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1. 发明专利

TW201119535A 陶瓷基板製造方法审中-公开
简体标题：陶瓷基板制造方法
公开(公告)号：TW201119535A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW098139523
申请日：2009-11-20
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：林文新
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/045 , H05K1/0306 , H05K3/244
摘要：本發明為有關一種陶瓷基板製造方法,尤指可透過電鍍、切割等加工製程進行製造陶瓷基板之方法,其步驟係在陶瓷基板上先貼附乾模層,並對乾膜層進行露光顯影而形成預設線路佈局之路徑,再於陶瓷基板與乾膜上塗佈第一金屬層,則第一金屬層上為鍍設銅層,且對陶瓷基板上之乾膜層、第一金屬層及銅層進行研磨、切割並整平,即可將乾膜由陶瓷基板上移除,而在陶瓷基板上形成適當高度之銅層後,乃由陶瓷基板的銅層表面進行電鍍第二金屬層,即完成陶瓷基板之製造,不需經由蝕刻製程作業,即不會產生廢棄蝕刻液,避免造成對人體傷害及環境污染,依此製造的陶瓷基板線路,不管金屬層多厚,所生產出來的線路皆無梯度,且形成的線路上底及下底尺寸接近一樣,可製作業界高精密度的陶瓷基板。
简体摘要：本发明为有关一种陶瓷基板制造方法,尤指可透过电镀、切割等加工制程进行制造陶瓷基板之方法,其步骤系在陶瓷基板上先贴附干模层,并对干膜层进行露光显影而形成默认线路布局之路径,再于陶瓷基板与干膜上涂布第一金属层,则第一金属层上为镀设铜层,且对陶瓷基板上之干膜层、第一金属层及铜层进行研磨、切割并整平,即可将干膜由陶瓷基板上移除,而在陶瓷基板上形成适当高度之铜层后,乃由陶瓷基板的铜层表面进行电镀第二金属层,即完成陶瓷基板之制造,不需经由蚀刻制程作业,即不会产生废弃蚀刻液,避免造成对人体伤害及环境污染,依此制造的陶瓷基板线路,不管金属层多厚,所生产出来的线路皆无梯度,且形成的线路上底及下底尺寸接近一样,可制作业界高精密度的陶瓷基板。

2. 发明专利

TW201118059A 高精密度陶瓷基板製程审中-公开
简体标题：高精密度陶瓷基板制程
公开(公告)号：TW201118059A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW098139522
申请日：2009-11-20
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：林文新
IPC分类号： C04B
CPC分类号： H05K3/108 , H05K1/0306 , H05K3/062 , H05K3/281 , H05K2201/017
摘要：本發明為有關一種高精密度陶瓷基板製程，而高精密度陶瓷基板製程必須以電鍍及高準度露光／蝕刻方式製作，有別於一般以印刷方式製作的陶瓷基板，尤指陶瓷基板表面鍍上金屬層後，於金屬層表面貼附乾膜並進行露光顯影，再於顯露之金屬層表面鍍上導電金屬層，且進行蝕刻留下線路部份之金屬層及導電金屬層，預定位置之導電金屬層表面則黏合有無氧薄帶，其無氧薄帶為利用陶瓷粉、玻璃粉及黏稠劑依預定百分比作調漿、製帶所製成，再將陶瓷基板送入無氧爐進行共燒，無氧薄帶便會成形為擋牆，由於是在無氧爐內共燒，導電金屬層便不會產生氧化，藉此，後續進行焊接、電鍍製程時，便不會產生已鍍上金屬層剝落或焊接不沾之缺失。
简体摘要：本发明为有关一种高精密度陶瓷基板制程，而高精密度陶瓷基板制程必须以电镀及高准度露光／蚀刻方式制作，有别于一般以印刷方式制作的陶瓷基板，尤指陶瓷基板表面镀上金属层后，于金属层表面贴附干膜并进行露光显影，再于显露之金属层表面镀上导电金属层，且进行蚀刻留下线路部份之金属层及导电金属层，预定位置之导电金属层表面则黏合有无氧薄带，其无氧薄带为利用陶瓷粉、玻璃粉及黏稠剂依预定百分比作调浆、制带所制成，再将陶瓷基板送入无氧炉进行共烧，无氧薄带便会成形为挡墙，由于是在无氧炉内共烧，导电金属层便不会产生氧化，借此，后续进行焊接、电镀制程时，便不会产生已镀上金属层剥落或焊接不沾之缺失。

3. 发明专利

TW201204194A 高導熱基板製程审中-公开
简体标题：高导热基板制程
公开(公告)号：TW201204194A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW099122881
申请日：2010-07-12
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：林文新
IPC分类号： H05K
摘要：本發明為有關一種高導熱基板製程,尤指金屬導電基材為利用銅或銅鋁合金等材質金屬片上貼附有高導熱、耐高溫之絕緣膠,且該絕緣膠主要成份可為陶瓷粉及特殊調用的高熱導絕緣樹脂,其導熱率可達到200-500W/M.K,而耐溫則可介於400-600℃之間,再對金屬導電基材利用露光顯影/蝕刻或衝模方式加工成形出所要面積及線路部份,即可將金屬導電基材透過絕緣膠與散熱基板黏合後成形為擋牆,便完成高精密度及高導熱之基板製程。
简体摘要：本发明为有关一种高导热基板制程,尤指金属导电基材为利用铜或铜铝合金等材质金属片上贴附有高导热、耐高温之绝缘胶,且该绝缘胶主要成份可为陶瓷粉及特殊调用的高热导绝缘树脂,其导热率可达到200-500W/M.K,而耐温则可介于400-600℃之间,再对金属导电基材利用露光显影/蚀刻或冲模方式加工成形出所要面积及线路部份,即可将金属导电基材透过绝缘胶与散热基板黏合后成形为挡墙,便完成高精密度及高导热之基板制程。

4. 发明专利

TW201118940A 陶瓷基板製程方法审中-公开
简体标题：陶瓷基板制程方法
公开(公告)号：TW201118940A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW098139518
申请日：2009-11-20
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：林文新
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K3/108 , H05K1/0306 , H05K3/062 , H05K3/24
摘要：本發明為有關一種陶瓷基板製程方法，尤指陶瓷基板表面金屬層表面貼附乾膜後，對乾膜進行露光顯影，去除線路部份之乾膜讓線路部份之金屬層顯露，並在線路部份金屬層表面再鍍上導電金屬層，其導電金屬層表面又鍍上耐蝕刻層，再去除乾膜並對其下方導電金屬層、金屬層進行蝕刻處理，由於耐蝕刻層遮擋住蝕刻液，即可避免蝕刻液對導電金屬層表面產生蝕刻，讓預定之線路寬度不會被蝕刻縮減，而可保持線路寬度於預定尺寸，便可提昇產品上線路尺寸之精密度。
简体摘要：本发明为有关一种陶瓷基板制程方法，尤指陶瓷基板表面金属层表面贴附干膜后，对干膜进行露光显影，去除线路部份之干膜让线路部份之金属层显露，并在线路部份金属层表面再镀上导电金属层，其导电金属层表面又镀上耐蚀刻层，再去除干膜并对其下方导电金属层、金属层进行蚀刻处理，由于耐蚀刻层遮挡住蚀刻液，即可避免蚀刻液对导电金属层表面产生蚀刻，让预定之线路宽度不会被蚀刻缩减，而可保持线路宽度于预定尺寸，便可提升产品上线路尺寸之精密度。

5. 发明专利

TWI406603B 高導熱基板製程有权
简体标题：高导热基板制程
公开(公告)号：TWI406603B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW099122881
申请日：2010-07-12
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：林文新 , LIN, WEN HSIN
IPC分类号： H05K1/05 , H05K7/20

6. 发明专利

TW201225760A 過電壓保護元件及其製造方法审中-公开
简体标题：过电压保护组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201225760A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099141928
申请日：2010-12-02
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：唐錦榮 , 林文新 , 孫思隆
IPC分类号： H05K , H01C
摘要：本發明為有關一種過電壓保護元件及其製造方法,係包括有基板及過電壓保護元件基材,而基板表面上利用機械加工方式縱向開設有一個或一個以上呈貫通狀之嵌置孔,即可將過電壓保護元件基材原料調製成膏狀,並填充、注入於基板之嵌置孔內加熱固化成型,再於基板二側表面上利用導電金屬予以金屬化形成有披覆至過電壓保護元件基材上、下二側處之電極導體,便完成過電壓保護元件內埋式基板成品,當過電壓保護元件二端電極導體所承受的電壓為大於崩潰電壓時,其阻抗値將瞬間極小化以抑制暫態或突波電壓,而具有過電壓保護的功能。
简体摘要：本发明为有关一种过电压保护组件及其制造方法,系包括有基板及过电压保护组件基材,而基板表面上利用机械加工方式纵向开设有一个或一个以上呈贯通状之嵌置孔,即可将过电压保护组件基材原料调制成膏状,并填充、注入于基板之嵌置孔内加热固化成型,再于基板二侧表面上利用导电金属予以金属化形成有披覆至过电压保护组件基材上、下二侧处之电极导体,便完成过电压保护组件内埋式基板成品,当过电压保护组件二端电极导体所承受的电压为大于崩溃电压时,其阻抗値将瞬间极小化以抑制暂态或突波电压,而具有过电压保护的功能。

7. 发明专利

TW200948749A 陶瓷基板之金屬化製程方法审中-公开
简体标题：陶瓷基板之金属化制程方法
公开(公告)号：TW200948749A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098108995
申请日：2009-03-19
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：林文新 , 劉吉仁
IPC分类号： C04B , H01L
CPC分类号： C04B41/89 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B2111/00844 , H01L21/4867 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K3/146 , H05K3/16 , H05K3/38 , H05K3/381 , H05K2203/09 , C04B41/4549 , C04B2103/402 , C04B41/4572 , C04B41/5096 , C04B41/5133 , C04B41/5144 , C04B41/5127 , C04B41/5111 , C04B35/00 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種陶瓷基板之金屬化製程方法，尤指陶瓷基板為無機物不帶任何正負電性，非常不容易與金屬接合，故利用鍍膜製程方式，係先將陶瓷基板進行潔淨清洗，並使用微蝕刻方式將陶瓷基板表面進行粗化處理，再利用奈米級含Si的介面活性劑塗佈於陶瓷基板表面，使不具有電極性之陶瓷基板表面可產生負電極效應，如此，可透過鍍膜方式於奈米介面活性劑上沈積有厚度較薄且易與陶瓷接合的帶正電的第一金屬層，達到導熱佳、電性好、可靠度及結合力強的陶瓷基板，有效降低製造成本之效果。
简体摘要：本发明提供一种陶瓷基板之金属化制程方法，尤指陶瓷基板为无机物不带任何正负电性，非常不容易与金属接合，故利用镀膜制程方式，系先将陶瓷基板进行洁净清洗，并使用微蚀刻方式将陶瓷基板表面进行粗化处理，再利用奈米级含Si的界面活性剂涂布于陶瓷基板表面，使不具有电极性之陶瓷基板表面可产生负电极效应，如此，可透过镀膜方式于奈米界面活性剂上沉积有厚度较薄且易与陶瓷接合的带正电的第一金属层，达到导热佳、电性好、可靠度及结合力强的陶瓷基板，有效降低制造成本之效果。

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