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2. 发明专利

TW471006B n型半導體鑽石及其製造方法失效
简体标题： n型半导体钻石及其制造方法
公开(公告)号：TW471006B
公开(公告)日：2002-01-01
申请号：TW089105561
申请日：2000-03-27
申请人：科學技術振興事業團 , 獨立行政法人物質材料研究機構
发明人：安藤壽浩 , 佐藤洋一郎 , 野洲榮治 , 蒲生美香 , 口勳
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B25/105 , C30B29/04 , Y10S117/902
摘要：本發明係關於一種n型半導體鑽石及其製造方法，係研磨著基板，而使得基板，成為傾斜狀基板，並且，還將該基板，曝露於氮電漿中，而對於該基板，進行著平滑化處理。本發明之n型半導體鑽石及其製造方法，係對於該基板，進行著加熱，並且，還控制基板表面溫度，成為830，同時，以200ml/min之流量，導入1%甲烷/50ppni硫化氫／氫之混合氮體至反應管內，而激發出微波電漿，以便前述之基板上，外延成長著n型半導體鑽石，像前述這樣，就可以得到具有0.38eV之活化能之單一施體位準之高度遷移性及高品質之摻雜硫之D型半導體鑽石。
简体摘要：本发明系关于一种n型半导体钻石及其制造方法，系研磨着基板，而使得基板，成为倾斜状基板，并且，还将该基板，曝露于氮等离子中，而对于该基板，进行着平滑化处理。本发明之n型半导体钻石及其制造方法，系对于该基板，进行着加热，并且，还控制基板表面温度，成为830，同时，以200ml/min之流量，导入1%甲烷/50ppni硫化氢／氢之混合氮体至反应管内，而激发出微波等离子，以便前述之基板上，外延成长着n型半导体钻石，像前述这样，就可以得到具有0.38eV之活化能之单一施体位准之高度迁移性及高品质之掺杂硫之D型半导体钻石。

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