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1. 发明专利

TW201843845A 具有穿隧接面之紫外線發光二極體审中-公开
简体标题：具有穿隧接面之紫外线发光二极管
公开(公告)号：TW201843845A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107112500
申请日：2018-04-12
申请人：美商X開發有限責任公司 , X DEVELOPMENT LLC
发明人：古朗曼麥可 , GRUNDMANN, MICHAEL , 舒伯特馬丁 F , SCHUBERT, MARTIN F.
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/26
摘要：一種發射紫外線(UV)光之發光二極體(LED)包含一第一n型半導體區域及一第一p型半導體區域。該LED亦包含安置於該第一n型半導體區域與該第一p型半導體區域之間之一主動區域，且回應於跨該發光二極體施加之一偏壓，該主動區域發射UV光。一穿隧接面安置於該LED中，因此該第一p型半導體區域安置於該主動區域與該穿隧接面之間。該穿隧接面經電耦合以通過該第一p型半導體區域將電荷載子注入於該主動區域中。一第二n型半導體區域亦安置於該LED中，因此該穿隧接面安置於該第二n型半導體區域與該第一p型半導體區域之間。
简体摘要：一种发射紫外线(UV)光之发光二极管(LED)包含一第一n型半导体区域及一第一p型半导体区域。该LED亦包含安置于该第一n型半导体区域与该第一p型半导体区域之间之一主动区域，且回应于跨该发光二极管施加之一偏压，该主动区域发射UV光。一穿隧接面安置于该LED中，因此该第一p型半导体区域安置于该主动区域与该穿隧接面之间。该穿隧接面经电耦合以通过该第一p型半导体区域将电荷载子注入于该主动区域中。一第二n型半导体区域亦安置于该LED中，因此该穿隧接面安置于该第二n型半导体区域与该第一p型半导体区域之间。

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