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1. 发明专利

TWI259478B 可電鍍陣列式電子元件的製造方法 THE MANUFACTURING PROCESS OF THE ELECTRIC PLATING OF ARRAY TYPE CHIP DEVICES 失效
简体标题：可电镀数组式电子组件的制造方法 THE MANUFACTURING PROCESS OF THE ELECTRIC PLATING OF ARRAY TYPE CHIP DEVICES
公开(公告)号：TWI259478B
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW094110817
申请日：2005-04-06
申请人：立昌先進科技股份有限公司 LEADER WELL TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：林居南 LIN, JIU NAN , 黃興祥 CHUNG, HSIN CHI , 連偉成 LIEN, WEI CHENG
IPC分类号： H01C
摘要：一種可電鍍陣列式電子元件的製造方法，主要係利用在陣列式元件表面批覆一層絕緣披覆層的方式，以增進元件的表面電阻值，使一般半導體型陣列電子元件，如：陣列式突波吸收器(array chip varistor)、陣列式負溫度熱敏電阻(array chip NTC thermistor)及陣列式正溫度熱敏電阻(array chip PTC thermistor)，可以進行電鍍製程。因此，能夠使得經表面批覆一層絕緣披覆層的方式的產品具有比未電鍍產品更好的壽命及更佳的表面黏著(surface mounting)特性。該絕緣披覆層的製作方式為以奈米絕緣材料，以六面包覆元件方式，經高溫熱處理後，使奈米材料在元件表面形成封孔緻密的高絕緣阻抗特性。
简体摘要：一种可电镀数组式电子组件的制造方法，主要系利用在数组式组件表面批复一层绝缘披覆层的方式，以增进组件的表面电阻值，使一般半导体型数组电子组件，如：数组式突波吸收器(array chip varistor)、数组式负温度热敏电阻(array chip NTC thermistor)及数组式正温度热敏电阻(array chip PTC thermistor)，可以进行电镀制程。因此，能够使得经表面批复一层绝缘披覆层的方式的产品具有比未电镀产品更好的寿命及更佳的表面黏着(surface mounting)特性。该绝缘披覆层的制作方式为以奈米绝缘材料，以六面包覆组件方式，经高温热处理后，使奈米材料在组件表面形成封孔致密的高绝缘阻抗特性。

2. 发明专利

TW200636764A 可電鍍陣列式電子元件的製造方法 THE MANUFACTURING PROCESS OF THE ELECTRIC PLATING OF ARRAY TYPE CHIP DEVICES 失效
简体标题：可电镀数组式电子组件的制造方法 THE MANUFACTURING PROCESS OF THE ELECTRIC PLATING OF ARRAY TYPE CHIP DEVICES
公开(公告)号：TW200636764A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW094110817
申请日：2005-04-06
申请人：立昌先進科技股份有限公司 LEADER WELL TECHNOLOGY CO, LTD
发明人：林居南 LIN, JIU NAN , 黃興祥 CHUNG, HSIN CHI , 連偉成 LIEN, WEI CHENG
IPC分类号： H01C
摘要：一種可電鍍陣列式電子元件的製造方法，主要係利用在陣列式元件表面批覆一層絕緣披覆層的方式，以增進元件的表面電阻值，使一般半導體型陣列電子元件，如：陣列式突波吸收器(array chip varistor)、陣列式負溫度熱敏電阻(array chip NTC thermistor)及陣列式正溫度熱敏電阻(array chip PTC thermistor)，可以進行電鍍製程。因此，能夠使得經表面批覆一層絕緣披覆層的方式的產品具有比未電鍍產品更好的壽命及更佳的表面黏著(surface mounting)特性。該絕緣披覆層的製作方式為以奈米絕緣材料，以六面包覆元件方式，經高溫熱處理後，使奈米材料在元件表面形成封孔緻密的高絕緣阻抗特性。
简体摘要：一种可电镀数组式电子组件的制造方法，主要系利用在数组式组件表面批复一层绝缘披覆层的方式，以增进组件的表面电阻值，使一般半导体型数组电子组件，如：数组式突波吸收器(array chip varistor)、数组式负温度热敏电阻(array chip NTC thermistor)及数组式正温度热敏电阻(array chip PTC thermistor)，可以进行电镀制程。因此，能够使得经表面批复一层绝缘披覆层的方式的产品具有比未电镀产品更好的寿命及更佳的表面黏着(surface mounting)特性。该绝缘披覆层的制作方式为以奈米绝缘材料，以六面包覆组件方式，经高温热处理后，使奈米材料在组件表面形成封孔致密的高绝缘阻抗特性。

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