专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TW201134544A 用於選擇性收集製程流出流的方法及設備 METHOD AND EQUIPMENT FOR SELECTIVELY COLLECTING PROCESS EFFLUENT 审中-公开
简体标题：用于选择性收集制程流出流的方法及设备 METHOD AND EQUIPMENT FOR SELECTIVELY COLLECTING PROCESS EFFLUENT
公开(公告)号：TW201134544A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW100102924
申请日：2011-01-26
申请人：氣體產品及化學品股份公司
发明人：溫徹斯特大衛查爾斯 , 鮑思高馬修約翰 , 克萊恩吉拉德 W , 威斯特伊薩克派翠克 , 山沙李察林頓 , 迪道格拉斯保羅 , 強生安德魯大衛 , 喀瓦奇伊真約瑟
IPC分类号： B01J
CPC分类号： B01D53/04 , B01D2256/18 , B01D2258/0216 , B01D2259/402 , Y10T137/7837
摘要：本發明關於一種從化學製程反應器的流出流回收想要的氣體例如二氟化氙、氙、氬、氦或氖的設備及方法，該設備及方法單獨或以氣體混合物的方式或以被分解分子的方式利用此等氣體，其中該化學製程反應器使用不全含有該想要的氣體的一系列不同氣體組合物，並且只有在該想要的氣體處於該流出流中的期間才捕捉並實質回收該想要的氣體。
简体摘要：本发明关于一种从化学制程反应器的流出流回收想要的气体例如二氟化氙、氙、氩、氦或氖的设备及方法，该设备及方法单独或以气体混合物的方式或以被分解分子的方式利用此等气体，其中该化学制程反应器使用不全含有该想要的气体的一系列不同气体组合物，并且只有在该想要的气体处于该流出流中的期间才捕捉并实质回收该想要的气体。

4. 发明专利

TW201029065A 選擇性蝕刻及二氟化氙的形成 SELECTIVE ETCHING AND FORMATION OF XENON DIFLUORIDE 审中-公开
简体标题：选择性蚀刻及二氟化氙的形成 SELECTIVE ETCHING AND FORMATION OF XENON DIFLUORIDE
公开(公告)号：TW201029065A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW099101850
申请日：2010-01-22
申请人：氣體產品及化學品股份公司
发明人：吳定軍 , 喀瓦奇伊真約瑟 , 馬里卡裘南艾紐帕馬 , 強生安德魯大衛
IPC分类号： H01L
摘要：本發明涉及用於從二氧化矽、氮化矽、鎳、鋁、TiNi合金、光阻劑、磷矽酸鹽玻璃、硼磷矽酸鹽玻璃、聚醯亞胺、金、銅、鉑、鉻、氧化鋁、碳化矽和其混合物選擇性除去下述材料的方法，比如：矽、鉬、鎢、鈦、鋯、鉿、釩、鉭、鈮、硼、磷、鍺、砷和其混合物。該方法與下列重要應用相關，即用於半導體沉積腔室和半導體工具、微電動機械系統(MEMS)中的器件、以及離子注入系統的清潔或蝕刻方法。本發明也提供通過將Xe與含氟化學品反應而形成XeF2的方法，其中，所述含氟化學品選自F2、NF3、C2F6、CF4、C3F8、SF6、從上游電漿產生器產生的含F原子的電漿和它們的混合物。
简体摘要：本发明涉及用于从二氧化硅、氮化硅、镍、铝、TiNi合金、光阻剂、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、聚酰亚胺、金、铜、铂、铬、氧化铝、碳化硅和其混合物选择性除去下述材料的方法，比如：硅、钼、钨、钛、锆、铪、钒、钽、铌、硼、磷、锗、砷和其混合物。该方法与下列重要应用相关，即用于半导体沉积腔室和半导体工具、微电动机械系统(MEMS)中的器件、以及离子注入系统的清洁或蚀刻方法。本发明也提供通过将Xe与含氟化学品反应而形成XeF2的方法，其中，所述含氟化学品选自F2、NF3、C2F6、CF4、C3F8、SF6、从上游等离子产生器产生的含F原子的等离子和它们的混合物。

5. 发明专利

TW201233428A 從廢氣流回收高價值成份的方法 METHOD FOR RECOVERING HIGH-VALUE COMPONENTS FROM WASTE GAS STREAMS 审中-公开
简体标题：从废气流回收高价值成份的方法 METHOD FOR RECOVERING HIGH-VALUE COMPONENTS FROM WASTE GAS STREAMS
公开(公告)号：TW201233428A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW101103963
申请日：2012-02-07
申请人：氣體產品及化學品股份公司
发明人：哈夫頓傑夫瑞雷蒙 , 福瑞斯湯馬士史坦夫 , 戈登提蒙斯克里斯多夫 , 喀瓦奇伊真約瑟
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D53/02 , B01D2253/108 , B01D2256/10 , B01D2256/16 , B01D2256/18 , B01D2257/108 , B01D2257/11 , B01D2258/0216 , B01D2259/40083 , B01D2259/455 , C01B23/0052 , C01B2210/0037 , C01B2210/0046
摘要：本發明關於一種從廢氣回收所欲成份之方法，其包含：(a)於一作業設施處，把包含該所欲成份及一或更多不想要成份的廢氣引進含有對該所欲成份具有選擇性的吸附性材料的吸附器，使該所欲成份的至少一部分吸附於彼內，(b)終止廢氣流入該吸附器；及(c)藉由下列兩者中之任一回收及濃縮該所欲成份：(1)隔絕該吸附器，將該吸附器運送至中央處理設施，或(2)從該吸附器抽出富含該所欲成份的中間氣體，壓縮該中間氣體並且將其儲存於容器中，隔絕該容器，將該容器運送至中央處理設施以提供更富含該所欲成份的濃縮產物。
简体摘要：本发明关于一种从废气回收所欲成份之方法，其包含：(a)于一作业设施处，把包含该所欲成份及一或更多不想要成份的废气引进含有对该所欲成份具有选择性的吸附性材料的吸附器，使该所欲成份的至少一部分吸附于彼内，(b)终止废气流入该吸附器；及(c)借由下列两者中之任一回收及浓缩该所欲成份：(1)隔绝该吸附器，将该吸附器运送至中央处理设施，或(2)从该吸附器抽出富含该所欲成份的中间气体，压缩该中间气体并且将其存储于容器中，隔绝该容器，将该容器运送至中央处理设施以提供更富含该所欲成份的浓缩产物。

6. 发明专利

TW201043723A 含矽膜的低溫沉積方法 LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS 审中-公开
简体标题：含硅膜的低温沉积方法 LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS
公开(公告)号：TW201043723A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW098120784
申请日：2009-06-20
申请人：氣體產品及化學品股份公司 , 東京電子有限公司
发明人：楊柳 , 雷新建 , 韓冰 , 蕭滿超 , 喀瓦奇伊真約瑟 , 長谷部一秀 , 松永正信 , 米澤雅人 , 程漢頌
IPC分类号： C23C
摘要：本發明揭示於低沉積溫度下形成氮化矽、氧氮化矽、氧化矽、摻碳的氮化矽、摻碳的氧化矽及摻碳的氧氮化物膜之方法。用於此沉積的含矽前驅物為單氯矽烷(MCS)及單氯烷基矽烷類。本發明較佳為經由使用電漿强化原子層沉積法、電漿强化化學氣相沉積法及電漿强化循環化學氣相沉積法進行。
简体摘要：本发明揭示于低沉积温度下形成氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、掺碳的氮化硅、掺碳的氧化硅及掺碳的氧氮化物膜之方法。用于此沉积的含硅前驱物为单氯硅烷(MCS)及单氯烷基硅烷类。本发明较佳为经由使用等离子强化原子层沉积法、等离子强化化学气相沉积法及等离子强化循环化学气相沉积法进行。

7. 发明专利

TW201429543A 用於六氟化鎢的回收及再使用的系統及方法审中-公开
简体标题：用于六氟化钨的回收及再使用的系统及方法
公开(公告)号：TW201429543A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW103101513
申请日：2014-01-15
申请人：氣體產品及化學品股份公司 , AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人：強生安德魯大衛 , JOHNSON, ANDREW DAVID , 阿加渥爾勞爵夫克里山 , AGARWAL, RAJIV KRISHAN , 安熙福 , AHN, HEUI-BOK , 加斯特爾威廉傑克 , CASTEEL, WILLIAM JACK, JR. , 喀瓦奇伊真約瑟 , KARWACKI, EUGENE JOSEPH, JR. , 雷曼約翰法蘭西斯 , LEHMANN, JOHN FRANCIS , 溫徹斯特大衛查爾斯 , WINCHESTER, DAVID CHARLES
IPC分类号： B01D53/96 , C23C16/00
CPC分类号： H01L21/0262 , B01D53/002 , B01D53/68 , B01D2257/553 , B01D2258/0216 , C23C16/4401 , C23C16/4412
摘要：可冷凝的材料，例如但不限於氟化鎢(WF6)，可用於化學氣相沉積(CVD)方法中沉積膜。本文所述的是收集並且再使用於生產程序中不會反應之可冷凝的材料，而不是把這些材料當作廢棄物處理。在一具體實施例中，當可冷凝的材料，例如氣態WF6，沒供應到該CVD反應器時，將其再引至供捕捉用的回收槽(recovery cabinet)。
简体摘要：可冷凝的材料，例如但不限于氟化钨(WF6)，可用于化学气相沉积(CVD)方法中沉积膜。本文所述的是收集并且再使用于生产进程中不会反应之可冷凝的材料，而不是把这些材料当作废弃物处理。在一具体实施例中，当可冷凝的材料，例如气态WF6，没供应到该CVD反应器时，将其再引至供捕捉用的回收槽(recovery cabinet)。

9. 发明专利

TWI385270B 含矽膜的低溫沉積方法有权
简体标题：含硅膜的低温沉积方法
公开(公告)号：TWI385270B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW098120784
申请日：2009-06-20
申请人：氣體產品及化學品股份公司 , AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC. , 東京電子有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：楊柳 , YANG, LIU , 雷新建 , LEI, XINJIAN , 韓冰 , HAN, BING , 蕭滿超 , XIAO, MANCHAO , 喀瓦奇伊真約瑟 , KARWACKI, EUGENE JOSEPH, JR. , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 米澤雅人 , YONEZAWA, MASATO , 程漢頌 , CHENG, HANSONG
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/513

10. 发明专利

TWI496934B 用於沉積碳摻雜含矽膜的組合物及方法有权
简体标题：用于沉积碳掺杂含硅膜的组合物及方法
公开(公告)号：TWI496934B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW101120022
申请日：2012-06-04
申请人：氣體產品及化學品股份公司 , AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人：蕭滿超 , XIAO, MANCHAO , 雷新建 , LEI, XINJIAN , 皮爾斯坦羅納多馬丁 , PEARLSTEIN, RONALD MARTIN , 錢德拉哈里賓 , CHANDRA, HARIPIN , 喀瓦奇伊真約瑟 , KARWACKI, EUGENE JOSEPH, JR. , 韓冰 , HAN, BING , 歐尼爾馬克李納德 , O'NEILL, MARK LEONARD
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02211 , C07F7/0896 , C07F7/10 , C09D5/00 , C09D7/63 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/0228

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式