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1. 发明专利

TWI509371B 基板處理系統及方法有权
简体标题：基板处理系统及方法
公开(公告)号：TWI509371B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102133483
申请日：2010-01-29
申请人：細美事有限公司 , SEMES CO., LTD
发明人：金東浩 , KIM, DONG HO , 崔晉榮 , CHOI, JINYOUNG , 高在昇 , GO, JAE-SEUNG , 黃修敏 , HWANG, SOOMIN
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027

2. 发明专利

TW201415173A 基板處理系統及方法审中-公开
简体标题：基板处理系统及方法
公开(公告)号：TW201415173A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102133483
申请日：2010-01-29
申请人：細美事有限公司 , SEMES CO., LTD
发明人：金東浩 , KIM, DONG HO , 崔晉榮 , CHOI, JINYOUNG , 高在昇 , GO, JAE-SEUNG , 黃修敏 , HWANG, SOOMIN
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
摘要：一種基板處理方法及系統，該系統包含一塗佈單元、一曝光前後處理單元及一顯像單元，前述單元之每一者包含一裝載口及一分度模組。該曝光前後處理單元包含配置在不同層中之第一模組和第二模組。在一曝光製程之前，該第一模組執行一製程，以用於在該晶圓上塗佈一保護層。在該曝光製程之後，該第二模組執行一製程，以用於清潔該晶圓，並執行一曝光後烘烤製程。
简体摘要：一种基板处理方法及系统，该系统包含一涂布单元、一曝光前后处理单元及一显像单元，前述单元之每一者包含一装载口及一分度模块。该曝光前后处理单元包含配置在不同层中之第一模块和第二模块。在一曝光制程之前，该第一模块运行一制程，以用于在该晶圆上涂布一保护层。在该曝光制程之后，该第二模块运行一制程，以用于清洁该晶圆，并运行一曝光后烘烤制程。

3. 发明专利

TWI424278B 曝光處理單元有权
简体标题：曝光处理单元
公开(公告)号：TWI424278B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW099102594
申请日：2010-01-29
申请人：細美事有限公司 , SEMES CO., LTD
发明人：金東浩 , KIM, DONG HO , 崔晉榮 , CHOI, JINYOUNG , 高在昇 , GO, JAE-SEUNG , 黃修敏 , HWANG, SOOMIN
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027

4. 发明专利

TWI466214B 基板處理設備與方法有权
简体标题：基板处理设备与方法
公开(公告)号：TWI466214B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW099102592
申请日：2010-01-29
申请人：細美事有限公司 , SEMES CO., LTD
发明人：金東浩 , KIM, DONG HO , 崔晉榮 , CHOI, JINYOUNG , 高在昇 , GO, JAESEUNG , 盧亨來 , NOH, HYOUNG RAE
IPC分类号： H01L21/67 , G03F7/20

5. 发明专利

TW201036092A 基板處理設備與方法 APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：基板处理设备与方法 APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201036092A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099102592
申请日：2010-01-29
申请人：細美事有限公司
发明人：金東浩 , 崔晉榮 , 高在昇 , 盧亨來
IPC分类号： H01L , G03F
摘要：本發明提供一種基板處理設備與方法。該設備包括一載入埠、一索引模組、一第一緩衝模組、一塗層/顯影模組、一第二緩衝模組、一曝光前/後處理模組、以及一介面模組,係於一方向連續地排列。該塗層顯影模組包括一塗層模組與一顯影模組,係被排列在不同層上。該曝光前/後處理模組包括一處理前模組與一處理後模組,係被設置於不同層上。該處理前模組於一曝光程序前塗佈一保護層於該晶圓上。該處理後模組於該曝光程序後執行一晶圓清洗程序與一曝光後烘烤程序。一用以傳輸該晶圓的機器人係被設置於每一個處理前模組與處理後模組。
简体摘要：本发明提供一种基板处理设备与方法。该设备包括一加载端口、一索引模块、一第一缓冲模块、一涂层/显影模块、一第二缓冲模块、一曝光前/后处理模块、以及一界面模块,系于一方向连续地排列。该涂层显影模块包括一涂层模块与一显影模块,系被排列在不同层上。该曝光前/后处理模块包括一处理前模块与一处理后模块,系被设置于不同层上。该处理前模块于一曝光进程前涂布一保护层于该晶圆上。该处理后模块于该曝光进程后运行一晶圆清洗进程与一曝光后烘烤进程。一用以传输该晶圆的机器人系被设置于每一个处理前模块与处理后模块。

6. 发明专利

TW201028800A 曝光處理單元、基板處理系統與方法 SYSTEM AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：曝光处理单元、基板处理系统与方法 SYSTEM AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201028800A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW099102594
申请日：2010-01-29
申请人：細美事有限公司
发明人：金東浩 , 崔晉榮 , 高在昇 , 黃修敏
IPC分类号： G03F , H01L
摘要：一種基板處理方法及系統，該系統包含一塗佈單元、一曝光前後處理單元及一顯像單元，前述單元之每一者包含一裝載口及一分度模組。該曝光前後處理單元包含配置在不同層中之第一模組和第二模組。在一曝光製程之前，該第一模組執行一製程，以用於在該晶圓上塗佈一保護層。在該曝光製程之後，該第二模組執行一製程，以用於清潔該晶圓，並執行一曝光後烘烤製程。
简体摘要：一种基板处理方法及系统，该系统包含一涂布单元、一曝光前后处理单元及一显像单元，前述单元之每一者包含一装载口及一分度模块。该曝光前后处理单元包含配置在不同层中之第一模块和第二模块。在一曝光制程之前，该第一模块运行一制程，以用于在该晶圆上涂布一保护层。在该曝光制程之后，该第二模块运行一制程，以用于清洁该晶圆，并运行一曝光后烘烤制程。

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