND MEMORY SYSTEM
    • 内存控制器与内存系统 MEMORY CONTROLLER AND MEMORY SYSTEM
    • TW201239634A
    • 2012-10-01
    • TW101105587
    • 2012-02-21
    • 聯發科技股份有限公司
    • 黃祥毅
    • G06F
    • G11C11/409G11C7/1066G11C29/028G11C29/50012
    • 本發明提供一種記憶體控制器和記憶體系統。其中記憶體控制器用以控制一記憶體,包括一脈衝寬度調變模組、一電壓比較器以及一工作週期校正裝置。脈衝寬度調變模組,用以接收一時脈信號以產生一第一電壓。電壓比較器,用以接收一參考電壓並比較該參考電壓與該第一電壓以產生一比較結果。工作週期校正裝置,用以根據該比較結果調整該時脈信號的一工作週期。本發明提供的記憶體控制器和記憶體系統能調整時脈信號的工作週期以減少信號傳送時所造成的失真。
    • 本发明提供一种内存控制器和内存系统。其中内存控制器用以控制一内存,包括一脉冲宽度调制模块、一电压比较器以及一工作周期校正设备。脉冲宽度调制模块,用以接收一时脉信号以产生一第一电压。电压比较器,用以接收一参考电压并比较该参考电压与该第一电压以产生一比较结果。工作周期校正设备,用以根据该比较结果调整该时脉信号的一工作周期。本发明提供的内存控制器和内存系统能调整时脉信号的工作周期以减少信号发送时所造成的失真。