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1. 发明专利

TWI476366B 使用縮減程式庫之薄膜及表面形狀量測有权
简体标题：使用缩减程序库之薄膜及表面形状量测
公开(公告)号：TWI476366B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW101114270
申请日：2012-04-20
申请人：耐諾股份有限公司 , NANOMETRICS INCORPORATED
发明人：加米涅夫鮑里斯V , KAMENEV, BORIS V. , 達文麥可J , DARWIN, MICHAEL J.
IPC分类号： G01B11/30
CPC分类号： G01B11/2441 , G01B9/02072 , G01B9/02084 , G01B9/02088 , G01B9/0209 , G01B11/06 , G01B11/0675 , G01B2290/45 , H01L21/00

2. 发明专利

TWI428578B 局部應力量測有权
简体标题：局部应力量测
公开(公告)号：TWI428578B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW100115246
申请日：2011-04-29
申请人：耐諾股份有限公司 , NANOMETRICS INCORPORATED
发明人：強森緹莫西A , JOHNSON, TIMOTHY A. , 達文麥可J , DARWIN, MICHAEL J.
IPC分类号： G01L5/00
CPC分类号： G01L5/0047 , G01B11/24

3. 发明专利

TW201215864A 局部應力量測 LOCAL STRESS MEASUREMENT 审中-公开
简体标题：局部应力量测 LOCAL STRESS MEASUREMENT
公开(公告)号：TW201215864A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW100115246
申请日：2011-04-29
申请人：耐諾股份有限公司
发明人：強森緹莫西A , 達文麥可J
IPC分类号： G01L
CPC分类号： G01L5/0047 , G01B11/24
摘要：本發明揭示一種光學度量衡器件，其判定一基板上之一膜中之局部應力。該度量衡器件測繪處理前之該基板之厚度。在處理之後，該度量衡器件判定由該處理導致的該基板之表面曲率並測繪處理後之該基板之頂面上的一膜之厚度。該基板之表面曲率可如基函數所判定。接著，使用所測繪之基板厚度、所判定之表面曲率及所測繪之膜厚度來判定該膜中之局部應力。可使用對於不均勻基板曲率、不均勻膜厚度及不均勻基板厚度予以校正之Stoney方程式來判定局部應力。
简体摘要：本发明揭示一种光学度量衡器件，其判定一基板上之一膜中之局部应力。该度量衡器件测绘处理前之该基板之厚度。在处理之后，该度量衡器件判定由该处理导致的该基板之表面曲率并测绘处理后之该基板之顶面上的一膜之厚度。该基板之表面曲率可如基函数所判定。接着，使用所测绘之基板厚度、所判定之表面曲率及所测绘之膜厚度来判定该膜中之局部应力。可使用对于不均匀基板曲率、不均匀膜厚度及不均匀基板厚度予以校正之Stoney方进程来判定局部应力。

4. 发明专利

TW201250202A 使用縮減程式庫之薄膜及表面形狀量測 THIN FILMS AND SURFACE TOPOGRAPHY MEASUREMENT USING REDUCED LIBRARY 审中-公开
简体标题：使用缩减程序库之薄膜及表面形状量测 THIN FILMS AND SURFACE TOPOGRAPHY MEASUREMENT USING REDUCED LIBRARY
公开(公告)号：TW201250202A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101114270
申请日：2012-04-20
申请人：耐諾股份有限公司
发明人：加米涅夫鮑里斯V , 達文麥可J
IPC分类号： G01B
CPC分类号： G01B11/2441 , G01B9/02072 , G01B9/02084 , G01B9/02088 , G01B9/0209 , G01B11/06 , G01B11/0675 , G01B2290/45 , H01L21/00
摘要：本發明揭示藉由產生模型信號之一程式庫並經由搜尋該程式庫處理一量測信號以評估膜性質及形狀而判定在存在透明薄膜之情形下一物件之一表面之性質。可藉助主分量分析縮減該程式庫以增強計算速度。亦可藉由自該信號移除高度貢獻從而僅留下該信號中之膜貢獻而達成計算增強。比較膜量測信號與膜信號之一程式庫以判定樣本之膜參數。藉由處理一程式庫中之每一全信號以類似地移除該等高度貢獻從而僅留下該等膜貢獻而產生膜信號之該程式庫。另外，可應用一後分析處理程序以適當地評估局部形狀。
简体摘要：本发明揭示借由产生模型信号之一程序库并经由搜索该程序库处理一量测信号以评估膜性质及形状而判定在存在透明薄膜之情形下一对象之一表面之性质。可借助主分量分析缩减该程序库以增强计算速度。亦可借由自该信号移除高度贡献从而仅留下该信号中之膜贡献而达成计算增强。比较膜量测信号与膜信号之一程序库以判定样本之膜参数。借由处理一程序库中之每一全信号以类似地移除该等高度贡献从而仅留下该等膜贡献而产生膜信号之该程序库。另外，可应用一后分析处理进程以适当地评估局部形状。

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