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1. 发明专利

TWI685257B 圖像感測器、減少發光二極體閃爍的方法及成像系統有权
简体标题：图像传感器、减少发光二极管闪烁的方法及成像系统
公开(公告)号：TWI685257B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW107135138
申请日：2018-10-04
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：索爾海姆達拉德 , SOLHEIM, THARALD , 索爾湖斯維奇約翰尼斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES
IPC分类号： H04N5/235 , H04N5/353 , H04N5/355 , H04N5/359 , H04N5/3745 , H01L27/146

2. 发明专利

TWI646841B 用於偵測沒有閃爍之發光二極體之系統及方法有权
简体标题：用于侦测没有闪烁之发光二极管之系统及方法
公开(公告)号：TWI646841B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106117088
申请日：2017-05-24
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：毛杜立 , MAO, DULI , 維拉森崔弗 , WILLASSEN, TRYGVE , 蘇哈斯維喬恩斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES , 馬渆圭司 , MABUCHI, KEIJI , 陳剛 , CHEN, GANG , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 潘比爾 , PHAN, BILL , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 林志強 , LIN, ZHIQIANG , 馬四光 , MA, SIGUANG , 楊大江 , YANG, DAJIANG , 佛勒保德艾伯特 , FOWLER, BOYD ALBERT
IPC分类号： H04N5/345 , H04N1/40

3. 发明专利

TW201707439A 堆疊式晶片共享像素架構审中-公开
简体标题：堆栈式芯片共享像素架构
公开(公告)号：TW201707439A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105108319
申请日：2016-03-17
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：蘇哈斯維喬恩斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES , 羅狄絲霍華E , RHODES, HOWARD E. , 沈杰 , SHEN, JIE
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/37457
摘要：本發明揭示一種影像感測器，其包含安置於一第一半導體晶粒中之一像素陣列。該像素陣列分割成複數個像素子陣列。該複數個像素子陣列中之每一者配置成複數個像素群組。該複數個像素群組中之每一者配置成一p×q像素單元陣列。複數個讀出電路安置於一第二半導體晶粒中。一互連層堆疊於該第一半導體晶粒與該第二半導體晶粒之間。該互連層包含複數個導體。該複數個像素子陣列中之每一者透過該複數個導體中之一對應者耦合至該複數個讀出電路中之一對應者。
简体摘要：本发明揭示一种影像传感器，其包含安置于一第一半导体晶粒中之一像素数组。该像素数组分割成复数个像素子数组。该复数个像素子数组中之每一者配置成复数个像素群组。该复数个像素群组中之每一者配置成一p×q像素单元数组。复数个读出电路安置于一第二半导体晶粒中。一互连层堆栈于该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒之间。该互连层包含复数个导体。该复数个像素子数组中之每一者透过该复数个导体中之一对应者耦合至该复数个读出电路中之一对应者。

4. 发明专利

TWI531236B 用於減少互補式金屬氧化物半導體影像感測器之類比影像資料中之雜訊之方法及裝置有权
简体标题：用于减少互补式金属氧化物半导体影像传感器之模拟影像数据中之噪声之方法及设备
公开(公告)号：TWI531236B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW102124960
申请日：2013-07-11
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：蘇哈斯維喬恩斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES
IPC分类号： H04N5/357
CPC分类号： H04N5/357 , H04N5/2173 , H04N5/378

5. 发明专利

TW201410020A 用於減少互補式金屬氧化物半導體影像感測器之類比影像資料中之雜訊之方法及裝置审中-公开
简体标题：用于减少互补式金属氧化物半导体影像传感器之模拟影像数据中之噪声之方法及设备
公开(公告)号：TW201410020A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102124960
申请日：2013-07-11
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：蘇哈斯維喬恩斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES
IPC分类号： H04N5/357
CPC分类号： H04N5/357 , H04N5/2173 , H04N5/378
摘要：本發明揭示一種用於預處理類比影像資料以減少該類比影像資料中之雜訊之方法，該類比影像資料係在一取樣時間期間自一影像感測器之一像素陣列讀出。該方法包含在該取樣時間期間產生該類比影像資料之多個樣本且然後將該多個樣本之值限制於一上臨限值及一下臨限值。該方法亦包含藉由回應於在該取樣時間期間何時產生該多個樣本中之每一者而對一各別樣本應用一加權因子來預調節該多個樣本。然後判定並輸出該多個樣本之一中值。
简体摘要：本发明揭示一种用于预处理模拟影像数据以减少该模拟影像数据中之噪声之方法，该模拟影像数据系在一采样时间期间自一影像传感器之一像素数组读出。该方法包含在该采样时间期间产生该模拟影像数据之多个样本且然后将该多个样本之值限制于一上临限值及一下临限值。该方法亦包含借由回应于在该采样时间期间何时产生该多个样本中之每一者而对一各别样本应用一加权因子来预调节该多个样本。然后判定并输出该多个样本之一中值。

6. 发明专利

TW201826513A 對於每像素具有雙浮動擴散之ＣＭＯＳ影像感測器以用於發光二極體之無閃爍偵測审中-公开
简体标题：对于每像素具有双浮动扩散之ＣＭＯＳ影像传感器以用于发光二极管之无闪烁侦测
公开(公告)号：TW201826513A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106134117
申请日：2017-10-03
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：毛杜立 , MAO, DULI , 維拉森崔弗 , WILLASSEN, TRYGVE , 蘇哈斯維喬恩斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES , 馬渆圭司 , MABUCHI, KEIJI , 陳剛 , CHEN, GANG , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 潘比爾 , PHAN, BILL , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 林志強 , LIN, ZHIQIANG
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
摘要：本發明揭示具有減少或消除由高強度照明誘發之閃爍之像素之影像感測器之設備及方法。一例示性影像感測器可包含一光電二極體、一轉移閘極、一抗溢出閘極及第一及第二源極隨耦器電晶體。該光電二極體可擷取光且作為回應產生電荷，且該光電二極體可具有一電荷容量。該轉移閘極可將電荷選擇性地轉移至一第一浮動擴散，且當該產生之電荷大於該光電二極體電荷容量時，該抗溢出閘極可將過量電荷選擇性地轉移至一第二浮動擴散。該第一源極隨耦器電晶體可藉由一閘極直接耦合至該第一浮動擴散，該第一源極隨耦器回應於一第一列選擇電晶體之啟用選擇性地輸出一第一信號至一第一位元線，且該第二源極隨耦器電晶體可電容耦合至該第二浮動擴散，該第二源極隨耦器回應於一第二列選擇電晶體之啟用選擇性地輸出一第二信號至一第二位元線。
简体摘要：本发明揭示具有减少或消除由高强度照明诱发之闪烁之像素之影像传感器之设备及方法。一例示性影像传感器可包含一光电二极管、一转移闸极、一抗溢出闸极及第一及第二源极随耦器晶体管。该光电二极管可截取光且作为回应产生电荷，且该光电二极管可具有一电荷容量。该转移闸极可将电荷选择性地转移至一第一浮动扩散，且当该产生之电荷大于该光电二极管电荷容量时，该抗溢出闸极可将过量电荷选择性地转移至一第二浮动扩散。该第一源极随耦器晶体管可借由一闸极直接耦合至该第一浮动扩散，该第一源极随耦器回应于一第一列选择晶体管之激活选择性地输出一第一信号至一第一比特线，且该第二源极随耦器晶体管可电容耦合至该第二浮动扩散，该第二源极随耦器回应于一第二列选择晶体管之激活选择性地输出一第二信号至一第二比特线。

7. 发明专利

TW201801517A 用於偵測沒有閃爍之發光二極體之系統及方法审中-公开
简体标题：用于侦测没有闪烁之发光二极管之系统及方法
公开(公告)号：TW201801517A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106117088
申请日：2017-05-24
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：毛杜立 , MAO, DULI , 維拉森崔弗 , WILLASSEN, TRYGVE , 蘇哈斯維喬恩斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES , 馬渆圭司 , MABUCHI, KEIJI , 陳剛 , CHEN, GANG , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 潘比爾 , PHAN, BILL , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 林志強 , LIN, ZHIQIANG , 馬四光 , MA, SIGUANG , 楊大江 , YANG, DAJIANG , 佛勒保德艾伯特 , FOWLER, BOYD ALBERT
IPC分类号： H04N5/345 , H04N1/40
CPC分类号： H04N5/374 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H04N5/23229 , H04N5/3559 , H04N5/3592 , H04N5/37452 , H04N5/37457
摘要：一種用於偵測沒有閃爍之發光二極體(LED)之影像感測器包含具有像素之一像素陣列。各像素包含：包含一第一及一第二子像素之子像素、雙浮動擴散(DFD)電晶體、及耦合至該DFD電晶體之一電容器。第一子像素包含用於擷取一第一影像電荷之一第一光敏元件、及用於選擇性地將該第一影像電荷自該第一光敏元件轉移至一第一浮動擴散(FD)節點之一第一轉移閘極電晶體。第二子像素包含用於擷取一第二影像電荷之一第二光敏元件、及用於選擇性地將該第二影像電荷自該第二光敏元件轉移至一第二FD節點之一第二轉移閘極電晶體。DFD電晶體耦合至該第一及該第二FD節點。亦描述其他實施例。
简体摘要：一种用于侦测没有闪烁之发光二极管(LED)之影像传感器包含具有像素之一像素数组。各像素包含：包含一第一及一第二子像素之子像素、双浮动扩散(DFD)晶体管、及耦合至该DFD晶体管之一电容器。第一子像素包含用于截取一第一影像电荷之一第一光敏组件、及用于选择性地将该第一影像电荷自该第一光敏组件转移至一第一浮动扩散(FD)节点之一第一转移闸极晶体管。第二子像素包含用于截取一第二影像电荷之一第二光敏组件、及用于选择性地将该第二影像电荷自该第二光敏组件转移至一第二FD节点之一第二转移闸极晶体管。DFD晶体管耦合至该第一及该第二FD节点。亦描述其他实施例。

8. 发明专利

TWI563851B 雙轉換增益之高動態範圍感測器有权
简体标题：双转换增益之高动态范围传感器
公开(公告)号：TWI563851B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW104100797
申请日：2015-01-09
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：蘇哈斯維喬恩斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES , 喬韓森羅伯 , JOHANSSON, ROBERT
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/232 , H04N5/335
CPC分类号： H04N5/3559 , H04N5/3594 , H04N5/37452

9. 发明专利

TWI615032B 堆疊式晶片共享像素架構有权
简体标题：堆栈式芯片共享像素架构
公开(公告)号：TWI615032B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW105108319
申请日：2016-03-17
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：蘇哈斯維喬恩斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES , 羅狄絲霍華E , RHODES, HOWARD E. , 沈杰 , SHEN, JIE
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/37457

10. 发明专利

TW201717608A 實施一堆疊晶片高動態範圍影像感測器的方法與系統审中-公开
简体标题：实施一堆栈芯片高动态范围影像传感器的方法与系统
公开(公告)号：TW201717608A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105119217
申请日：2016-06-17
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：蘇哈斯維喬恩斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES
IPC分类号： H04N5/355 , H04N5/369
CPC分类号： H04N5/378 , H04N5/35554 , H04N5/35581 , H04N5/37457
摘要：本發明係關於一種在影像感測器中實施堆疊晶片高動態範圍(HDR)演算法之方法，該方法開始於使用像素陣列來捕獲具有第一曝光時間之第一圖框，及具有與該第一曝光時間相比更長或更短之一第二曝光時間之第二圖框。像素陣列係安置於第一半導體晶粒中且被劃分成像素子陣列。各像素子陣列經配置成像素群組，且各像素群組經配置成像素單元陣列。經安置於第二半導體晶粒中之讀出電路獲取第一圖框及第二圖框的影像資料。各像素子陣列係透過複數個導體中之一對應者耦合至一對應讀出電路。類比轉數位轉換器(ADC)電路將來自第一圖框及第二圖框之影像資料轉換成第一ADC輸出及第二ADC輸出。位於該第二半導體晶粒上的功能邏輯將第一ADC輸出與第二ADC輸出相加以產生一最終ADC輸出。本發明亦描述其他實施例。
简体摘要：本发明系关于一种在影像传感器中实施堆栈芯片高动态范围(HDR)算法之方法，该方法开始于使用像素数组来捕获具有第一曝光时间之第一图框，及具有与该第一曝光时间相比更长或更短之一第二曝光时间之第二图框。像素数组系安置于第一半导体晶粒中且被划分成像素子数组。各像素子数组经配置成像素群组，且各像素群组经配置成像素单元数组。经安置于第二半导体晶粒中之读出电路获取第一图框及第二图框的影像数据。各像素子数组系透过复数个导体中之一对应者耦合至一对应读出电路。模拟转数码转换器(ADC)电路将来自第一图框及第二图框之影像数据转换成第一ADC输出及第二ADC输出。位于该第二半导体晶粒上的功能逻辑将第一ADC输出与第二ADC输出相加以产生一最终ADC输出。本发明亦描述其他实施例。

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