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3. 发明专利

TW200943408A 利用抗反射塗佈（ＡＲＣ）層開口之線寬粗糙度控制 LINE WIDTH ROUGHNESS CONTROL WITH ARC LAYER OPEN 有权
简体标题：利用抗反射涂布（ＡＲＣ）层开口之线宽粗糙度控制 LINE WIDTH ROUGHNESS CONTROL WITH ARC LAYER OPEN
公开(公告)号：TW200943408A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097137310
申请日：2008-09-26
申请人：泛林股份有限公司
发明人：池京求 , 金強納森
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要：欲達成上述並根據本發明之目的，提供一種蝕刻設置在圖案化遮罩下之抗反射塗佈（ARC）層下的蝕刻層之方法。開通該ARC層，並經由該圖案化遮罩蝕刻特徵到該蝕刻層中。開通該ARC層包括（1）提供包含含鹵素氣體、COS及含氧氣體之ARC開通氣體、（2）從該ARC開通氣體形成電漿以開通該ARC層以及（3）停止提供該ARC開通氣體以停止該電漿。該圖案化遮罩可為具有線－間隔圖案之光阻（PR）遮罩。該ARC開通氣體中之COS減少該蝕刻層之該些圖案化特徵的線寬粗糙度（LWR）。
简体摘要：欲达成上述并根据本发明之目的，提供一种蚀刻设置在图案化遮罩下之抗反射涂布（ARC）层下的蚀刻层之方法。开通该ARC层，并经由该图案化遮罩蚀刻特征到该蚀刻层中。开通该ARC层包括（1）提供包含含卤素气体、COS及含氧气体之ARC开通气体、（2）从该ARC开通气体形成等离子以开通该ARC层以及（3）停止提供该ARC开通气体以停止该等离子。该图案化遮罩可为具有线－间隔图案之光阻（PR）遮罩。该ARC开通气体中之COS减少该蚀刻层之该些图案化特征的线宽粗糙度（LWR）。

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