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1. 发明专利

TW201611010A 程式化方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元审中-公开
简体标题：进程化方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TW201611010A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW103131539
申请日：2014-09-12
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 劉建業 , LAU, KIANG-GIAP
IPC分类号： G11C16/14
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3427
摘要：一種程式化方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元。所述方法包括：接收第一寫入指令；以及根據第一寫入指令選擇第一實體抹除單元並且發送第一跳躍寫入指令序列，其中第一跳躍寫入指令序列指示執行第一跳躍程式化程序，其中第一跳躍程式化程序包括：將第一資料程式化至第一實體抹除單元的第一字元線；以及在第一字元線被程式化之後，跳過與第一字元線相鄰的第二字元線而將第一資料程式化至不與第一字元線相鄰的第三字元線。
简体摘要：一种进程化方法、内存存储设备及内存控制电路单元。所述方法包括：接收第一写入指令；以及根据第一写入指令选择第一实体抹除单元并且发送第一跳跃写入指令串行，其中第一跳跃写入指令串行指示运行第一跳跃进程化进程，其中第一跳跃进程化进程包括：将第一数据进程化至第一实体抹除单元的第一字符线；以及在第一字符线被进程化之后，跳过与第一字符线相邻的第二字符线而将第一数据进程化至不与第一字符线相邻的第三字符线。

2. 发明专利

TWI515734B 資料儲存方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置有权
简体标题：数据存储方法、内存控制电路单元以及内存存储设备
公开(公告)号：TWI515734B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103109032
申请日：2014-03-13
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 劉建業 , LAU, KIANG-GIAP , 林和丰 , LIM, HOE-HONG , 許祐誠 , HSU, YU CHENG
IPC分类号： G11C16/10 , G11C29/38
CPC分类号： G11C16/10 , G11C7/02 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/26

3. 发明专利

TWI557743B 程式化方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元有权
简体标题：进程化方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TWI557743B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW103131539
申请日：2014-09-12
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 劉建業 , LAU, KIANG-GIAP
IPC分类号： G11C16/14
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3427

4. 发明专利

TWI521346B 用於非揮發性記憶體的資料合併方法、控制器與儲存裝置有权
简体标题：用于非挥发性内存的数据合并方法、控制器与存储设备
公开(公告)号：TWI521346B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW103125839
申请日：2011-12-15
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：劉建業 , LAU, KIANG-GIAP , 陳慶聰 , TAN, KHENG-CHONG
IPC分类号： G06F12/06

5. 发明专利

TW201535384A 資料儲存方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：数据存储方法、内存控制电路单元以及内存存储设备
公开(公告)号：TW201535384A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103109032
申请日：2014-03-13
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 劉建業 , LAU, KIANG-GIAP , 林和丰 , LIM, HOE-HONG , 許祐誠 , HSU, YU CHENG
IPC分类号： G11C16/10 , G11C29/38
CPC分类号： G11C16/10 , G11C7/02 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/26
摘要：本發明提出一種資料儲存方法以及使用此資料儲存方法的記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置。此資料儲存方法包括：將資料程式化至記憶體儲存裝置的可複寫式非揮發性記憶體模組的字元線之中的第一字元線所連接的多個記憶胞中，其中第一預設讀取電壓初始地被設定用於該第一字元線。此資料儲存方法更包括：調整第一預設讀取電壓以獲取用於第一字元線的第一可用讀取電壓並且施予第一可用讀取電壓至第一字元線來讀取第一頁資料，以及倘若第一可用讀取電壓與第一預設讀取電壓之間的差值大於預設門檻值時，進行對於第一頁資料的保護操作。
简体摘要：本发明提出一种数据存储方法以及使用此数据存储方法的内存控制电路单元与内存存储设备。此数据存储方法包括：将数据进程化至内存存储设备的可复写式非挥发性内存模块的字符线之中的第一字符线所连接的多个记忆胞中，其中第一默认读取电压初始地被设置用于该第一字符线。此数据存储方法更包括：调整第一默认读取电压以获取用于第一字符线的第一可用读取电压并且施予第一可用读取电压至第一字符线来读取第一页数据，以及倘若第一可用读取电压与第一默认读取电压之间的差值大于默认门槛值时，进行对于第一页数据的保护操作。

6. 发明专利

TW201441816A 用於非揮發性記憶體的資料合併方法、控制器與儲存裝置审中-公开
简体标题：用于非挥发性内存的数据合并方法、控制器与存储设备
公开(公告)号：TW201441816A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103125839
申请日：2011-12-15
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：劉建業 , LAU, KIANG-GIAP , 陳慶聰 , TAN, KHENG-CHONG
IPC分类号： G06F12/06
摘要：一種資料合併方法，用於在可複寫式非揮發性記憶模組中合併一個邏輯區塊的有效資料。本方法包括指派對應此邏輯區塊的多個整理實體區塊。此外，本方法也包括以部分同步方式執行資料整理運作與資料搬移運作，以從第一資料實體區塊和暫存實體區塊中將邏輯區塊的有效資料整理至整理實體區塊的下頁實體頁面，且同時從整理實體區塊之中將邏輯區塊的有效資料程式化至第二資料實體區塊。再者，本資料合併方法更包括將此邏輯區塊重新映射至第二資料實體區塊。基此，本方法能夠縮短合併資料的時間與提升資料的可靠度。
简体摘要：一种数据合并方法，用于在可复写式非挥发性记忆模块中合并一个逻辑区块的有效数据。本方法包括指派对应此逻辑区块的多个整理实体区块。此外，本方法也包括以部分同步方式运行数据整理运作与数据搬移运作，以从第一数据实体区块和暂存实体区块中将逻辑区块的有效数据整理至整理实体区块的下页实体页面，且同时从整理实体区块之中将逻辑区块的有效数据进程化至第二数据实体区块。再者，本数据合并方法更包括将此逻辑区块重新映射至第二数据实体区块。基此，本方法能够缩短合并数据的时间与提升数据的可靠度。

7. 发明专利

TW201324145A 用於非揮發性記憶體的資料合併方法、控制器與儲存裝置审中-公开
简体标题：用于非挥发性内存的数据合并方法、控制器与存储设备
公开(公告)号：TW201324145A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW100146499
申请日：2011-12-15
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：劉建業 , LAU, KIANG-GIAP , 陳慶聰 , TAN, KHENG-CHONG
IPC分类号： G06F12/06
CPC分类号： G06F12/0246
摘要：一種資料合併方法，用於在可複寫式非揮發性記憶模組中合併一個邏輯區塊的有效資料。本方法包括指派對應此邏輯區塊的多個整理實體區塊。此外，本方法也包括以部分同步方式執行資料整理運作與資料搬移運作，以從第一資料實體區塊和暫存實體區塊中將邏輯區塊的有效資料整理至整理實體區塊的下頁實體頁面，且同時從整理實體區塊之中將邏輯區塊的有效資料程式化至第二資料實體區塊。再者，本資料合併方法更包括將此邏輯區塊重新映射至第二資料實體區塊。基此，本方法能夠縮短合併資料的時間與提升資料的可靠度。
简体摘要：一种数据合并方法，用于在可复写式非挥发性记忆模块中合并一个逻辑区块的有效数据。本方法包括指派对应此逻辑区块的多个整理实体区块。此外，本方法也包括以部分同步方式运行数据整理运作与数据搬移运作，以从第一数据实体区块和暂存实体区块中将逻辑区块的有效数据整理至整理实体区块的下页实体页面，且同时从整理实体区块之中将逻辑区块的有效数据进程化至第二数据实体区块。再者，本数据合并方法更包括将此逻辑区块重新映射至第二数据实体区块。基此，本方法能够缩短合并数据的时间与提升数据的可靠度。

8. 发明专利

TWI501244B 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置有权
简体标题：数据写入方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TWI501244B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW102148519
申请日：2013-12-26
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 羅健龍 , LOW, CHENG-LONG , 劉建業 , LAU, KIANG-GIAP
IPC分类号： G11C16/14
CPC分类号： G11C16/16 , G11C16/10 , G11C16/349

9. 发明专利

TW201526006A 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：数据写入方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TW201526006A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW102148519
申请日：2013-12-26
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 羅健龍 , LOW, CHENG-LONG , 劉建業 , LAU, KIANG-GIAP
IPC分类号： G11C16/14
CPC分类号： G11C16/16 , G11C16/10 , G11C16/349
摘要：本發明提出一種資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置。本方法包括將實體抹除單元至少分割為暫存區與閒置區。本方法還包括動態地從暫存區或閒置區的實體抹除單元之中提取多個實體抹除單元作為對應一邏輯單元的暫存實體抹除單元組；及僅以單頁模式使用此些暫存實體抹除單元來寫入欲儲存至此邏輯單元的更新資料。基此，本方法可有效地避免因為暫存區的實體抹除單元老化且被繼續使用做為資料暫存所導致的資料錯誤並可提升寫入資料的速度與可靠度。
简体摘要：本发明提出一种数据写入方法、内存控制电路单元与内存存储设备。本方法包括将实体抹除单元至少分割为暂存区与闲置区。本方法还包括动态地从暂存区或闲置区的实体抹除单元之中提取多个实体抹除单元作为对应一逻辑单元的暂存实体抹除单元组；及仅以单页模式使用此些暂存实体抹除单元来写入欲存储至此逻辑单元的更新数据。基此，本方法可有效地避免因为暂存区的实体抹除单元老化且被继续使用做为数据暂存所导致的数据错误并可提升写入数据的速度与可靠度。

10. 发明专利

TWI451249B 用於非揮發性記憶體的資料合併方法、控制器與儲存裝置有权
简体标题：用于非挥发性内存的数据合并方法、控制器与存储设备
公开(公告)号：TWI451249B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW100146499
申请日：2011-12-15
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：劉建業 , LAU, KIANG-GIAP , 陳慶聰 , TAN, KHENG-CHONG
IPC分类号： G06F12/06
CPC分类号： G06F12/0246

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