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1. 发明专利

TWI623027B 用於形成結合囊封的微機電系統裝置的埋入式下層電極之系統和方法有权
简体标题：用于形成结合囊封的微机电系统设备的埋入式下层电极之系统和方法
公开(公告)号：TWI623027B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW102130179
申请日：2013-08-22
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：葛拉漢安卓B , GRAHAM, ANDREW B. , 菲安道 , FEYH, ANDO , 歐布琳恩蓋瑞 , O'BRIEN, GARY
IPC分类号： H01L21/28 , H01L23/52

2. 发明专利

TWI632358B 電容式壓力感測器及方法有权
简体标题：电容式压力传感器及方法
公开(公告)号：TWI632358B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW102135650
申请日：2013-10-02
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：菲安道 , FEYH, ANDO , 葛拉漢安卓B , GRAHAM, ANDREW B.
IPC分类号： G01L9/00 , G01L9/12

3. 发明专利

TW201423073A 電容式壓力感測器及方法审中-公开
简体标题：电容式压力传感器及方法
公开(公告)号：TW201423073A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102135650
申请日：2013-10-02
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：菲安道 , FEYH, ANDO , 葛拉漢安卓B , GRAHAM, ANDREW B.
IPC分类号： G01L9/00 , G01L9/12
CPC分类号： B81C1/00476 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81C1/00182 , G01L9/0042 , G01L9/0073
摘要：於其中一實施例中，本發明提供一種形成MEMS裝置的方法，其包含提供一矽晶圓，該矽晶圓具有一基底層和一位於該基底層的上方表面之上的中間層。一第一電極會被定義在該中間層之中，而一氧化物部分會被提供在該中間層的上方表面之上。一蓋層會被提供在該氧化物部分的上方表面之上，而一第二電極會被定義在該蓋層之中。該方法進一步包含蝕刻該氧化物部分用以形成一腔穴，俾使得當該第二電極與該腔穴突出在該中間層上方時，該突出的第二電極會包圍該突出的腔穴。
简体摘要：于其中一实施例中，本发明提供一种形成MEMS设备的方法，其包含提供一硅晶圆，该硅晶圆具有一基底层和一位于该基底层的上方表面之上的中间层。一第一电极会被定义在该中间层之中，而一氧化物部分会被提供在该中间层的上方表面之上。一盖层会被提供在该氧化物部分的上方表面之上，而一第二电极会被定义在该盖层之中。该方法进一步包含蚀刻该氧化物部分用以形成一腔穴，俾使得当该第二电极与该腔穴突出在该中间层上方时，该突出的第二电极会包围该突出的腔穴。

4. 发明专利

TW201418144A 具有多重膜電極的微機電系統壓力感測器审中-公开
简体标题：具有多重膜电极的微机电系统压力传感器
公开(公告)号：TW201418144A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102130171
申请日：2013-08-22
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：葛拉漢安卓B , GRAHAM, ANDREW B. , 菲安道 , FEYH, ANDO , 葛爾伯恩哈 , GEHL, BERNHARD
IPC分类号： B81B7/02 , G01L1/14
CPC分类号： B81B3/0081 , B81C1/00158 , G01D5/2417 , G01L9/0073
摘要：在一實施例中，一種MEMS感測器係包含在一第一層中之一第一固定的電極、界定在該第一固定的電極之上的一凹穴、延伸在該凹穴之上的一膜、界定在該膜中且位在實質在該第一固定的電極之正上方的一第一可動的電極以及至少部分地界定在該膜內且至少部分地位在該凹穴之正上方的一第二可動的電極。
简体摘要：在一实施例中，一种MEMS传感器系包含在一第一层中之一第一固定的电极、界定在该第一固定的电极之上的一凹穴、延伸在该凹穴之上的一膜、界定在该膜中且位在实质在该第一固定的电极之正上方的一第一可动的电极以及至少部分地界定在该膜内且至少部分地位在该凹穴之正上方的一第二可动的电极。

5. 发明专利

TWI640467B 半導體裝置和製造壓力感測器的方法有权
简体标题：半导体设备和制造压力传感器的方法
公开(公告)号：TWI640467B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW102144388
申请日：2013-12-04
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：葛拉漢安卓B , GRAHAM, ANDREW B. , 亞馬蓋瑞 , YAMA, GARY , 歐布琳恩蓋瑞 , O'BRIEN, GARY
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02 , G01L1/14

6. 发明专利

TW201434737A 用於微機電系統壓力感測器的結構性缺口审中-公开
简体标题：用于微机电系统压力传感器的结构性缺口
公开(公告)号：TW201434737A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102144388
申请日：2013-12-04
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：葛拉漢安卓B , GRAHAM, ANDREW B. , 亞馬蓋瑞 , YAMA, GARY , 歐布琳恩蓋瑞 , O'BRIEN, GARY
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02 , G01L1/14
CPC分类号： B81C1/00642 , B81B3/0021 , G01L9/0047 , G01L9/0073
摘要：一種製造壓力感測器的方法，其中包含執行一化學汽相沉積(CVD)製程，藉以將具有第一厚度的第一可犧牲層沉積在一基板上。然後將該第一可犧牲層的一局部向下移除至該基板，藉以形成外露矽質的中央範圍。接著執行熱氧化製程與原子層沉積製程的其一者，藉以在該基板上構成一於該中央範圍內具有小於該第一厚度之第二厚度的第二可犧牲層。然後將一帽蓋層沉積在該等第一及第二可犧牲層上。自該中央範圍移除該第二可犧牲層，並且自該基板上一至少部份地環繞該中央範圍之週緣範圍移除該等第一及第二可犧牲層，藉以在該帽蓋層與該基板之間構成一接續性、結構性缺口，同時該結構性缺口在該中央範圍內具有第一寬度並且在該週緣範圍內具有第二寬度，而該第二寬度大於該第一寬度。
简体摘要：一种制造压力传感器的方法，其中包含运行一化学汽相沉积(CVD)制程，借以将具有第一厚度的第一可牺牲层沉积在一基板上。然后将该第一可牺牲层的一局部向下移除至该基板，借以形成外露硅质的中央范围。接着运行热氧化制程与原子层沉积制程的其一者，借以在该基板上构成一于该中央范围内具有小于该第一厚度之第二厚度的第二可牺牲层。然后将一帽盖层沉积在该等第一及第二可牺牲层上。自该中央范围移除该第二可牺牲层，并且自该基板上一至少部份地环绕该中央范围之周缘范围移除该等第一及第二可牺牲层，借以在该帽盖层与该基板之间构成一接续性、结构性缺口，同时该结构性缺口在该中央范围内具有第一宽度并且在该周缘范围内具有第二宽度，而该第二宽度大于该第一宽度。

7. 发明专利

TW201417152A 用於形成結合囊封的微機電系統裝置的埋入式下層電極之系統和方法审中-公开
简体标题：用于形成结合囊封的微机电系统设备的埋入式下层电极之系统和方法
公开(公告)号：TW201417152A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102130179
申请日：2013-08-22
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：葛拉漢安卓B , GRAHAM, ANDREW B. , 菲安道 , FEYH, ANDO , 歐布琳恩蓋瑞 , O'BRIEN, GARY
IPC分类号： H01L21/28 , H01L23/52
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B7/007 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81C1/00015
摘要：一種用於利用一埋入式第一電極以形成一感測器裝置之系統及方法係包含提供具有一電極層的一第一矽部分以及具有一裝置層的一第二矽部分。該第一矽部分以及該第二矽部分係沿著形成在該第一矽部分的電極層以及該第二矽部分的裝置層上之一共同的氧化層而毗鄰在一起。該所產生的多矽的堆疊係包含一埋入式下層電極，該埋入式下層電極係進一步藉由一埋入的氧化層、一高度摻雜的離子植入的區域或是其之組合所界定。該多矽的堆疊係具有複數個矽層以及二氧化矽層，其中在每個層中的電性隔離的區域係容許有該下層電極以及一上層電極。該多矽的堆疊進一步包含一間隙壁，此係使得該下層電極能夠從該感測器裝置的一頂端側接達。
简体摘要：一种用于利用一埋入式第一电极以形成一传感器设备之系统及方法系包含提供具有一电极层的一第一硅部分以及具有一设备层的一第二硅部分。该第一硅部分以及该第二硅部分系沿着形成在该第一硅部分的电极层以及该第二硅部分的设备层上之一共同的氧化层而毗邻在一起。该所产生的多硅的堆栈系包含一埋入式下层电极，该埋入式下层电极系进一步借由一埋入的氧化层、一高度掺杂的离子植入的区域或是其之组合所界定。该多硅的堆栈系具有复数个硅层以及二氧化硅层，其中在每个层中的电性隔离的区域系容许有该下层电极以及一上层电极。该多硅的堆栈进一步包含一间隙壁，此系使得该下层电极能够从该传感器设备的一顶端侧接达。

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