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1. 发明专利

TW201640600A 半導體結構及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201640600A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105112840
申请日：2016-04-25
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：陳語同 , CHEN, YU TUNG , 林建名 , LIN, CHIEN MIN , 許傳進 , SHIU, CHUAN JIN , 何志偉 , HO, CHIH WEI , 何彥仕 , HO, YEN SHIH
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L21/0271 , H01L21/76804 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/0345 , H01L2224/0557
摘要：一種半導體結構包含第一基底、第二基底、間隔層、光阻層與導電層。第一基底具有焊墊。第二基底具有通孔、壁面與相對的第一表面與第二表面。通孔貫穿第一表面與第二表面。壁面圍繞通孔，且焊墊對齊通孔。間隔層位於第一基底與第二基底的第二表面之間。至少部分的間隔層往通孔的方向凸出。光阻層位於第二基底的第一表面與壁面上、凸出通孔的間隔層上、及焊墊與凸出通孔的間隔層之間。導電層位於光阻層上與焊墊上。
简体摘要：一种半导体结构包含第一基底、第二基底、间隔层、光阻层与导电层。第一基底具有焊垫。第二基底具有通孔、壁面与相对的第一表面与第二表面。通孔贯穿第一表面与第二表面。壁面围绕通孔，且焊垫对齐通孔。间隔层位于第一基底与第二基底的第二表面之间。至少部分的间隔层往通孔的方向凸出。光阻层位于第二基底的第一表面与壁面上、凸出通孔的间隔层上、及焊垫与凸出通孔的间隔层之间。导电层位于光阻层上与焊垫上。

2. 发明专利

TW201719823A 晶片封裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201719823A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105124332
申请日：2016-08-01
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：何彥仕 , HO, YEN SHIH , 葉曉嵐 , YEH, HSIAO LAN , 林佳昇 , LIN, CHIA SHENG , 張義民 , CHANG, YI MING , 李柏漢 , LEE, PO HAN , 吳暉賢 , WU, HUI HSIEN , 吳俊良 , WU, JYUN LIANG , 張恕銘 , CHANG, SHU MING , 黃玉龍 , HUANG, YU LUNG , 林建名 , LIN, CHIEN MIN
IPC分类号： H01L23/08 , H01L23/10 , H01L21/52
CPC分类号： H01L27/14698 , H01L21/4803 , H01L21/67017 , H01L21/67132 , H01L23/18 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687
摘要：一種晶片封裝體包含晶片、黏膠層與支撐件。晶片具有感測區、相對的第一表面與第二表面。感測區位於第一表面上。黏膠層覆蓋晶片的第一表面。支撐件位於黏膠層上且圍繞感測區。支撐件的厚度介於20μm至750μm，且支撐件圍繞感測區的壁面為粗糙面。
简体摘要：一种芯片封装体包含芯片、黏胶层与支撑件。芯片具有传感区、相对的第一表面与第二表面。传感区位于第一表面上。黏胶层覆盖芯片的第一表面。支撑件位于黏胶层上且围绕传感区。支撑件的厚度介于20μm至750μm，且支撑件围绕传感区的壁面为粗糙面。

3. 发明专利

TWI595606B 晶片封裝體及其製造方法有权
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TWI595606B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW105124332
申请日：2016-08-01
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：何彥仕 , HO, YEN SHIH , 葉曉嵐 , YEH, HSIAO LAN , 林佳昇 , LIN, CHIA SHENG , 張義民 , CHANG, YI MING , 李柏漢 , LEE, PO HAN , 吳暉賢 , WU, HUI HSIEN , 吳俊良 , WU, JYUN LIANG , 張恕銘 , CHANG, SHU MING , 黃玉龍 , HUANG, YU LUNG , 林建名 , LIN, CHIEN MIN
IPC分类号： H01L23/08 , H01L23/10 , H01L21/52
CPC分类号： H01L27/14698 , H01L21/4803 , H01L21/67017 , H01L21/67132 , H01L23/18 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687

4. 发明专利

TWI578420B 半導體結構及其製作方法有权
简体标题：半导体结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI578420B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW105112840
申请日：2016-04-25
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：陳語同 , CHEN, YU TUNG , 林建名 , LIN, CHIEN MIN , 許傳進 , SHIU, CHUAN JIN , 何志偉 , HO, CHIH WEI , 何彥仕 , HO, YEN SHIH
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L21/0271 , H01L21/76804 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/0345 , H01L2224/0557

5. 发明专利

TW201533883A 晶片封裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201533883A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103105782
申请日：2014-02-21
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEX INC.
发明人：樓百堯 , LOU, BAI YAO , 傅振寧 , FU, CHEN NING , 黃郁庭 , HUANG, YU TING , 林建名 , LIN, CHIEN MIN
IPC分类号： H01L25/04 , H01L21/76
摘要：本發明揭露一種晶片封裝體，包括一第一基底，其中第一基底的一表面上具有一感測裝置。一第二基底接合至第一基底的表面上，且包括一第一開口，暴露出感測裝置。一間隔層設置於第一基底與第二基底之間，且間隔層內包括一第一孔洞，與第一開口連通，以暴露出感測裝置。間隔層內更包括至少一曲折通道暴露出部分的第一基底及第二基底，且未與第一孔洞連通，其中曲折通道具有至少一開口端，自間隔層的一側壁向內延伸。本發明揭露一種晶片封裝體的製造方法。
简体摘要：本发明揭露一种芯片封装体，包括一第一基底，其中第一基底的一表面上具有一传感设备。一第二基底接合至第一基底的表面上，且包括一第一开口，暴露出传感设备。一间隔层设置于第一基底与第二基底之间，且间隔层内包括一第一孔洞，与第一开口连通，以暴露出传感设备。间隔层内更包括至少一曲折信道暴露出部分的第一基底及第二基底，且未与第一孔洞连通，其中曲折信道具有至少一开口端，自间隔层的一侧壁向内延伸。本发明揭露一种芯片封装体的制造方法。

6. 发明专利

TWI543333B 晶片封裝體及其製造方法有权
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TWI543333B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103105782
申请日：2014-02-21
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEX INC.
发明人：樓百堯 , LOU, BAI YAO , 傅振寧 , FU, CHEN NING , 黃郁庭 , HUANG, YU TING , 林建名 , LIN, CHIEN MIN
IPC分类号： H01L25/04 , H01L21/76

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