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1. 发明专利

TW201911488A 金屬化基板及其製造方法审中-公开
简体标题：金属化基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201911488A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106127158
申请日：2017-08-10
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：吳政惠 , WU, CHENG HUI , 徐德義 , HSU, DER YI , 簡俊賢 , CHIEN, CHUN HSIEN , 林緯迪 , LIN, WEI TI , 陳富揚 , CHEN, FU YANG
IPC分类号： H01L23/15 , H05K1/09
摘要：一種金屬化基板，包括絕緣基板、第一晶種層、第二晶種層、金屬層以及至少一緩衝層。第一晶種層設置於絕緣基板上。第二晶種層設置於第一晶種層上。金屬層設置於第二晶種層上。至少一緩衝層設置於第二晶種層與絕緣基板之間。
简体摘要：一种金属化基板，包括绝缘基板、第一晶种层、第二晶种层、金属层以及至少一缓冲层。第一晶种层设置于绝缘基板上。第二晶种层设置于第一晶种层上。金属层设置于第二晶种层上。至少一缓冲层设置于第二晶种层与绝缘基板之间。

2. 发明专利

TW202008544A 封裝結構及其製造方法审中-公开
简体标题：封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TW202008544A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107125929
申请日：2018-07-26
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：葉文亮 , YEH, WENLIANG , 簡俊賢 , CHIEN, CHUN HSIEN , 陳建州 , CHEN, CHIEN CHOU , 吳政惠 , WU, CHENG HUI
IPC分类号： H01L23/525 , H01L23/28
摘要：一種封裝結構，包括基板、金屬-絕緣層-金屬電容、線路重佈結構、以及晶片。金屬-絕緣層-金屬電容設置於基板之上，並包括第一電極、第二電極、以及絕緣層。線路重佈結構設置於金屬-絕緣層-金屬電容之上，並包括第一線路重佈層和第二線路重佈層。第一線路重佈層包括與第一電極電性連接的第一導線和與第二電極電性連接的第二導線。第二線路重佈層設置於第一線路重佈層上，並包括與第一導線電性連接的第三導線和與第二導線電性連接的第四導線。晶片設置於線路重佈結構之上，並與第三導線和第四導線電性連接。
简体摘要：一种封装结构，包括基板、金属-绝缘层-金属电容、线路重布结构、以及芯片。金属-绝缘层-金属电容设置于基板之上，并包括第一电极、第二电极、以及绝缘层。线路重布结构设置于金属-绝缘层-金属电容之上，并包括第一线路重布层和第二线路重布层。第一线路重布层包括与第一电极电性连接的第一导线和与第二电极电性连接的第二导线。第二线路重布层设置于第一线路重布层上，并包括与第一导线电性连接的第三导线和与第二导线电性连接的第四导线。芯片设置于线路重布结构之上，并与第三导线和第四导线电性连接。

3. 发明专利

TW201902602A 加工方法及其應用之加工機台與系統审中-公开
简体标题：加工方法及其应用之加工机台与系统
公开(公告)号：TW201902602A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106119684
申请日：2017-06-13
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：徐德義 , HSU, DER YI , 吳政惠 , WU, CHENG HUI , 簡俊賢 , CHIEN, CHUN HSIEN
IPC分类号： B23B35/00 , B23K26/02 , H05K3/02
摘要：一種加工方法，包括下列步驟：使用加工機台對測試板體進行第一鑽孔製程，其中第一鑽孔製程包括使用不同的參數設定以形成複數個第一孔洞於測試板體上；使用加工機台對測試板體擷取第一影像；依據標準孔影像比對第一影像中之第一孔洞輪廓；分別量測第一孔洞輪廓的第一尺寸數值，其中第一尺寸數值包括以最小平方圓法所得到的孔徑大小及圓心座標，以及以最小環帶圓法所得到的真圓度；以及判斷第一尺寸數值是否與預設規格值相符。
简体摘要：一种加工方法，包括下列步骤：使用加工机台对测试板体进行第一钻孔制程，其中第一钻孔制程包括使用不同的参数设置以形成复数个第一孔洞于测试板体上；使用加工机台对测试板体截取第一影像；依据标准孔影像比对第一影像中之第一孔洞轮廓；分别量测第一孔洞轮廓的第一尺寸数值，其中第一尺寸数值包括以最小平方圆法所得到的孔径大小及圆心座标，以及以最小环带圆法所得到的真圆度；以及判断第一尺寸数值是否与默认规格值相符。

4. 发明专利

TWI628018B 加工方法及其應用之加工機台與系統有权
简体标题：加工方法及其应用之加工机台与系统
公开(公告)号：TWI628018B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106119684
申请日：2017-06-13
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：徐德義 , HSU, DER YI , 吳政惠 , WU, CHENG HUI , 簡俊賢 , CHIEN, CHUN HSIEN
IPC分类号： B23B35/00 , B23K26/02 , H05K3/02

5. 实用新型

TWM557907U 蝕刻裝置有权
简体标题：蚀刻设备
公开(公告)号：TWM557907U
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106214049
申请日：2017-09-21
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：吳政惠 , WU, CHENG-HUI , 徐德義 , HSU, DER-YI , 簡俊賢 , CHIEN, CHUN-HSIEN , 陳富揚 , CHEN, FU-YANG
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/306

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