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1. 发明专利

TW201903206A 用於腔室組件之多層電漿腐蝕保護审中-公开
简体标题：用于腔室组件之多层等离子腐蚀保护
公开(公告)号：TW201903206A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107115900
申请日：2018-05-10
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔恩托恩 , TRAN, TOAN , 拉卡薛斯瓦卡利塔 , LAKSHESWAR, KALITA , 金泰源 , KIM, TAE WON , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 鄔笑煒 , WU, XIAOWEI , 賀小明 , HE, XIAO-MING , 周政玄 , CHOU, CHENG HSUAN , 孫語南 , SUN, JENNIFER Y.
IPC分类号： C23C28/04 , H01L21/3065 , H01L21/67
摘要：一種在製品上施加多層抗電漿塗層的方法包括執行鍍覆或ALD以在製品上形成保形的第一抗電漿層，其中保形的第一抗電漿層被形成在製品的表面上以及製品中的高深寬比特徵的壁上。保形的第一抗電漿塗層具有大約0%的孔隙率和大約200奈米至大約1微米的厚度。隨後執行電子束離子輔助沉積（EB-IAD）、電漿增強化學氣相沉積（PECVD）、氣溶膠沉積或電漿噴塗中的一者，以形成第二抗電漿層，該第二抗電漿層覆蓋該表面的一區域處的該保形的第一抗電漿層，但不覆蓋該高深寬比特徵的該壁處的該保形的第一抗電漿層。
简体摘要：一种在制品上施加多层抗等离子涂层的方法包括运行镀覆或ALD以在制品上形成保形的第一抗等离子层，其中保形的第一抗等离子层被形成在制品的表面上以及制品中的高深宽比特征的壁上。保形的第一抗等离子涂层具有大约0%的孔隙率和大约200奈米至大约1微米的厚度。随后运行电子束离子辅助沉积（EB-IAD）、等离子增强化学气相沉积（PECVD）、气溶胶沉积或等离子喷涂中的一者，以形成第二抗等离子层，该第二抗等离子层覆盖该表面的一区域处的该保形的第一抗等离子层，但不覆盖该高深宽比特征的该壁处的该保形的第一抗等离子层。

2. 发明专利

TW201842608A 於後選擇性蝕刻製程中減少基板上粒子形成之設備及方法审中-公开
简体标题：于后选择性蚀刻制程中减少基板上粒子形成之设备及方法
公开(公告)号：TW201842608A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107103218
申请日：2018-01-30
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：辛沙拉傑特 , SINGH, SARAVJEET , 曹永崙 , TSO, ALAN , 金泰元 , KIM, TAE WON
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306 , B08B7/00 , B08B15/00
摘要：本揭露內容大致關於減少基板表面上的粒子污染物的設備與方法。在一個實例中，設備體現成裝載閘腔室，包括配置在加熱器基座上方且耦接至加熱器基座的頂部加熱器襯裡。頂部加熱器襯裡大致包括頂部板與支撐頂部加熱器襯裡於加熱器基座上方的一或多個壁。由於頂部加熱器襯裡接觸加熱器基座，頂部加熱器襯裡大致上被加熱至汙染粒子係揮發性的溫度(例如，大於約100°C)。在運作中，通過或鄰近熱頂部加熱器襯裡的揮發性氟保持氣態形式並因此排出裝載閘腔室。頂部加熱器襯裡因而有利地減少汙染粒子沉積於基板表面上的可能性並改善整體產率。
简体摘要：本揭露内容大致关于减少基板表面上的粒子污染物的设备与方法。在一个实例中，设备体现成装载闸腔室，包括配置在加热器基座上方且耦接至加热器基座的顶部加热器衬里。顶部加热器衬里大致包括顶部板与支撑顶部加热器衬里于加热器基座上方的一或多个壁。由于顶部加热器衬里接触加热器基座，顶部加热器衬里大致上被加热至污染粒子系挥发性的温度(例如，大于约100°C)。在运作中，通过或邻近热顶部加热器衬里的挥发性氟保持气态形式并因此排出装载闸腔室。顶部加热器衬里因而有利地减少污染粒子沉积于基板表面上的可能性并改善整体产率。

3. 实用新型

TWM574331U 具有多層電漿腐蝕保護的製品有权
简体标题：具有多层等离子腐蚀保护的制品
公开(公告)号：TWM574331U
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW107206105
申请日：2018-05-10
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔恩托恩 , TRAN, TOAN , 拉卡薛斯瓦卡利塔 , LAKSHESWAR, KALITA , 金泰源 , KIM, TAE WON , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 鄔笑煒 , WU, XIAOWEI , 賀小明 , HE, XIAOMING , 周政玄 , CHOU, CHENG HSUAN , 孫語南 , SUN, JENNIFER Y.
IPC分类号： H01L21/3065

4. 发明专利

TWI508160B 用以蝕刻半導體結構之脈衝式電漿系統有权
简体标题：用以蚀刻半导体结构之脉冲式等离子系统
公开(公告)号：TWI508160B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW097106371
申请日：2008-02-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：金泰元 , KIM, TAE WON , 李慶泰 , LEE, KYEONG-TAE , 彼得森亞歷桑德 , PATERSON, ALEXANDER , 杜德羅范倫提N , TODOROW, VALENTIN N. , 戴希繆克沙珊克C , DESHMUKH, SHASHANK C.
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/67069

5. 发明专利

TWI458008B 用於蝕刻半導體結構之具有脈衝樣品偏壓的脈衝電漿系統失效
简体标题：用于蚀刻半导体结构之具有脉冲样品偏压的脉冲等离子系统
公开(公告)号：TWI458008B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW097106108
申请日：2008-02-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：金泰元 , KIM, TAE WON , 李慶泰 , LEE, KYEONG-TAE , 彼得森亞歷桑德 , PATERSON, ALEXANDER , 杜德羅范倫提N. , TODOROV, VALENTIN N. , 戴希繆克沙珊克C. , DESHMUKH, SHASHANK C.
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , C23F4/00 , H01J37/32009 , H01L21/3065 , H01L21/32137

6. 发明专利

TWI466186B 消除感應耦合電漿反應器中之Ｍ形蝕刻速率分佈之方法有权
简体标题：消除感应耦合等离子反应器中之Ｍ形蚀刻速率分布之方法
公开(公告)号：TWI466186B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW097115107
申请日：2008-04-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：尤史帝芬 , YUEN, STEPHEN , 李慶泰 , LEE, KYEONG-TAE , 托多羅瓦倫汀 , TODOROW, VALENTIN , 金泰元 , KIM, TAE WON , 阿尼舒爾可罕 , KHAN, ANISUL , 戴希繆克沙珊克 , DESHMUKH, SHASHANK
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/321

7. 发明专利

TWI452624B 具有脈衝反應氣體補充以用於蝕刻半導體結構之脈衝電漿系統失效
简体标题：具有脉冲反应气体补充以用于蚀刻半导体结构之脉冲等离子系统
公开(公告)号：TWI452624B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW097106355
申请日：2008-02-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：金泰元 , KIM, TAE WON , 李慶泰 , LEE, KYEONG-TAE , 彼得森亞歷桑德 , PATERSON, ALEXANDER , 杜德羅范倫提N , TODOROV, VALENTIN N. , 戴希繆克沙珊克C , DESHMUKH, SHASHANK C.
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32137 , H01L21/3065 , H01L21/31116

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