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1. 发明专利

TW200704828A 金屬氮化物的選擇性濕式蝕刻 SELECTIVE WET ETCHING OF METAL NITRIDES 审中-公开
简体标题：金属氮化物的选择性湿式蚀刻 SELECTIVE WET ETCHING OF METAL NITRIDES
公开(公告)号：TW200704828A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW095110485
申请日：2006-03-27
申请人：沙琛公司 SACHEM, INC.
发明人：威廉A. 沃捷克 WOJTCZAK, WILLIAM A. , 丁恩迪烏夫 DEWULF, DEAN
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C09K13/06 , C09K13/00 , C09K13/02 , H01L21/32134
摘要：在一具體實例中,本發明係有關一種含有過氧化氫、有機氫氧化及酸的濕式蝕刻組成物。在另一個具體實例中,本發明係有關一種對周圍結構有選擇性之濕式蝕刻金屬氮化物的方法,其中該周圍結構包含有矽、氧化矽、玻璃、磷矽酸鹽玻璃、硼磷矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、氧氮化矽、氮化矽、氧碳化矽的一或多種及其組合與混合物和/或光阻劑材料;該方法包含的步驟有:提供含有過氧化氫、有機氫氧化與有機酸的濕式蝕刻組成物;以及在對該周圍結構有選擇性之有效蝕刻金屬氮化物的時間與溫度下,將被蝕刻的金屬氮化物暴置於該濕式蝕刻組成物。
简体摘要：在一具体实例中,本发明系有关一种含有过氧化氢、有机氢氧化及酸的湿式蚀刻组成物。在另一个具体实例中,本发明系有关一种对周围结构有选择性之湿式蚀刻金属氮化物的方法,其中该周围结构包含有硅、氧化硅、玻璃、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、氧氮化硅、氮化硅、氧碳化硅的一或多种及其组合与混合物和/或光阻剂材料;该方法包含的步骤有:提供含有过氧化氢、有机氢氧化与有机酸的湿式蚀刻组成物;以及在对该周围结构有选择性之有效蚀刻金属氮化物的时间与温度下,将被蚀刻的金属氮化物暴置于该湿式蚀刻组成物。

2. 发明专利

TW200833871A 選擇性金屬濕式蝕刻組成物及方法 SELECTIVE METAL WET ETCH COMPOSITION AND PROCESS 审中-公开
简体标题：选择性金属湿式蚀刻组成物及方法 SELECTIVE METAL WET ETCH COMPOSITION AND PROCESS
公开(公告)号：TW200833871A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096143659
申请日：2007-11-19
申请人：沙琛公司 SACHEM, INC
发明人：威廉A. 沃捷克 WOJTCZAK, WILLIAM A. , 賢安柯林斯 COLLINS, SIAN
IPC分类号： C23F , H01L
CPC分类号： H01L21/32134 , C23F1/28 , C23F1/30
摘要：本發明揭示一種組成物及一種使用該組成物的用於選擇性地濕式蝕刻金屬之方法,該方法包括:在矽表面上沈積金屬;施加能量以使該金屬及矽之各別部分形成矽化物,留下一定量之未反應金屬;藉由向該未反應金屬施加包括下列各物之組成物來選擇性地濕式蝕刻該未反應金屬:HCl、HBr、鹵化銨、胺氫鹵化鹽、四級銨鹵化物、四級鏻鹵化物或其任何兩者或兩者以上之混合物;氮氧化物化合物;用於氮氧化物之穩定劑,其包含二醇、乙二醇二甲醚、醚、多元醇或其任何兩者或兩者以上之混合物;及水。在一具體實例中,該組成物包括鹵化銨、胺氫鹵化鹽、四級銨鹵化物、四級鏻鹵化物或其任何兩者或兩者以上之混合物;氮氧化物化合物;及水。
简体摘要：本发明揭示一种组成物及一种使用该组成物的用于选择性地湿式蚀刻金属之方法,该方法包括:在硅表面上沉积金属;施加能量以使该金属及硅之各别部分形成硅化物,留下一定量之未反应金属;借由向该未反应金属施加包括下列各物之组成物来选择性地湿式蚀刻该未反应金属:HCl、HBr、卤化铵、胺氢卤化盐、四级铵卤化物、四级鏻卤化物或其任何两者或两者以上之混合物;氮氧化物化合物;用于氮氧化物之稳定剂,其包含二醇、乙二醇二甲醚、醚、多元醇或其任何两者或两者以上之混合物;及水。在一具体实例中,该组成物包括卤化铵、胺氢卤化盐、四级铵卤化物、四级鏻卤化物或其任何两者或两者以上之混合物;氮氧化物化合物;及水。

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