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    • 4. 发明专利
    • 記憶體儲存裝置及其修復方法
    • 内存存储设备及其修复方法
    • TW201403323A
    • 2014-01-16
    • TW101124630
    • 2012-07-09
    • 群聯電子股份有限公司PHISON ELECTRONICS CORP.
    • 崔德昌TSUI, TE CHANGE吳宗霖WU, TZUNG LIN
    • G06F12/16G06F12/06
    • G06F11/1666G06F11/1428
    • 一種記憶體儲存裝置的修復方法,記憶體儲存裝置具有包括多個實體單元的可複寫式非揮發性記憶體模組,上述實體單元包括至少一備援實體單元,備援實體單元係設定成只能透過特殊指令集合來存取,並儲存有至少一客製化資料。此方法包括在記憶體儲存裝置處於可接收與處理來自主機系統之指令的狀態時,從主機系統接收欲讀取備援實體單元且屬於特殊指令集合的特殊讀取指令,並將其中的客製化資料傳送至主機系統。當從主機系統接收到欲寫入客製化資料的寫入指令時,將客製化資料寫入至對應的實體單元,以使記憶體儲存裝置恢復至原廠狀態。
    • 一种内存存储设备的修复方法,内存存储设备具有包括多个实体单元的可复写式非挥发性内存模块,上述实体单元包括至少一备援实体单元,备援实体单元系设置成只能透过特殊指令集合来存取,并存储有至少一客制化数据。此方法包括在内存存储设备处于可接收与处理来自主机系统之指令的状态时,从主机系统接收欲读取备援实体单元且属于特殊指令集合的特殊读取指令,并将其中的客制化数据发送至主机系统。当从主机系统接收到欲写入客制化数据的写入指令时,将客制化数据写入至对应的实体单元,以使内存存储设备恢复至原厂状态。