专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201817830A 面漆組合物及圖案形成方法审中-公开
简体标题：面漆组合物及图案形成方法
公开(公告)号：TW201817830A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106136565
申请日：2017-10-24
申请人：美商羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 劉聰 , LIU, CONG , 康桃樂絲 , KANG, DORIS , 李明琦 , LI, MINGQI , 王德岩 , WANG, DEYAN , 周華興 , ZHOU, HUAXING
IPC分类号： C09D133/00 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/20
摘要：一種面漆組合物，包括：基質聚合物；表面活性聚合物，包括由以下通式(I)的單體形成的聚合單元：其中：R1表示H、F、甲基或氟化甲基；R2表示視情況經取代之C1至C8伸烷基或視情況經取代之C1至C8氟伸烷基，視情況包括一個或多個雜原子；R3表示H、F、視情況經取代之C1至C10烷基或視情況經取代之C5至C15芳基，視情況包括一個或多個雜原子；R4表示視情況經取代之C1至C8烷基、視情況經取代之C1至C8氟烷基或視情況經取代之C5至C15芳基，視情況包括一個或多個雜原子；X表示O、S或NR5，其中R5選自氫及視情況經取代之C1至C5烷基；且a是0或1；以及溶劑。亦提供利用所述面漆組合物的經塗佈基板及圖案形成方法。本發明尤其適用於光微影製程中作為光致抗蝕劑面漆層來製造半導體裝置。
简体摘要：一种面漆组合物，包括：基质聚合物；表面活性聚合物，包括由以下通式(I)的单体形成的聚合单元：其中：R1表示H、F、甲基或氟化甲基；R2表示视情况经取代之C1至C8伸烷基或视情况经取代之C1至C8氟伸烷基，视情况包括一个或多个杂原子；R3表示H、F、视情况经取代之C1至C10烷基或视情况经取代之C5至C15芳基，视情况包括一个或多个杂原子；R4表示视情况经取代之C1至C8烷基、视情况经取代之C1至C8氟烷基或视情况经取代之C5至C15芳基，视情况包括一个或多个杂原子；X表示O、S或NR5，其中R5选自氢及视情况经取代之C1至C5烷基；且a是0或1；以及溶剂。亦提供利用所述面漆组合物的经涂布基板及图案形成方法。本发明尤其适用于光微影制程中作为光致抗蚀剂面漆层来制造半导体设备。

2. 发明专利

TW201708442A 圖案處理方法审中-公开
简体标题：图案处理方法
公开(公告)号：TW201708442A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105117280
申请日：2016-06-01
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：周華興 , ZHOU, HUAXING , 李明琦 , LI, MINGQI , 珍恩維保 , JAIN, VIPUL , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 胡斯塔德飛利浦D , HUSTAD, PHILLIP D. , 成鎭旭 , SUNG, JIN WUK
IPC分类号： C09D153/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , C08F293/00 , C09D153/00 , G03F7/002 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/165 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0274
摘要：本發明係關於圖案處理方法，其包括：(a)提供半導體基板，其在其表面上包括圖案化特徵；(b)向所述圖案化特徵施用圖案處理組合物，其中所述圖案處理組合物包括嵌段共聚物及溶劑，其中所述嵌段共聚物包括第一嵌段及第二嵌段，其中所述第一嵌段包括由第一單體形成之單元，所述第一單體包括烯系不飽和可聚合基團及氫受體基團，其中所述氫受體基團為含氮基團，且所述第二嵌段包括由第二單體形成之單元，所述第二單體包括烯系不飽和可聚合基團及環狀脂族基團；以及(c)將殘餘圖案處理組合物自基板洗去，留下結合於所述圖案化特徵之嵌段共聚物部分。所述方法尤其適用於製造提供高解析度圖案之半導體裝置。
简体摘要：本发明系关于图案处理方法，其包括：(a)提供半导体基板，其在其表面上包括图案化特征；(b)向所述图案化特征施用图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包括嵌段共聚物及溶剂，其中所述嵌段共聚物包括第一嵌段及第二嵌段，其中所述第一嵌段包括由第一单体形成之单元，所述第一单体包括烯系不饱和可聚合基团及氢受体基团，其中所述氢受体基团为含氮基团，且所述第二嵌段包括由第二单体形成之单元，所述第二单体包括烯系不饱和可聚合基团及环状脂族基团；以及(c)将残余图案处理组合物自基板洗去，留下结合于所述图案化特征之嵌段共聚物部分。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案之半导体设备。

3. 发明专利

TWI627220B 用於圖案處理之組合物及方法有权
简体标题：用于图案处理之组合物及方法
公开(公告)号：TWI627220B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW105116936
申请日：2016-05-30
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：珍恩維保 , JAIN, VIPUL , 李明琦 , LI, MINGQI , 周華興 , ZHOU, HUAXING , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 胡斯塔德飛利浦D , HUSTAD, PHILLIP D. , 成鎭旭 , SUNG, JIN WUK
IPC分类号： C08L53/00 , C08K5/07 , C08K5/101 , G03F7/40 , H01L21/027

4. 发明专利

TW201716524A 嵌段共聚物及圖案處理組合物以及方法审中-公开
简体标题：嵌段共聚物及图案处理组合物以及方法
公开(公告)号：TW201716524A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105133101
申请日：2016-10-13
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：周華興 , ZHOU, HUAXING , 珍恩維保 , JAIN, VIPUL , 成鎭旭 , SUNG, JIN WUK , 特萊弗納斯彼得III , TREFONAS, PETER III , 胡斯塔德飛利浦D , HUSTAD, PHILLIP D. , 李明琦 , LI, MINGQI
IPC分类号： C09D153/00 , G03F7/038 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , B81C2201/0149 , C08F293/00 , C08F293/005 , C08F2438/03 , C08L53/00 , C09D153/00 , C09D183/10 , G03F7/0045 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/165 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/31144
摘要：嵌段共聚物包括有包括交替共聚物之第一嵌段，及包括有包括氫受體之單元之第二嵌段。嵌段共聚物在圖案收縮組合物及半導體裝置製造方法中具有特定用途，用於提供高解析度圖案。
简体摘要：嵌段共聚物包括有包括交替共聚物之第一嵌段，及包括有包括氢受体之单元之第二嵌段。嵌段共聚物在图案收缩组合物及半导体设备制造方法中具有特定用途，用于提供高分辨率图案。

5. 发明专利

TWI615460B 用於圖案處理的組合物和方法有权
简体标题：用于图案处理的组合物和方法
公开(公告)号：TWI615460B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105116935
申请日：2016-05-30
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：珍恩維保 , JAIN, VIPUL , 李明琦 , LI, MINGQI , 周華興 , ZHOU, HUAXING , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 胡斯塔德飛利浦D , HUSTAD, PHILLIP D. , 成鎭旭 , SUNG, JIN WUK
IPC分类号： C09K3/00 , C08L53/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08F293/00 , C09D153/00 , G03F7/002 , G03F7/0397 , G03F7/165 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/325 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0274

7. 发明专利

TWI606099B 圖案處理方法有权
简体标题：图案处理方法
公开(公告)号：TWI606099B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105117280
申请日：2016-06-01
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：周華興 , ZHOU, HUAXING , 李明琦 , LI, MINGQI , 珍恩維保 , JAIN, VIPUL , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 胡斯塔德飛利浦D , HUSTAD, PHILLIP D. , 成鎭旭 , SUNG, JIN WUK
IPC分类号： C09D153/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , C08F293/00 , C09D153/00 , G03F7/002 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/165 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0274

8. 发明专利

TW201643565A 圖案處理方法审中-公开
简体标题：图案处理方法
公开(公告)号：TW201643565A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105116934
申请日：2016-05-30
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：珍恩維保 , JAIN, VIPUL , 李明琦 , LI, MINGQI , 周華興 , ZHOU, HUAXING , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 胡斯塔德飛利浦D , HUSTAD, PHILLIP D. , 成鎭旭 , SUNG, JIN WUK
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/165 , C08F293/00 , C09D153/00 , G03F7/002 , G03F7/0397 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/325 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0274
摘要：本發明係關於圖案處理方法，其包括：(a)提供半導體基板，其在其表面上包括圖案化特徵；(b)向圖案化特徵施用圖案處理組合物，其中所述圖案處理組合物包括嵌段共聚物及溶劑，其中所述嵌段共聚物包括第一嵌段及第二嵌段，其中所述第一嵌段包括由第一單體形成之單元，所述第一單體包括烯系不飽和可聚合基團及氫受體基團，其中氫受體基團為含氮基團，且第二嵌段包括由第二單體形成之單元，所述第二單體包括烯系不飽和可聚合基團及芳族基，其限制條件為第二單體不為苯乙烯；以及(c)將殘餘圖案處理組合物自基板洗去，留下結合於圖案化特徵之嵌段共聚物部分。所述方法尤其適用於製造提供高解析度圖案之半導體裝置。
简体摘要：本发明系关于图案处理方法，其包括：(a)提供半导体基板，其在其表面上包括图案化特征；(b)向图案化特征施用图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包括嵌段共聚物及溶剂，其中所述嵌段共聚物包括第一嵌段及第二嵌段，其中所述第一嵌段包括由第一单体形成之单元，所述第一单体包括烯系不饱和可聚合基团及氢受体基团，其中氢受体基团为含氮基团，且第二嵌段包括由第二单体形成之单元，所述第二单体包括烯系不饱和可聚合基团及芳族基，其限制条件为第二单体不为苯乙烯；以及(c)将残余图案处理组合物自基板洗去，留下结合于图案化特征之嵌段共聚物部分。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案之半导体设备。

9. 发明专利

TWI617900B 圖案處理方法有权
简体标题：图案处理方法
公开(公告)号：TWI617900B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105116934
申请日：2016-05-30
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：珍恩維保 , JAIN, VIPUL , 李明琦 , LI, MINGQI , 周華興 , ZHOU, HUAXING , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 胡斯塔德飛利浦D , HUSTAD, PHILLIP D. , 成鎭旭 , SUNG, JIN WUK
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/165 , C08F293/00 , C09D153/00 , G03F7/002 , G03F7/0397 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/325 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0274

10. 发明专利

TW201643232A 用於圖案處理的組合物和方法审中-公开
简体标题：用于图案处理的组合物和方法
公开(公告)号：TW201643232A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105116935
申请日：2016-05-30
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：珍恩維保 , JAIN, VIPUL , 李明琦 , LI, MINGQI , 周華興 , ZHOU, HUAXING , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 胡斯塔德飛利浦D , HUSTAD, PHILLIP D. , 成鎭旭 , SUNG, JIN WUK
IPC分类号： C09K3/00 , C08L53/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08F293/00 , C09D153/00 , G03F7/002 , G03F7/0397 , G03F7/165 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/325 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0274
摘要：圖案處理組合物包括嵌段共聚物及有機溶劑。所述嵌段共聚物包括第一嵌段及第二嵌段。所述第一嵌段包括由第一單體形成之單元，所述第一單體包括烯系不飽和可聚合基團及氫受體基團，其中所述氫受體基團為含氮基團。所述第二嵌段包括由第二單體形成之單元，所述第二單體包括烯系不飽和可聚合基團及芳族基團，其限制條件為所述第二單體不為苯乙烯。其中：(i)所述第二嵌段包括由第三單體形成之單元，所述第三單體包括烯系不飽和可聚合基團，且所述第二單體與所述第三單體不同；及/或(ii)所述嵌段共聚物包括第三嵌段，所述第三嵌段包括由第四單體形成之單元，所述第四單體包括烯系不飽和可聚合基團。亦提供使用所描述之組合物的圖案處理方法。所述圖案處理組合物及方法在半導體裝置製造中發現特定可應用性，用於提供高解析度圖案。
简体摘要：图案处理组合物包括嵌段共聚物及有机溶剂。所述嵌段共聚物包括第一嵌段及第二嵌段。所述第一嵌段包括由第一单体形成之单元，所述第一单体包括烯系不饱和可聚合基团及氢受体基团，其中所述氢受体基团为含氮基团。所述第二嵌段包括由第二单体形成之单元，所述第二单体包括烯系不饱和可聚合基团及芳族基团，其限制条件为所述第二单体不为苯乙烯。其中：(i)所述第二嵌段包括由第三单体形成之单元，所述第三单体包括烯系不饱和可聚合基团，且所述第二单体与所述第三单体不同；及/或(ii)所述嵌段共聚物包括第三嵌段，所述第三嵌段包括由第四单体形成之单元，所述第四单体包括烯系不饱和可聚合基团。亦提供使用所描述之组合物的图案处理方法。所述图案处理组合物及方法在半导体设备制造中发现特定可应用性，用于提供高分辨率图案。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式