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1. 发明专利

TW201305318A 蝕刻液組成物及蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻液组成物及蚀刻方法
公开(公告)号：TW201305318A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101113767
申请日：2012-04-18
申请人：林純藥工業股份有限公司 , HAYASHI PURE CHEMICAL IND, LTD.
发明人：木村真弓 , KIMURA, MAYUMI , 松井篤史 , MATSUI, ATSUSHI , 後藤哲彌 , GOTO, TETSUYA , 田湖次廣 , TAGO, TSUGUHIRO
IPC分类号： C09K13/02 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/02
摘要：本發明之蝕刻液組成物，係用以將單晶矽基板之表面予以蝕刻而形成凹凸形狀之蝕刻液組成物，其係含有鹼化合物、有機溶劑、以及界面活性劑。
简体摘要：本发明之蚀刻液组成物，系用以将单晶硅基板之表面予以蚀刻而形成凹凸形状之蚀刻液组成物，其系含有碱化合物、有机溶剂、以及界面活性剂。

2. 发明专利

TWI535827B 蝕刻液組成物及蝕刻方法有权
简体标题：蚀刻液组成物及蚀刻方法
公开(公告)号：TWI535827B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW101131163
申请日：2012-08-28
申请人：林純藥工業股份有限公司 , HAYASHI PURE CHEMICAL IND, LTD.
发明人：松井篤史 , MATSUI, ATSUSHI , 木村真弓 , KIMURA, MAYUMI , 田湖次廣 , TAGO, TSUGUHIRO
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/00 , C09K13/06 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31144

3. 发明专利

TW201311867A 蝕刻液組成物及蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻液组成物及蚀刻方法
公开(公告)号：TW201311867A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101118991
申请日：2012-05-28
申请人：林純藥工業股份有限公司 , HAYASHI PURE CHEMICAL IND, LTD.
发明人：勇謙司 , ISAMI, KENJI , 中村法廣 , NAKAMURA, NORIHIRO , 木村真弓 , KIMURA, MAYUMI , 田湖次廣 , TAGO, TSUGUHIRO
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06 , H01L21/306 , H01L33/22
CPC分类号： H01L21/30612 , H01L33/22
摘要：本發明之蝕刻液組成物，其係使蝕刻對象物之表面蝕刻，形成凹凸形狀之蝕刻液組成物，含有選自由有機酸、有機酸鹽、無機酸、無機酸鹽、螯合劑、界面活性劑、糖醇類、苯酚類、唑類、及雜環化合物所成群中之至少一種、醋酸、氟化氫酸、與硝酸。
简体摘要：本发明之蚀刻液组成物，其系使蚀刻对象物之表面蚀刻，形成凹凸形状之蚀刻液组成物，含有选自由有机酸、有机酸盐、无机酸、无机酸盐、螯合剂、界面活性剂、糖醇类、苯酚类、唑类、及杂环化合物所成群中之至少一种、醋酸、氟化氢酸、与硝酸。

4. 发明专利

TW201323584A 蝕刻液組成物及蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻液组成物及蚀刻方法
公开(公告)号：TW201323584A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101131163
申请日：2012-08-28
申请人：林純藥工業股份有限公司 , HAYASHI PURE CHEMICAL IND, LTD.
发明人：松井篤史 , MATSUI, ATSUSHI , 木村真弓 , KIMURA, MAYUMI , 田湖次廣 , TAGO, TSUGUHIRO
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/00 , C09K13/06 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31144
摘要：本發明係關於一種進行於被處理基板上形成之含矽膜之蝕刻時使用之蝕刻液組成物，蝕刻液組成物含有由含羥基之有機化合物、含羰基之有機化合物、無機酸、及無機酸鹽所組成群組選出之至少一種與氟化氫、氟化銨及有機酸。
简体摘要：本发明系关于一种进行于被处理基板上形成之含硅膜之蚀刻时使用之蚀刻液组成物，蚀刻液组成物含有由含羟基之有机化合物、含羰基之有机化合物、无机酸、及无机酸盐所组成群组选出之至少一种与氟化氢、氟化铵及有机酸。

6. 发明专利

TWI547546B 蝕刻液組成物及蝕刻方法有权
简体标题：蚀刻液组成物及蚀刻方法
公开(公告)号：TWI547546B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW100135007
申请日：2011-09-28
申请人：林純藥工業股份有限公司 , HAYASHI PURE CHEMICAL IND, LTD.
发明人：勇謙司 , ISAMI, KENJI , 木村真弓 , KIMURA, MAYUMI , 田湖次廣 , TAGO, TSUGUHIRO
IPC分类号： C09K13/04 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/0062 , H01L33/22

8. 发明专利

TW201038771A 蝕刻液組成物审中-公开
简体标题：蚀刻液组成物
公开(公告)号：TW201038771A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099100686
申请日：2010-01-12
申请人：三洋半導體製造股份有限公司 , 林純藥工業股份有限公司 , 三洋電機股份有限公司 , 三洋半導體股份有限公司
发明人：田湖次廣 , 松田知丈 , 木村真弓 , 青山哲男
IPC分类号： C23F
CPC分类号： H01L21/32134 , C23F1/20 , H01L23/53214 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係將含有磷酸、硝酸、有機酸鹽及界面活性劑之水溶液,使用為對基板上之金屬膜進行蝕刻之蝕刻液組成物。前述之有機酸鹽係使用選自脂肪族單羧酸、脂肪族聚羧酸、脂肪族氧羧酸、芳香族單羧酸、芳香族聚羧酸、芳香族氧羧酸所成群之至少一種之選自銨鹽、胺鹽、第4級銨鹽、鹼金屬鹽所成群之至少一種有機酸鹽。另外可將本發明之蝕刻液組成物使用於該金屬膜為鋁或鋁合金之情況。
简体摘要：本发明系将含有磷酸、硝酸、有机酸盐及界面活性剂之水溶液,使用为对基板上之金属膜进行蚀刻之蚀刻液组成物。前述之有机酸盐系使用选自脂肪族单羧酸、脂肪族聚羧酸、脂肪族氧羧酸、芳香族单羧酸、芳香族聚羧酸、芳香族氧羧酸所成群之至少一种之选自铵盐、胺盐、第4级铵盐、碱金属盐所成群之至少一种有机酸盐。另外可将本发明之蚀刻液组成物使用于该金属膜为铝或铝合金之情况。

9. 发明专利

TW201231624A 蝕刻液組成物及蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻液组成物及蚀刻方法
公开(公告)号：TW201231624A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100135007
申请日：2011-09-28
申请人：林純藥工業股份有限公司
发明人：勇謙司 , 木村真弓 , 田湖次廣
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/0062 , H01L33/22
摘要：本發明係有關一種蝕刻液組成物，其係含有無機酸與金屬化合物之組成。進一步，含有有機酸、有機酸鹽、無機酸鹽、界面活性劑中之任一種的組成。進一步，做為無機酸，含有鹽酸、磷酸、硫酸、硝酸中之任一種的組成。另外，使用鐵系化合物做為金屬化合物。有機酸及有機酸鹽係使用選自由單羧酸、聚羧酸、氧化羧酸、膦酸、磺酸及其鹽所成群之至少1種。使用本發明之蝕刻液組成物，以使選自AlGaInP膜、AlGaAs膜、GaAsP膜中任一種的半導體膜進行蝕刻，且使表面粗面化。
简体摘要：本发明系有关一种蚀刻液组成物，其系含有无机酸与金属化合物之组成。进一步，含有有机酸、有机酸盐、无机酸盐、界面活性剂中之任一种的组成。进一步，做为无机酸，含有盐酸、磷酸、硫酸、硝酸中之任一种的组成。另外，使用铁系化合物做为金属化合物。有机酸及有机酸盐系使用选自由单羧酸、聚羧酸、氧化羧酸、膦酸、磺酸及其盐所成群之至少1种。使用本发明之蚀刻液组成物，以使选自AlGaInP膜、AlGaAs膜、GaAsP膜中任一种的半导体膜进行蚀刻，且使表面粗面化。

10. 发明专利

TW200944581A 矽異方性蝕刻液組成物 ANISOTROPIC SILICON ETCHANT COMPOSITION 审中-公开
简体标题：硅异方性蚀刻液组成物 ANISOTROPIC SILICON ETCHANT COMPOSITION
公开(公告)号：TW200944581A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW098105810
申请日：2009-02-24
申请人：林純藥工業股份有限公司 , 三洋電機股份有限公司 , 三洋半導體股份有限公司 , 三洋半導體製造股份有限公司
发明人：勇謙司 , 木村真弓 , 青山哲男 , 田湖次廣
IPC分类号： C09K , C23F , H01L
CPC分类号： C09K13/00 , C09K13/02 , H01L21/30608
摘要：本發明係提供一種含有（a）有機鹼化合物與無機鹼化合物之混合物的鹼化合物、與（b）含矽化合物。作為有機鹼化合物者，使用1種以上第4級氫氧化銨或乙烯二胺。又，作為無機鹼化合物者，使用1種以上之氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨或聯氨。另外，含矽無機化合物為金屬矽、氣相二氧化矽、膠質二氧化矽、矽膠、矽溶膠、矽藻土、酸性白土、活性白土等、含矽有機化合物使用1種以上之矽酸烷酯、或烷基矽酸之第4級銨鹽。
简体摘要：本发明系提供一种含有（a）有机碱化合物与无机碱化合物之混合物的碱化合物、与（b）含硅化合物。作为有机碱化合物者，使用1种以上第4级氢氧化铵或乙烯二胺。又，作为无机碱化合物者，使用1种以上之氢氧化钠、氢氧化钾、氨或联氨。另外，含硅无机化合物为金属硅、气相二氧化硅、胶质二氧化硅、硅胶、硅溶胶、硅藻土、酸性白土、活性白土等、含硅有机化合物使用1种以上之硅酸烷酯、或烷基硅酸之第4级铵盐。

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