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1. 发明专利

TW200827392A 纖維複合材料及其製造方法审中-公开
简体标题：纤维复合材料及其制造方法
公开(公告)号：TW200827392A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW096126026
申请日：2007-07-17
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD. , 先鋒股份有限公司 PIONEER CORPORATION , 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：矢野浩之 YANO, HIROYUKI , 能木雅也 NOGI, MASAYA , 阿部賢太郎 ABE, KENTARO , 伊福伸介 IFUKU, SHINSUKE , 下地規之 SHIMOJI, NORIYUKI , 奧良彰 OKU, YOSHIAKI , 奧山優 OKUYAMA, SUGURU
IPC分类号： C08J , B32B , D06M , D21H
CPC分类号： D21H21/26 , Y10T428/26 , Y10T428/269 , Y10T442/20 , Y10T442/614
摘要：本發明之課題係提供一種可抑制原材料之使用量,使製造步驟簡略化,又,可維持纖維材料之優異功能,為高撓性且低熱膨脹之高透明性之纖維複合材料者。本發明之解決手段係具備,平均纖維徑為4-200nm,50��m厚可視光透過率為3%以上之纖維集合體,與塗佈此纖維集合體表面予以平滑化之塗佈層,50��m厚可視光透過率為60%以上之纖維複合材料。在此種纖維集合體,係使表面以塗佈層塗佈予以平滑化下,可抑制起因於表面凹凸形狀之光的散射,可獲得高透明纖維複合材料。
简体摘要：本发明之课题系提供一种可抑制原材料之使用量,使制造步骤简略化,又,可维持纤维材料之优异功能,为高挠性且低热膨胀之高透明性之纤维复合材料者。本发明之解决手段系具备,平均纤维径为4-200nm,50��m厚可视光透过率为3%以上之纤维集合体,与涂布此纤维集合体表面予以平滑化之涂布层,50��m厚可视光透过率为60%以上之纤维复合材料。在此种纤维集合体,系使表面以涂布层涂布予以平滑化下,可抑制起因于表面凹凸形状之光的散射,可获得高透明纤维复合材料。

2. 发明专利

TW200905941A 複合型有機發光電晶體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：复合型有机发光晶体管组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200905941A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW097105374
申请日：2008-02-15
申请人：先鋒公司 PIONEER CORPORATION , 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. , 羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：下地規之 SHIMOJI, NORIYUKI , 奧山優 OKUYAMA, SUGURU , 奧良彰 OKU, YOSHIAKI
IPC分类号： H01L , H05B
CPC分类号： H01L27/3274 , H01L27/3248 , H01L51/0055 , H01L51/006 , H01L51/0081 , H01L51/0541
摘要：本發明提供一種複合型有機發光電晶體元件及其製造方法。該複合型有機發光電晶體元件,係具備:被配置於同一基板(101)上之至少1個有機發光二極體元件(102)與至少1個有機薄膜電晶體元件(103)的複合型有機發光體晶體元件,其特徵係前述有機發光二極體元件(102)具有被配置於陽極(104)與陰極(105)之間之第1有機物層(106),且前述有機薄膜電晶體元件(103)具有被配置於源電極(112)及汲電極(113)上之第2有機物層(114),前述第1有機物層(106)與前述第2有機物層(114)係以空間分離著,構成前述第2有機物層(114)之有機材料係與構成前述第1有機物層(106)的有機材料相同。如採用本發明,則可容易製得經降低像素尺寸而提升開口比之複合型有機發光電晶體。
简体摘要：本发明提供一种复合型有机发光晶体管组件及其制造方法。该复合型有机发光晶体管组件,系具备:被配置于同一基板(101)上之至少1个有机发光二极管组件(102)与至少1个有机薄膜晶体管组件(103)的复合型有机发光体晶体组件,其特征系前述有机发光二极管组件(102)具有被配置于阳极(104)与阴极(105)之间之第1有机物层(106),且前述有机薄膜晶体管组件(103)具有被配置于源电极(112)及汲电极(113)上之第2有机物层(114),前述第1有机物层(106)与前述第2有机物层(114)系以空间分离着,构成前述第2有机物层(114)之有机材料系与构成前述第1有机物层(106)的有机材料相同。如采用本发明,则可容易制得经降低像素尺寸而提升开口比之复合型有机发光晶体管。

3. 发明专利

TW200618113A 半導體裝置之製造方法及使用該方法所形成之半導體裝置 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE MADE BY USING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及使用该方法所形成之半导体设备 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE MADE BY USING THE SAME
公开(公告)号：TW200618113A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094130048
申请日：2005-09-02
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD. , 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. , 三井化學股份有限公司 MITSUI CHEMICALS, INC.
发明人：奧良彰 OKU, YOSHIAKI , 藤井宜年 FUJII, NOBUTOSHI , 高村一夫 KOHMURA, KAZUO
IPC分类号： H01L , C01B
CPC分类号： H01L21/76826 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L2221/1047
摘要：本發明係提供一種可提升電介質薄膜與導體層之密著性並具備高可靠性之配線構造的半導體裝置。本發明之方法，係包含：對於以Si–O鍵結為主成分之骨架之周圍配置有多數空孔之電介質薄膜表面，供給反應性電漿而進行前處理之步驟；以及藉由濺射法於已進行前處理之前述電介質薄膜表面形成導電性膜之步驟的半導體裝置之製造方法，在前述前處理步驟之前，包含有：使含有四甲基環四矽氧烷(TMCTS：tetramethyl cyclotetrasiloxane)、六甲基二矽烷基胺(HMDS：hexamethyl silazane)三甲基氯矽烷(TMCS：trimethyl chloro silane)分子之至少一種分子的氣體接觸前述電介質薄膜表面的步驟。
简体摘要：本发明系提供一种可提升电介质薄膜与导体层之密着性并具备高可靠性之配线构造的半导体设备。本发明之方法，系包含：对于以Si–O键结为主成分之骨架之周围配置有多数空孔之电介质薄膜表面，供给反应性等离子而进行前处理之步骤；以及借由溅射法于已进行前处理之前述电介质薄膜表面形成导电性膜之步骤的半导体设备之制造方法，在前述前处理步骤之前，包含有：使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS：tetramethyl cyclotetrasiloxane)、六甲基二硅烷基胺(HMDS：hexamethyl silazane)三甲基氯硅烷(TMCS：trimethyl chloro silane)分子之至少一种分子的气体接触前述电介质薄膜表面的步骤。

4. 发明专利

TW200921961A 有機半導體裝置审中-公开
简体标题：有机半导体设备
公开(公告)号：TW200921961A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097137621
申请日：2008-09-30
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：奧良彰 OKU, YOSHIAKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0529 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要：提供適合用於具有低電壓驅動、高驅動電流之有機薄膜電晶體之集成化的有機半導體裝置。具備有機薄膜電晶體,前述有機薄膜電晶體具備:基板(10);配置於基板(10)上之閘極電極(12);配置於閘極電極(12)上之第1閘極絕緣膜(15);配置於第1閘極絕緣膜(15)上之第2閘極絕緣膜(17);配置於第2閘極絕緣膜(17)上之由第1金屬層(16、18)及第2金屬層(20、22)之層狀構造所構成之源極電極(16、20)及汲極電極(18、22);以及配置於源極電極(16、20)與汲極電極(18、22)間之閘極絕緣膜(17)上之有機半導體層(24);且,第1閘極絕緣膜(15)係由介電常數高於第2閘極絕緣膜(17)之絕緣膜所構成,第2閘極絕緣膜(17)係由薄於第1閘極絕緣膜(15)之矽氧化膜所構成,全體為具有層積型閘極絕緣膜構造。
简体摘要：提供适合用于具有低电压驱动、高驱动电流之有机薄膜晶体管之集成化的有机半导体设备。具备有机薄膜晶体管,前述有机薄膜晶体管具备:基板(10);配置于基板(10)上之闸极电极(12);配置于闸极电极(12)上之第1闸极绝缘膜(15);配置于第1闸极绝缘膜(15)上之第2闸极绝缘膜(17);配置于第2闸极绝缘膜(17)上之由第1金属层(16、18)及第2金属层(20、22)之层状构造所构成之源极电极(16、20)及汲极电极(18、22);以及配置于源极电极(16、20)与汲极电极(18、22)间之闸极绝缘膜(17)上之有机半导体层(24);且,第1闸极绝缘膜(15)系由介电常数高于第2闸极绝缘膜(17)之绝缘膜所构成,第2闸极绝缘膜(17)系由薄于第1闸极绝缘膜(15)之硅氧化膜所构成,全体为具有层积型闸极绝缘膜构造。

5. 发明专利

TW200614331A 半導體裝置之製造方法及使用該方法所形成之半導體裝置 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及使用该方法所形成之半导体设备 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THE SAME
公开(公告)号：TW200614331A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094130049
申请日：2005-09-02
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD. , 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. , 三井化學股份有限公司 MITSUI CHEMICALS, INC.
发明人：奧良彰 OKU, YOSHIAKI , 藤井宜年 FUJII, NOBUTOSHI , 高村一夫 KOHMURA, KAZUO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/7682 , H01L21/76802 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L2221/1047
摘要：本發明係提供一種介電係數極低且機械性強度高(具備層間絕緣膜)的半導體裝置。包含有：使得以Si–O鍵結為主成分之骨架周圍配置有多數空孔的電介質薄膜，在形成有所需要之元件區域的半導體基板表面成膜的步驟；在前述電介質薄膜表面，隔著遮罩進行圖案化的步驟；以及使至少含有四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、六甲基二矽氮烷(HMDS)、三甲基氯矽烷(TMCS)分子之至少一種分子的氣體接觸已經過圖案化之前述電介質薄膜表面的步驟。
简体摘要：本发明系提供一种介电系数极低且机械性强度高(具备层间绝缘膜)的半导体设备。包含有：使得以Si–O键结为主成分之骨架周围配置有多数空孔的电介质薄膜，在形成有所需要之组件区域的半导体基板表面成膜的步骤；在前述电介质薄膜表面，隔着遮罩进行图案化的步骤；以及使至少含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、三甲基氯硅烷(TMCS)分子之至少一种分子的气体接触已经过图案化之前述电介质薄膜表面的步骤。

6. 发明专利

TW200926475A 有機半導體發光裝置审中-公开
简体标题：有机半导体发光设备
公开(公告)号：TW200926475A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097137934
申请日：2008-10-02
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：奧良彰 OKU, YOSHIAKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/3274 , H01L51/5203
摘要：低電壓驅動、高驅動電流之有機薄膜電晶體的集成化,保持平坦性,提高發光特性及良率之面發光型有機半導體發光裝置。具備:由配置之基板(10)上之閘極電極(120)、配置於閘極電極上之閘極絕緣膜(15)、配置於閘極絕緣膜(15)上之源極電極(16)及汲極電極(18)、配置於源極電極(16)與汲極電極(18)間之閘極絕緣膜上之有機半導體層(400)、以及重複配置於有機半導體層(400)上之複數層之電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層之層狀構造所構成之有機薄膜電晶體;及由有機薄膜電晶體之週邊部之配置於基板(10)上之陽極電極(30)、重複配置於陽極電極(30)上之複數層之電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層之層狀構造所構成之有機半導體發光元件。
简体摘要：低电压驱动、高驱动电流之有机薄膜晶体管的集成化,保持平坦性,提高发光特性及良率之面发光型有机半导体发光设备。具备:由配置之基板(10)上之闸极电极(120)、配置于闸极电极上之闸极绝缘膜(15)、配置于闸极绝缘膜(15)上之源极电极(16)及汲极电极(18)、配置于源极电极(16)与汲极电极(18)间之闸极绝缘膜上之有机半导体层(400)、以及重复配置于有机半导体层(400)上之复数层之电洞传输层/发光层/电子传输层之层状构造所构成之有机薄膜晶体管;及由有机薄膜晶体管之周边部之配置于基板(10)上之阳极电极(30)、重复配置于阳极电极(30)上之复数层之电洞传输层/发光层/电子传输层之层状构造所构成之有机半导体发光组件。

7. 发明专利

TW200826330A 有機材料裝置之製造方法审中-公开
简体标题：有机材料设备之制造方法
公开(公告)号：TW200826330A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096136468
申请日：2007-09-28
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：菅沼直俊 SUGANUMA, NAOTOSHI , 下地規之 SHIMOJI, NORIYUKI , 奧良彰 OKU, YOSHIAKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0018 , H01L51/0016
摘要：本發明之有機材料裝置之製造方法包含如下步驟:於形成於基板上之包含有機材料之第1材料層上形成包含無機材料之犧牲層的步驟;於包含上述犧牲層上之上述基板上之區域形成光阻之步驟;將該光阻選擇曝光為特定圖案之選擇曝光步驟;利用包含可使上述犧牲層溶解之水溶液的顯影液,來溶解上述選擇曝光步驟中所曝光之光阻部分及其正下方之犧牲層的顯影步驟;於該顯影步驟後之上述基板上形成第2材料層之步驟;以及利用包含可使上述犧牲層溶解之水溶液的顯影液來溶解上述光阻及其正下方之犧牲層,藉此使該光阻上之第2材料層脫膜,並使上述第2材料層圖案化之脫膜步驟。
简体摘要：本发明之有机材料设备之制造方法包含如下步骤:于形成于基板上之包含有机材料之第1材料层上形成包含无机材料之牺牲层的步骤;于包含上述牺牲层上之上述基板上之区域形成光阻之步骤;将该光阻选择曝光为特定图案之选择曝光步骤;利用包含可使上述牺牲层溶解之水溶液的显影液,来溶解上述选择曝光步骤中所曝光之光阻部分及其正下方之牺牲层的显影步骤;于该显影步骤后之上述基板上形成第2材料层之步骤;以及利用包含可使上述牺牲层溶解之水溶液的显影液来溶解上述光阻及其正下方之牺牲层,借此使该光阻上之第2材料层脱膜,并使上述第2材料层图案化之脱膜步骤。

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