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1. 发明专利

TW201907535A 具有高佈線密度補片的半導體封裝审中-公开
简体标题：具有高布线密度补片的半导体封装
公开(公告)号：TW201907535A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107138013
申请日：2016-04-14
申请人：美商艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人：凱利麥克 , KELLY, MICHAEL , 胡默艾樂羅德派翠克 , HUEMOELLER, RONALD PATRICK , 錫納樂大衛喬 , HINER, DAVID JON
IPC分类号： H01L23/488
摘要：用於一種具有高佈線密度的佈線補片的半導體封裝之方法及系統係被揭示，並且其可包含一被接合到一基板的半導體晶粒、以及一被接合至該基板以及該半導體晶粒的高佈線密度的補片，其中該高佈線密度的補片係包括一比該基板更稠密的線路密度。該高佈線密度的補片可以是一無矽的整合的模組(SLIM)補片，其係包括一BEOL部分，並且可以是無TSV的。金屬接點可被形成在該基板的一第二表面上。一第二半導體晶粒可被接合至該基板以及該高佈線密度的補片。該高佈線密度的補片可以提供在該些半導體晶粒之間的電互連。該基板可被接合到一矽中介體。該高佈線密度的補片可以具有一10微米或更小的厚度。該基板可以具有一10微米或更小的厚度。
简体摘要：用于一种具有高布线密度的布线补片的半导体封装之方法及系统系被揭示，并且其可包含一被接合到一基板的半导体晶粒、以及一被接合至该基板以及该半导体晶粒的高布线密度的补片，其中该高布线密度的补片系包括一比该基板更稠密的线路密度。该高布线密度的补片可以是一无硅的集成的模块(SLIM)补片，其系包括一BEOL部分，并且可以是无TSV的。金属接点可被形成在该基板的一第二表面上。一第二半导体晶粒可被接合至该基板以及该高布线密度的补片。该高布线密度的补片可以提供在该些半导体晶粒之间的电互连。该基板可被接合到一硅中介体。该高布线密度的补片可以具有一10微米或更小的厚度。该基板可以具有一10微米或更小的厚度。

2. 发明专利

TWI692070B 具有高佈線密度補片的半導體封裝有权
简体标题：具有高布线密度补片的半导体封装
公开(公告)号：TWI692070B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW107138013
申请日：2016-04-14
申请人：美商艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人：凱利麥克 , KELLY, MICHAEL , 胡默艾樂羅德派翠克 , HUEMOELLER, RONALD PATRICK , 錫納樂大衛喬 , HINER, DAVID JON
IPC分类号： H01L23/488

3. 发明专利

TWI649849B 具有高佈線密度補片的半導體封裝有权
简体标题：具有高布线密度补片的半导体封装
公开(公告)号：TWI649849B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW105111577
申请日：2016-04-14
申请人：美商艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人：凱利麥克 , KELLY, MICHAEL , 胡默艾樂羅德派翠克 , HUEMOELLER, RONALD PATRICK , 錫納樂大衛喬 , HINER, DAVID JON
IPC分类号： H01L23/488

4. 发明专利

TW201701432A 具有高佈線密度補片的半導體封裝审中-公开
简体标题：具有高布线密度补片的半导体封装
公开(公告)号：TW201701432A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105111577
申请日：2016-04-14
申请人：艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人：凱利麥克 , KELLY, MICHAEL , 胡默艾樂羅德派翠克 , HUEMOELLER, RONALD PATRICK , 錫納樂大衛喬 , HINER, DAVID JON
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/29294 , H01L2224/2939 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/92125 , H01L2924/01014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/15738 , H01L2924/18161 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要：用於一種具有高佈線密度的佈線補片的半導體封裝之方法及系統係被揭示，並且其可包含一被接合到一基板的半導體晶粒、以及一被接合至該基板以及該半導體晶粒的高佈線密度的補片，其中該高佈線密度的補片係包括一比該基板更稠密的線路密度。該高佈線密度的補片可以是一無矽的整合的模組(SLIM)補片，其係包括一BEOL部分，並且可以是無TSV的。金屬接點可被形成在該基板的一第二表面上。一第二半導體晶粒可被接合至該基板以及該高佈線密度的補片。該高佈線密度的補片可以提供在該些半導體晶粒之間的電互連。該基板可被接合到一矽中介體。該高佈線密度的補片可以具有一10微米或更小的厚度。該基板可以具有一10微米或更小的厚度。
简体摘要：用于一种具有高布线密度的布线补片的半导体封装之方法及系统系被揭示，并且其可包含一被接合到一基板的半导体晶粒、以及一被接合至该基板以及该半导体晶粒的高布线密度的补片，其中该高布线密度的补片系包括一比该基板更稠密的线路密度。该高布线密度的补片可以是一无硅的集成的模块(SLIM)补片，其系包括一BEOL部分，并且可以是无TSV的。金属接点可被形成在该基板的一第二表面上。一第二半导体晶粒可被接合至该基板以及该高布线密度的补片。该高布线密度的补片可以提供在该些半导体晶粒之间的电互连。该基板可被接合到一硅中介体。该高布线密度的补片可以具有一10微米或更小的厚度。该基板可以具有一10微米或更小的厚度。

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