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    • 6. 发明专利
    • 積體電路及其製造方法
    • 集成电路及其制造方法
    • TW550785B
    • 2003-09-01
    • TW091116624
    • 2002-07-25
    • 立錡科技股份有限公司
    • 白忠龍
    • H01L
    • 本發明之積體電路之製造方法,該積體電路具有一主電路與一可調整該主電路之電路參數的熔絲可程式化電路,而各該熔絲可程式電路具有至少一熔絲及至少一電性連接該熔絲並供控制該熔絲熔融信號饋入之微調墊,該方法之特徵在於積體電路積設於一晶圓的晶胞中時,將其之微調墊設置於相鄰晶胞的切割線上,以達到降低晶胞尺寸與增加微調墊之容許數量的功效。
    • 本发明之集成电路之制造方法,该集成电路具有一主电路与一可调整该主电路之电路参数的熔丝可进程化电路,而各该熔丝可进程电路具有至少一熔丝及至少一电性连接该熔丝并供控制该熔丝熔融信号馈入之微调垫,该方法之特征在于集成电路积设于一晶圆的晶胞中时,将其之微调垫设置于相邻晶胞的切割在线,以达到降低晶胞尺寸与增加微调垫之容许数量的功效。
    • 8. 实用新型
    • 溫度感測電路
    • 温度传感电路
    • TW543773U
    • 2003-07-21
    • TW091211524
    • 2002-07-26
    • 立錡科技股份有限公司
    • 白忠龍
    • G01K
    • 本創作是在提供一種溫度感測電路,包含一電流源、一第一電晶體對,以及複數組與第一電晶體對相串接之第二電晶體對,其中,第一電晶體對具有相互耦接的一第一電晶體與一第二電晶體,而第二電晶體對則具有相互耦接的一第三電晶體與一第四電晶體,且第一電晶體對具有一第一射基接面比值,各第二電晶體對具有一第二射基接面比值,藉此,在最遠離第一電晶體對的第二電晶體對中,第四電晶體與第三電晶體的射基電壓壓差是由第一電晶體對之第一射基接面比值與多組第二電晶體對之第二射基接面比值來決定,並會隨著溫度而變化,因此可用以量測溫度,而且不易受製程參數偏移之影響。
    • 本创作是在提供一种温度传感电路,包含一电流源、一第一晶体管对,以及复数组与第一晶体管对相串接之第二晶体管对,其中,第一晶体管对具有相互耦接的一第一晶体管与一第二晶体管,而第二晶体管对则具有相互耦接的一第三晶体管与一第四晶体管,且第一晶体管对具有一第一射基接面比值,各第二晶体管对具有一第二射基接面比值,借此,在最远离第一晶体管对的第二晶体管对中,第四晶体管与第三晶体管的射基电压压差是由第一晶体管对之第一射基接面比值与多组第二晶体管对之第二射基接面比值来决定,并会随着温度而变化,因此可用以量测温度,而且不易受制程参数偏移之影响。