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1. 发明专利

TW200820532A 突波吸收器材料配方組成 THE COMPOSITION OF VARISTORS 审中-公开
简体标题：突波吸收器材料配方组成 THE COMPOSITION OF VARISTORS
公开(公告)号：TW200820532A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW095138923
申请日：2006-10-20
申请人：立昌先進科技股份有限公司 SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC
发明人：連偉成 LIEN, WEI CHENG , 朱頡安 ZHU, JIE-AN , 林居南 LIN, JIU NAN , 郭政宗 KUO, CHENG TSUNG , 章麗雲 ZHANG, LI-YUN , 連清宏 LIEN, CHING HOHN
IPC分类号： H02H , H01B
摘要：一種突波吸收器的材料配方組成。突波吸收器具有核殼結構,其中核的部分是由半導體或是導體所組成,而殼的部分則具有絕緣體的特性。構成核的導體或是半導體材料可以是Al、Ag、Pt、Pd、Au、Ni、Cu、Fe等金屬或是半導化的ZnO、TiO2、SiC、SrTiO3、Fe2O3、SnO2等材料,而構成殼的絕緣材料可以是矽酸鹽玻璃、硼玻璃、矽鋁玻璃、鉛玻璃或磷玻璃等玻璃材料。又元件的電氣特性可以由導體或是半導體的晶粒大小及絕緣材料層的厚度來決定。
简体摘要：一种突波吸收器的材料配方组成。突波吸收器具有核壳结构,其中核的部分是由半导体或是导体所组成,而壳的部分则具有绝缘体的特性。构成核的导体或是半导体材料可以是Al、Ag、Pt、Pd、Au、Ni、Cu、Fe等金属或是半导化的ZnO、TiO2、SiC、SrTiO3、Fe2O3、SnO2等材料,而构成壳的绝缘材料可以是硅酸盐玻璃、硼玻璃、硅铝玻璃、铅玻璃或磷玻璃等玻璃材料。又组件的电气特性可以由导体或是半导体的晶粒大小及绝缘材料层的厚度来决定。

2. 发明专利

TW200816588A 暫態過電壓保護元件 TRANSIENT VOLTAGE PROTECTING DEVICES 审中-公开
简体标题：暂态过电压保护组件 TRANSIENT VOLTAGE PROTECTING DEVICES
公开(公告)号：TW200816588A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW095134697
申请日：2006-09-19
申请人：立昌先進科技股份有限公司 SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：林居南 LIN, JIU NAN , 許鴻宗 XU, HONG ZONG , 黃興光 HUANG, XING GUANG , 連偉成 LIEN, WEI CHENG , 朱頡安 ZHU, JIE-AN
IPC分类号： H02H
摘要：一般製作積層型或陣列式低容過電壓保護元件,乃利用網板印刷方式在絕緣介電層上印刷出一個間隙,再將具有對過電壓敏感的材料塗覆或印刷在間隙之上,控制間隙的尺寸大小及過電壓敏感的材料層的配方組成,可以組合成一個低容的過電壓零件。每一積層元件若欲表現相當一致電性及高製作良率,即需依賴高準確精度之設備機台及良好之操作參數搭配,但是一旦設備機台靈敏度下降或人為作業誤差,就易造成產品元件品質下降,本發明是利用簡易方便之設計理念,將一般使用來製作高精度積層電子元件常用的浮動網板設計觀念,借用來製作積層型或陣列式低容過電壓保護零件,同樣使用並聯的概念來製作電子元件,以提高元件製造的良品率及產品的品質。特別的是本發明將電容器製作在晶片元件的兩端部上,先將低容對電壓敏感材料製作成漿體,然後以直接浸附的方式製作,再於上面披附上一層導電層,即完成相關製作。本方法簡單且製作出來的產品品質相當好。
简体摘要：一般制作积层型或数组式低容过电压保护组件,乃利用网板印刷方式在绝缘介电层上印刷出一个间隙,再将具有对过电压敏感的材料涂覆或印刷在间隙之上,控制间隙的尺寸大小及过电压敏感的材料层的配方组成,可以组合成一个低容的过电压零件。每一积层组件若欲表现相当一致电性及高制作良率,即需依赖高准确精度之设备机台及良好之操作参数搭配,但是一旦设备机台灵敏度下降或人为作业误差,就易造成产品组件品质下降,本发明是利用简易方便之设计理念,将一般使用来制作高精度积层电子组件常用的浮动网板设计观念,借用来制作积层型或数组式低容过电压保护零件,同样使用并联的概念来制作电子组件,以提高组件制造的良品率及产品的品质。特别的是本发明将电容器制作在芯片组件的两端部上,先将低容对电压敏感材料制作成浆体,然后以直接浸附的方式制作,再于上面披附上一层导电层,即完成相关制作。本方法简单且制作出来的产品品质相当好。

3. 发明专利

TW200823930A 低容靜電保護零件材料及其製造方法 ESD PROTECTIVE MATERIALS AND METHOD FOR MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：低容静电保护零件材料及其制造方法 ESD PROTECTIVE MATERIALS AND METHOD FOR MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200823930A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW095143862
申请日：2006-11-24
申请人：立昌先進科技股份有限公司 SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：林居南 LIN, JIU NAN , 朱頡安 ZHU, JIE-AN , 連清宏 LIEN, CHING HOHN , 黃興光 HUANG, XING GUANG , 吳啓宏 WU, QI HONG , 郭政宗 KUO, CHENG TSUNG , 章麗雲 ZHANG, LI-YUN
IPC分类号： H01B , H05K
摘要：一種電容値極低的晶片型過電壓保護元件之材料及其製造方法。其係將具有半導體特性之顆粒或者是導體顆粒加入高分子材料中,又此高分子材料膜中又可再二級分散粒徑更為細小的奈米級導體或半導體微粒。然後以習知之網版印刷技術將上述均勻混合好的高分子漿料顆粒,一起印刷在預先決定的導電電極間隙中,再披覆上保護層,製作成低容晶片型變阻器。通過選用不同導體或半導體的顆粒粒徑及用量和二級分散材料的添加量、導電電極間的間隙等參數,可製造不同特性的低電容晶片型靜電保護元件。
简体摘要：一种电容値极低的芯片型过电压保护组件之材料及其制造方法。其系将具有半导体特性之颗粒或者是导体颗粒加入高分子材料中,又此高分子材料膜中又可再二级分散粒径更为细小的奈米级导体或半导体微粒。然后以习知之网版印刷技术将上述均匀混合好的高分子浆料颗粒,一起印刷在预先决定的导电电极间隙中,再披复上保护层,制作成低容芯片型变阻器。通过选用不同导体或半导体的颗粒粒径及用量和二级分散材料的添加量、导电电极间的间隙等参数,可制造不同特性的低电容芯片型静电保护组件。

4. 发明专利

TW200822153A 低容晶片型變阻器及其組成 THE COMPOSITIONS OF VARISTOR HAVING ULTRALOW CAPACITANCE 失效
简体标题：低容芯片型变阻器及其组成 THE COMPOSITIONS OF VARISTOR HAVING ULTRALOW CAPACITANCE
公开(公告)号：TW200822153A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW095141611
申请日：2006-11-09
申请人：立昌先進科技股份有限公司 SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：連清宏 LIEN, CHING HOHN , 朱頡安 ZHU, JIE-AN , 郭政宗 KUO, CHENG TSUNG , 林居南 LIN, JIU NAN , 黃興光 HUANG, XING GUANG , 章麗雲 ZHANG, LI-YUN , 連偉成 LIEN, WEI CHENG
IPC分类号： H01C
摘要：一種電容値極低的晶片型過電壓保護元件之材料及其製造方法。其係將具有半導體特性之顆粒或者是導體顆粒的表面均勻包覆一層一定厚度的具有高阻抗玻璃態薄膜;此玻璃態薄膜中又可再二級分散粒徑更為細小的奈米級導體或半導體微粒。然後以習知之積層技術將上述包覆好的顆粒均勻散佈於含粘結劑之溶劑中形成漿料,經刮刀成形製成生胚、印刷內電極、疊層切割後再燒除黏結劑、高溫燒結等製程製成內含二層或多層內電極的多微孔極低容晶片型變阻器。通過選用不同導體或半導體的種類、顆粒粒徑及不同的用量;改變玻璃態物質的組成及用量;變更生胚厚度與內電極層數及相應的燒成曲線,即可獲得不同特性的低電容晶片型變阻器。極低電容晶片型變阻器可用於高頻或超高頻線路上,防止靜電及異常突波對工作元件的破壞,具有重要的實用價値。
简体摘要：一种电容値极低的芯片型过电压保护组件之材料及其制造方法。其系将具有半导体特性之颗粒或者是导体颗粒的表面均匀包覆一层一定厚度的具有高阻抗玻璃态薄膜;此玻璃态薄膜中又可再二级分散粒径更为细小的奈米级导体或半导体微粒。然后以习知之积层技术将上述包覆好的颗粒均匀散布于含粘结剂之溶剂中形成浆料,经刮刀成形制成生胚、印刷内电极、叠层切割后再烧除黏结剂、高温烧结等制程制成内含二层或多层内电极的多微孔极低容芯片型变阻器。通过选用不同导体或半导体的种类、颗粒粒径及不同的用量;改变玻璃态物质的组成及用量;变更生胚厚度与内电极层数及相应的烧成曲线,即可获得不同特性的低电容芯片型变阻器。极低电容芯片型变阻器可用于高频或超高频线路上,防止静电及异常突波对工作组件的破坏,具有重要的实用价値。

5. 发明专利

TW200744107A 積層突波吸收器材料配方組成 THE COMPOSITION OF ZINC OXIDE MULTILAYER VARISTORS 审中-公开
简体标题：积层突波吸收器材料配方组成 THE COMPOSITION OF ZINC OXIDE MULTILAYER VARISTORS
公开(公告)号：TW200744107A
公开(公告)日：2007-12-01
申请号：TW095118129
申请日：2006-05-19
申请人：立昌先進科技股份有限公司 SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：林居南 LIN, JIU-NAN , 朱頡安 ZHU, JIE-AN , 章麗雲 ZHANG, LI-YUN , 連清宏 LIEN, CHING-HOHN
IPC分类号： H01C
摘要：一種提高積層突波吸收器突波耐量及降低壓比比値的材料配方組成:氧化鋅中添加最多20mol%添加劑,其中第一添加劑為Se或Te;第二添加劑為Bi,第三添加劑為Co、Mn、Cr、Sb、Ni,第四添加劑為下列幾個元素之一,Pr、La、Ce、Tb、Nd、B、Si、Al、Ti、W、Sn、Na、K等。元件添加0.01~3mol%SeO3或TeO3可以提高元件的突波吸收器突波耐量及降低壓比比値。又經由控制漿料的黏度及括刀厚度大小,可以調整元件的崩潰電壓範圍。
简体摘要：一种提高积层突波吸收器突波耐量及降低压比比値的材料配方组成:氧化锌中添加最多20mol%添加剂,其中第一添加剂为Se或Te;第二添加剂为Bi,第三添加剂为Co、Mn、Cr、Sb、Ni,第四添加剂为下列几个元素之一,Pr、La、Ce、Tb、Nd、B、Si、Al、Ti、W、Sn、Na、K等。组件添加0.01~3mol%SeO3或TeO3可以提高组件的突波吸收器突波耐量及降低压比比値。又经由控制浆料的黏度及括刀厚度大小,可以调整组件的崩溃电压范围。

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