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    • 10. 发明专利
    • CVD用內管
    • CVD用内管
    • TW526180B
    • 2003-04-01
    • TW090112118
    • 2001-05-21
    • 神戶製鋼所股份有限公司
    • 濱口真基小林尚博
    • C04BB29CH01L
    • C23C16/4401C23C16/44C23C16/4404
    • 本發明係提供具優越耐熱性與耐腐蝕性。同時具有與C VD膜成分密接性良好之內表面,且可極力抑制Si晶圓污染的半導體製造用的CVD裝置用內管。半導體製造用CVD裝置的內管材質,係採用玻璃狀碳,在為更進一步提昇與CVD膜成分的密接性,將上述內管的特性,如線性膨脹常數、管內表面之表面粗糙度、管內表面之氧/碳原子數比(O/C)、或管內表面之I(D)/I(G)[其中,I(D)係指鑽石構造之C-C鍵結的峰值;I(G)係指石墨構造之C-C鍵結的峰值]控制成如本發明所限制範圍內。
    • 本发明系提供具优越耐热性与耐腐蚀性。同时具有与C VD膜成分密接性良好之内表面,且可极力抑制Si晶圆污染的半导体制造用的CVD设备用内管。半导体制造用CVD设备的内管材质,系采用玻璃状碳,在为更进一步提升与CVD膜成分的密接性,将上述内管的特性,如线性膨胀常数、管内表面之表面粗糙度、管内表面之氧/碳原子数比(O/C)、或管内表面之I(D)/I(G)[其中,I(D)系指钻石构造之C-C键结的峰值;I(G)系指石墨构造之C-C键结的峰值]控制成如本发明所限制范围内。