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1. 发明专利

TW200523401A 蝕刻液、其補給液、使用其等之蝕刻方法及佈線基板之製造方法审中-公开
简体标题：蚀刻液、其补给液、使用其等之蚀刻方法及布线基板之制造方法
公开(公告)号：TW200523401A
公开(公告)日：2005-07-16
申请号：TW093133581
申请日：2004-11-04
申请人：美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
发明人：栗山雅代 , 大串亮 , 秋山大作 , 漆薰
IPC分类号： C23F
CPC分类号： H05K3/26 , C23F1/28 , C23F1/30 , H05K3/181 , H05K2201/0761 , H05K2203/0789 , H05K2203/124
摘要：本發明之蝕刻液係含有鹽酸、硝酸和二價銅(cupric)離子源的水溶液。本發明的蝕刻方法是將上述金屬與上述蝕刻液接觸。本發明之另一種蝕刻方法是，在將上述金屬表面與由至少含有如下A～C的水溶液組成的第1液(A.鹽酸；B.含有硫原子且含有至少1種選自胺基、亞胺基、羧基、羰基和羥基之基的碳原子數7以下的化合物，唑及唑系化合物所選出的至少一種；C.界面活性劑)接觸後，再與含有鹽酸、硝酸和二價銅離子源的水溶液所構成之第2液接觸。藉此，可提供能夠將選自鎳、鉻、鎳鉻合金和鈀的至少一種金屬迅速地蝕刻，並且降低銅的過度溶解之蝕刻液及使用其之蝕刻方法。
简体摘要：本发明之蚀刻液系含有盐酸、硝酸和二价铜(cupric)离子源的水溶液。本发明的蚀刻方法是将上述金属与上述蚀刻液接触。本发明之另一种蚀刻方法是，在将上述金属表面与由至少含有如下A～C的水溶液组成的第1液(A.盐酸；B.含有硫原子且含有至少1种选自胺基、亚胺基、羧基、羰基和羟基之基的碳原子数7以下的化合物，唑及唑系化合物所选出的至少一种；C.界面活性剂)接触后，再与含有盐酸、硝酸和二价铜离子源的水溶液所构成之第2液接触。借此，可提供能够将选自镍、铬、镍铬合金和钯的至少一种金属迅速地蚀刻，并且降低铜的过度溶解之蚀刻液及使用其之蚀刻方法。

2. 发明专利

TW200417304A 蝕刻液失效
简体标题：蚀刻液
公开(公告)号：TW200417304A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092132879
申请日：2003-11-24
申请人：美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
发明人：栗山雅代 , 大串亮 , 秋山大作
IPC分类号： H05K
摘要：本發明之目的為提供一種可將鎳、鉻或鎳．鉻合金迅速溶解，並可抑制銅腐蝕的蝕刻液。本發明之解決方法是將1～50重量％的硫酸、0.1～20重量％的鹽酸、0.01～20重量％的具有捕捉銅離子功能的銅腐蝕抑制成分與水配製成蝕刻液。上述銅腐蝕抑制成分例如有：含有硫原子，且含有至少一種選自胺基、亞胺基、羧基、羰基及羥基的取代基的碳原子數為7以下的化合物；唑；唑系化合物；烷銨(benzalkonium)；以及烷基醇醯胺等。
简体摘要：本发明之目的为提供一种可将镍、铬或镍．铬合金迅速溶解，并可抑制铜腐蚀的蚀刻液。本发明之解决方法是将1～50重量％的硫酸、0.1～20重量％的盐酸、0.01～20重量％的具有捕捉铜离子功能的铜腐蚀抑制成分与水配制成蚀刻液。上述铜腐蚀抑制成分例如有：含有硫原子，且含有至少一种选自胺基、亚胺基、羧基、羰基及羟基的取代基的碳原子数为7以下的化合物；唑；唑系化合物；烷铵(benzalkonium)；以及烷基醇酰胺等。

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