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1. 发明专利

TWI684391B 製造具有增加產量的半導體裝置模組的方法有权
简体标题：制造具有增加产量的半导体设备模块的方法
公开(公告)号：TWI684391B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW107125604
申请日：2018-07-25
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：帕查穆索艾夏克 , PACHAMUTHU, ASHOK , 柳讚炫 , YOO, CHAN H. , 何思瑩 , HO, SZU YING , 凱丁約翰 F , KAEDING, JOHN F.
IPC分类号： H05K3/06 , H01L21/60

2. 发明专利

TW201921625A 具有橫向偏移堆疊之半導體晶粒之半導體裝置审中-公开
简体标题：具有横向偏移堆栈之半导体晶粒之半导体设备
公开(公告)号：TW201921625A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107126265
申请日：2018-07-30
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：游辰 H , YOO, CHAN H. , 帕查穆索艾夏克 , PACHAMUTHU, ASHOK
IPC分类号： H01L23/528 , H01L25/065 , H01L21/60
摘要：本文中揭示包含堆疊半導體晶粒之半導體裝置以及相關聯系統及方法。在一實施例中，一種半導體裝置包含：一第一半導體晶粒，其耦合至一封裝基板；及一第二半導體晶粒，其堆疊於該第一半導體晶粒上方且自該第一半導體晶粒橫向偏移。因此，該第二半導體晶粒可包含延伸超過該第一半導體晶粒之一側且面向該封裝基板之一外伸部分。在一些實施例中，該第二半導體晶粒在該外伸部分處包含數個接合墊，其等經由安置於該等接合墊與該封裝基板之間之導電構件電耦合至該封裝基板。在特定實施例中，該第一半導體晶粒可包含經由導線接合電耦合至該封裝基板之數個第二接合墊。
简体摘要：本文中揭示包含堆栈半导体晶粒之半导体设备以及相关联系统及方法。在一实施例中，一种半导体设备包含：一第一半导体晶粒，其耦合至一封装基板；及一第二半导体晶粒，其堆栈于该第一半导体晶粒上方且自该第一半导体晶粒横向偏移。因此，该第二半导体晶粒可包含延伸超过该第一半导体晶粒之一侧且面向该封装基板之一外伸部分。在一些实施例中，该第二半导体晶粒在该外伸部分处包含数个接合垫，其等经由安置于该等接合垫与该封装基板之间之导电构件电耦合至该封装基板。在特定实施例中，该第一半导体晶粒可包含经由导线接合电耦合至该封装基板之数个第二接合垫。

3. 发明专利

TW201921614A 具有反向堆積混合式添加結構之穿模柱封裝审中-公开
简体标题：具有反向堆积混合式添加结构之穿模柱封装
公开(公告)号：TW201921614A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107126681
申请日：2018-08-01
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：游辰 H , YOO, CHAN H. , 凱汀約翰 F , KAEDING, JOHN F. , 帕查穆索艾夏克 , PACHAMUTHU, ASHOK , 朵杜馬克 E , TUTTLE, MARK E.
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L25/065 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要：本文中揭示具有電耦合至一重佈結構之一半導體晶粒及位於該重佈結構上方之一模製材料之半導體裝置以及相關聯系統及方法。在一實施例中，一種半導體裝置包含附著至一無基板重佈結構之一第一側之一半導體晶粒及延伸穿過安置於該重佈結構之該第一側上之一模製材料之複數個導電柱。該半導體裝置亦可包含位於該模製材料上且電耦合至該等導電柱之一第二重佈結構。可使用一單一載體且需要僅對一半導體裝置之一單一側之處理來製造該半導體裝置。
简体摘要：本文中揭示具有电耦合至一重布结构之一半导体晶粒及位于该重布结构上方之一模制材料之半导体设备以及相关联系统及方法。在一实施例中，一种半导体设备包含附着至一无基板重布结构之一第一侧之一半导体晶粒及延伸穿过安置于该重布结构之该第一侧上之一模制材料之复数个导电柱。该半导体设备亦可包含位于该模制材料上且电耦合至该等导电柱之一第二重布结构。可使用一单一载体且需要仅对一半导体设备之一单一侧之处理来制造该半导体设备。

4. 发明专利

TWI695463B 具有反向堆積混合式添加結構之穿模柱封裝有权
简体标题：具有反向堆积混合式添加结构之穿模柱封装
公开(公告)号：TWI695463B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107126681
申请日：2018-08-01
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：游辰 H , YOO, CHAN H. , 凱汀約翰 F , KAEDING, JOHN F. , 帕查穆索艾夏克 , PACHAMUTHU, ASHOK , 朵杜馬克 E , TUTTLE, MARK E.
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L25/065 , H01L21/56 , H01L21/60

5. 发明专利

TWI685901B 在所有溫度下具有低翹曲之雙面扇出封裝有权
简体标题：在所有温度下具有低翘曲之双面扇出封装
公开(公告)号：TWI685901B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW107125986
申请日：2018-07-27
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：游辰 H , YOO, CHAN H. , 朵杜馬克 E , TUTTLE, MARK E.
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/065 , H01L25/18

6. 发明专利

TW202022953A 包含增強結構之重新分佈層及相關之半導體裝置封裝、系統及方法审中-公开
简体标题：包含增强结构之重新分布层及相关之半导体设备封装、系统及方法
公开(公告)号：TW202022953A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108128471
申请日：2019-08-12
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：全炫錫 , CHUN, HYUNSUK , 游辰 H , YOO, CHAN H. , 特南翠西 N , TENNANT, TRACY N.
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/31 , H01L23/498
摘要：本發明係關於包含增強結構之重新分佈層及相關之半導體裝置封裝、系統及方法。一種重新分佈層結構之實施例包括一低k介電材料，且併入有接近該重新分佈層結構之一周邊邊緣且自該周邊邊緣朝內的一增強結構，該增強結構包括經由該RDL結構與導電路徑電隔離之導電材料。
简体摘要：本发明系关于包含增强结构之重新分布层及相关之半导体设备封装、系统及方法。一种重新分布层结构之实施例包括一低k介电材料，且并入有接近该重新分布层结构之一周边边缘且自该周边边缘朝内的一增强结构，该增强结构包括经由该RDL结构与导电路径电隔离之导电材料。

7. 发明专利

TW201921532A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201921532A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107129211
申请日：2018-08-22
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：全炫錫 , CHUN, HYUNSUK , 阿利霏恩雪姆斯 U , ARIFEEN, SHAMS U. , 游辰 H , YOO, CHAN H. , 特南翠西 N , TENNANT, TRACY N.
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/30
摘要：一種半導體裝置具有一半導體晶粒、一重佈層(RDL)及一囊封劑。該RDL層可形成於該半導體晶粒之一第一表面上。該囊封劑可圍封該半導體晶粒之一第二表面及側表面。該囊封劑可圍封該RDL之側部。
简体摘要：一种半导体设备具有一半导体晶粒、一重布层(RDL)及一囊封剂。该RDL层可形成于该半导体晶粒之一第一表面上。该囊封剂可围封该半导体晶粒之一第二表面及侧表面。该囊封剂可围封该RDL之侧部。

8. 发明专利

TW201911985A 製造具有增加產量的半導體裝置模組的方法审中-公开
简体标题：制造具有增加产量的半导体设备模块的方法
公开(公告)号：TW201911985A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107125604
申请日：2018-07-25
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：帕查穆索艾夏克 , PACHAMUTHU, ASHOK , 柳讚炫 , YOO, CHAN H. , 何思瑩 , HO, SZU YING , 凱丁約翰 F , KAEDING, JOHN F.
IPC分类号： H05K3/06 , H01L21/60
摘要：製造半導體裝置模組之方法可涉及在一犧牲材料中形成孔，且將一導電材料放置於該等孔中。可移除該犧牲材料以曝露該導電材料之柱。可在移除該犧牲材料之後，將一半導體晶粒堆疊放置於該等柱之至少兩者之間，該堆疊之該等半導體晶粒之一者包含一作用表面，該作用表面面向與該堆疊之該等半導體晶粒之另一者之另一作用表面之一方向相反之一方向。該等柱及該半導體晶粒堆疊可至少被橫向囊封於一囊封劑中。可在至少橫向囊封該等柱及該半導體晶粒堆疊之後，將該等半導體晶粒之該一者之接合墊電連接至對應柱。
简体摘要：制造半导体设备模块之方法可涉及在一牺牲材料中形成孔，且将一导电材料放置于该等孔中。可移除该牺牲材料以曝露该导电材料之柱。可在移除该牺牲材料之后，将一半导体晶粒堆栈放置于该等柱之至少两者之间，该堆栈之该等半导体晶粒之一者包含一作用表面，该作用表面面向与该堆栈之该等半导体晶粒之另一者之另一作用表面之一方向相反之一方向。该等柱及该半导体晶粒堆栈可至少被横向囊封于一囊封剂中。可在至少横向囊封该等柱及该半导体晶粒堆栈之后，将该等半导体晶粒之该一者之接合垫电连接至对应柱。

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